半导体工艺设备制造技术

本申请公开了一种半导体工艺设备，包括半导体腔室、电磁线圈、支撑部件和绝缘电容调节件，其中：所述半导体腔室具有内腔，所述支撑部件设于所述内腔中，所述支撑部件用于支撑晶圆；所述半导体腔室包括介质窗，所述介质窗与所述支撑部件相对设置；所述电磁线圈设于所述半导体腔室之外，且与所述介质窗相对设置，所述电磁线圈与所述介质窗之间形成容纳空间；所述绝缘电容调节件活动地设于所述容纳空间中，用于覆盖部分所述介质窗。上述方案可以解决半导体工艺设备对晶圆进行加工时，晶圆的部分区域不能满足加工要求的问题。域不能满足加工要求的问题。域不能满足加工要求的问题。

【技术实现步骤摘要】
半导体工艺设备


[0001]本申请涉及半导体加工
，尤其涉及一种半导体工艺设备。

技术介绍

[0002]半导体器件作为一种精密元件，在集成电路、消费电子等领域都有应用。在加工半导体器件时，需要通过半导体工艺设备，例如刻蚀设备，对其进行加工。
[0003]一种半导体刻蚀设备主要由半导体腔室、电磁线圈及支撑部件组成。电磁线圈在通电后，半导体腔室内的气体在电磁线圈的磁场和电场的耦合作用下，会产生等离子体，等离子体对腔室内的晶圆进行加工处理。由于在半导体腔室设计的过程中，半导体腔室不是绝对对称的，电磁线圈及支撑部件在设置的时候，位置和角度也无法精确，使得电磁线圈通电后在半导体腔室内产生的等离子体会存在分布不均匀的情况。在半导体刻蚀设备对晶圆进行加工的时候，由于半导体腔室内的等离子体分布不均，晶圆会出现某一区域或多个区域的加工无法满足要求的问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术公开了一种半导工艺体设备，以解决半导体工艺设备对晶圆进行加工时，晶圆的部分区域不能满足加工要求的问题。
[0005]为了解决上述问题，本本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括半导体腔室(100)、电磁线圈(200)、支撑部件(300)和绝缘电容调节件(400)，其中：所述半导体腔室(100)具有内腔(110)，所述支撑部件(300)设于所述内腔(110)中，所述支撑部件(300)用于支撑晶圆；所述半导体腔室(100)包括介质窗(120)，所述介质窗(120)与所述支撑部件(300)相对设置；所述电磁线圈(200)设于所述半导体腔室(100)之外，且与所述介质窗(120)相对设置，所述电磁线圈(200)与所述介质窗(120)之间形成容纳空间；所述绝缘电容调节件(400)活动地设于所述容纳空间中，用于覆盖部分所述介质窗(120)。2.根据权利要求1所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述半导体工艺设备还包括环状导轨(500)，所述环状导轨(500)设于所述介质窗(120)，所述绝缘电容调节件(400)与所述环状导轨(500)导向配合，且所述绝缘电容调节件(400)可沿所述环状导轨(500)运动。3.根据权利要求2所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述环状导轨(500)开设有环状凹槽(510)，所述环状凹槽(510)的槽口朝向所述环状导轨(500)的中心，所述绝缘电容调节件(400)包括板状体(410)和连接凸起(420)，所述连接凸起(420)伸至所述环状凹槽(510)内，且所述连接凸起(420)与所述环状凹槽(510)滑动配合，所述连接凸起(420)与所述板状体(410)相连，所述板状体(410)贴附在所述介质窗(120)上，且可随所述连接凸起(420)转动。4.根据权利要求3所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述连接凸起(42...

【专利技术属性】
技术研发人员：李宛桐，陈国动，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：