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本发明公开一种半导体工艺腔室,包括腔室、壳体、介质窗、线圈、热风罩和风道,壳体罩设在腔室上,介质窗位于壳体内并位于腔室的开口上,热风罩位于壳体内,线圈设于壳体内顶壁,风道与壳体固定,风道的通气端位于壳体外,风道的转接端位于壳体内,并与热风罩...该专利属于北京北方华创微电子装备有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过北京北方华创微电子装备有限公司授权不得商用。
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本发明公开一种半导体工艺腔室,包括腔室、壳体、介质窗、线圈、热风罩和风道,壳体罩设在腔室上,介质窗位于壳体内并位于腔室的开口上,热风罩位于壳体内,线圈设于壳体内顶壁,风道与壳体固定,风道的通气端位于壳体外,风道的转接端位于壳体内,并与热风罩...