用于处理基板的装置和方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种用于处理基板的装置和方法。用于处理基板的装置包括：工艺腔室，在所述工艺腔室中具有处理空间；支承单元，其在所述处理空间中支承所述基板；气体供应单元，其将工艺气体供应至所述处理空间中；RF电源，其供应RF信号以将所述工艺气体激发成等离子体；和匹配电路，其连接在所述RF电源与所述工艺腔室之间。所述匹配电路包括：阻抗匹配设备，其执行阻抗匹配；和谐波去除设备，其去除由所述RF电源引起的谐波。当感测到由所述RF电源引起的所述谐波时，所述匹配电路以第一模式操作；当未感测到由所述RF电源引起的所述谐波时，所述匹配电路以第二模式操作。配电路以第二模式操作。配电路以第二模式操作。

【技术实现步骤摘要】
用于处理基板的装置和方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2019年7月16日递交韩国知识产权局的第10-2019-0085473号韩国专利申请在35 U.S.C.
§
119下的优先权，其全部内容通过引用合并于此。


[0003]本文中所描述的本专利技术构思的实施方案涉及一种用于处理基板的装置和方法，更具体地，涉及一种用于去除基板处理工艺中生成的谐波(harmonics)的基板处理基板的装置和方法。

技术介绍

[0004]为了制造半导体元件，通过执行诸如光刻、蚀刻、灰化、离子注入、薄膜沉积和清洁等的各种工艺，在基板上形成所需图案。在这些工艺中，蚀刻工艺是去除形成在基板上的膜的选定区域的工艺。蚀刻工艺分为湿蚀刻工艺和干蚀刻工艺。使用等离子体的蚀刻装置用于干蚀刻工艺。
[0005]通常，为了产生等离子体，在工艺腔室的内部空间中形成电磁场。电磁场将工艺腔室中的工艺气体激发成等离子体。等离子体是指含有离子、电子和基团的物质的离子化气态。等离子体由非常高的温度、强电场或射频(RF)电磁场产生本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于处理基板的装置，所述装置包括：工艺腔室，在所述工艺腔室中具有处理空间；支承单元，其配置为在所述处理空间中支承所述基板；气体供应单元，其配置为将工艺气体供应至所述处理空间中；RF电源，其配置为供应RF信号以将所述工艺气体激发成等离子体；和匹配电路，其连接在所述RF电源与所述工艺腔室之间，其中，所述匹配电路包括：阻抗匹配设备，其配置为执行阻抗匹配；和谐波去除设备，其配置为去除由所述RF电源引起的谐波。2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述匹配电路：当感测到由所述RF电源引起的所述谐波时，以第一模式操作；和当未感测到由所述RF电源引起的所述谐波时，以第二模式操作。3.根据权利要求2所述的装置，其中，通过切换连接到包括在所述匹配电路中的所述谐波去除设备的相对端的开关，来执行向所述第一模式或所述第二模式的转换。4.根据权利要求2所述的装置，其中，所述谐波去除设备包括：谐波去除线，其包括第一可变电容器，所述第一可变电容器配置为去除所述谐波；和旁路线，其与所述谐波去除线并联连接。5.根据权利要求4所述的装置，其中，所述谐波去除设备还包括：第一开关，其配置为在所述旁路线的一端与所述谐波去除线的一端之间进行切换；和第二开关，其配置为在所述旁路线的相对端与所述谐波去除线的相对端之间进行切换。6.根据权利要求5所述的装置，其中，通过选择性连接所述第一开关和所述第二开关，来执行向所述第一模式或所述第二模式的转换。7.根据权利要求1至6中任一项所述的装置，其中，所述匹配电路还包括：传感器，其配置为感测由所述RF电源引起的所述谐波。8.根据权利要求4所述的装置，其中，所述匹配电路通过调节包括在所述谐波去除设备中的所述第一可变电容器来去除所述谐波。9.一种用于处理基板的装置，所述装置包括：工艺腔室，在所述工艺腔室中具有处理空间；支承单元，其配置为在所述处理空间中支承所述基板；气体供应单元，其配置为将工艺气体供应至所述处理空间中；RF电源，其配置为供应RF信号以将所述工艺气体激发成等离子体；和匹配电路，其连接在所述RF电源与所述工艺腔室之间，其中，所述匹配电路包括：阻抗匹配设备，其配置为执行阻抗匹配；谐波去除设备，其配置为去除由所述RF电源引起的谐波；和阻抗控制器，其配置为去除由所述腔室中的所述等离子体的非线性引起的谐波。10.根据权利要求9所述的装置，其中，所述匹配电路：当...

【专利技术属性】
技术研发人员：金大炫，罗世源，朴宣柱，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：