一种半导体工艺腔室制造技术

本发明专利技术公开一种半导体工艺腔室，包括腔室、壳体、介质窗、线圈、热风罩和风道，壳体罩设在腔室上，介质窗位于壳体内并位于腔室的开口上，热风罩位于壳体内，线圈设于壳体内顶壁，风道与壳体固定，风道的通气端位于壳体外，风道的转接端位于壳体内，并与热风罩的风道口相连，本申请通过将热风罩与介质窗直接固定，并与内顶壁之间形成避让间隙，避免热风罩和壳体之间的相互挤压，进而避免壳体内顶壁应挤压变形造成线圈结构破坏，确保离子和自由基的分布均匀性。均匀性。均匀性。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体工艺腔室


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体工艺腔室。

技术介绍

[0002]刻蚀是用化学或物理方法有选择地从硅片等半导体表面去除不需要的材料的过程，是通过溶液、反应离子或其它机械方式来剥离、去除材料的一种统称。在集成电路制造领域，常使用半导体工艺腔室并通过反应离子来实现刻蚀。
[0003]但是目前的半导体工艺腔室，其内部设置的热风罩，是通过壳体顶壁的挤压而固定在介质窗上的，这样热风罩将对壳体产生反作用力，具体为热风罩顶推壳体顶壁使其发生形变，进而造成位于壳体顶壁上的线圈的分布结构改变，从而影响离子和自由基的分布均匀性。

技术实现思路

[0004]本专利技术公开一种用于半导体工艺腔室，以解决壳体对热风罩挤压固定的方式将破坏的线圈分布结构，并引起离子和自由基分布不均的问题。
[0005]为了解决上述问题，本专利技术采用下述技术方案：
[0006]一种用于半导体工艺腔室，包括：腔室，所述腔室上方设有开口；壳体，所述壳体罩设置于所述开口上；介质窗，所述介质窗设置于所述壳体内且本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体工艺腔室，其特征在于，包括：腔室(2)，所述腔室(2)上方设有开口；壳体(1)，所述壳体(1)罩设置于所述开口上；介质窗(9)，所述介质窗(9)设置于所述壳体(1)内且位于所述开口的上方；线圈(4)，所述线圈(4)环设于所述壳体(1)的内顶壁上；热风罩(8)，所述热风罩(8)位于所述壳体(1)内，且所述热风罩(8)固定罩设于所述介质窗(9)上，且所述热风罩(8)与所述壳体(1)的内顶壁之间具有避让间隙(O)；所述线圈(4)在所述介质窗(9)上的投影位于所述热风罩(8)的外侧；所述热风罩(8)的内壁和所述介质窗(9)的顶面围成加热腔(8C)；所述热风罩(8)上设有与所述加热腔(8C)连通的至少两个风道口(8A)，用于向所述加热腔(8C)通入和排出气体；风道(6)，所述风道(6)与所述壳体(1)固定连接，所述风道(6)包括通气端(61)和转接端(62)，所述通气端(61)位于所述壳体(1)的外用于通气，所述转接端(62)位于所述壳体(1)内，所述转接端(62)与所述风道口(8A)相连接，且所述转接端(62)和所述风道口(8A)一一对应设置。2.根据权利要求1所述的半导体工艺腔室，其特征在于：所述热风罩(8)的顶面设置凸台，所述风道口(8A)由所述凸台顶面贯通至所述加热腔(8C)，所述凸台的顶面和所述壳体(1)的内顶壁之间具有所述避让间隙(O)。3.根据权利要求1所述的半导体工艺腔室，其特征在于：所述热风罩(8)还包括连接部(8B)，所述连接部(8B)固定于所述热风罩(8)的外壁上，所述热风罩(8)通过所述连接部(8B)固设于所述介质窗(9)上。4.根据权利要求1所述的半导体工艺腔室，其特征在于：所述加热腔(8C)包括多个子加热腔(8C1)，且每个所述子加热腔(8C1)均与两个所述风道口(8A)连通，一个所述风道口(8A)为进气口用于进气，另一个所述风道口(8A)为排气口用于排气。5.根据权利要求4所述的半导体工艺腔室，其特征在于：所述加热腔(8C)包括多个同心设置的环腔和一个径向延伸的隔板(8E)，所述隔板(8E)将每个所述环腔对称分隔成两个所述子加热腔(8C1)，且所述进气口和所述排气口...

【专利技术属性】
技术研发人员：李岩，郭士选，茅兴飞，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：