气体分布器及其加工方法技术

本公开提供一种蚀刻制程气体分布器及其加工方法。加工方法包括：对蚀刻机台中放置第一晶圆，所述蚀刻机台的等离子发生器的下方设置有气体分布器，所述气体分布器具有多个筛孔；控制所述蚀刻机台运行，使所述等离子发生器对所述气体分布器喷射等离子体氧，以在所述气体分布器的上下表面和筛孔内表面形成氧化层；在所述蚀刻机台中放置表面涂覆有光刻胶的第二晶圆；控制所述蚀刻机台运行，使所述等离子发生器喷射等离子体蚀刻气体蚀刻所述第二晶圆，以在所述气体分布器的氧化层上形成碳化层。本公开实施例可以提高第一次投入使用的气体分布器的蚀刻效果和蚀刻效率。体分布器的蚀刻效果和蚀刻效率。体分布器的蚀刻效果和蚀刻效率。

【技术实现步骤摘要】
气体分布器及其加工方法


[0001]本公开涉及半导体制造
，具体而言，涉及一种具有较高蚀刻效率的气体分布器及其加工方法。

技术介绍

[0002]在半导体制造过程中，通常使用等离子体来进行干法蚀刻工艺。蚀刻设备如图1A所示，气体分布器的俯视图或仰视图如图1B所示。在图1A中，等离子体发生器11通过带有筛孔的气体分布器12将等离子体均匀地施加在待蚀刻标的上，随着使用次数的增加，气体分布器12上残留的光刻胶聚合物(通过溅射形成)越来越多，难以清除，会导致筛孔堵塞。因此，在相关技术中需要定期更换新的气体分布器。
[0003]然而，由于气体分布器往往为铝材质，新气体分布器在使用时会大量捕获蚀刻气体中的等离子体自由基O*，使得蚀刻效率大为下降，蚀刻效果十分不理想。
[0004]需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

技术实现思路

[0005]本公开的目的在于提供一种蚀刻制程气体分布器及其加工方法，用于至少在一定程度上克服由于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种气体分布器的加工方法，其特征在于，包括：对蚀刻机台中放置第一晶圆，所述蚀刻机台的等离子发生器的下方设置有气体分布器，所述气体分布器具有多个筛孔；控制所述蚀刻机台运行，使所述等离子发生器对所述气体分布器喷射等离子体氧，以在所述气体分布器的上下表面和筛孔内表面形成氧化层；在所述蚀刻机台中放置表面涂覆有光刻胶的第二晶圆；控制所述蚀刻机台运行，使所述等离子发生器喷射等离子体蚀刻气体蚀刻所述第二晶圆，以在所述气体分布器的氧化层上形成碳化层。2.如权利要求1所述的加工方法，其特征在于，控制所述蚀刻机台运行，使所述等离子发生器对所述气体分布器喷射等离子体氧包括：在蚀刻机台中通入氧气，同时开启机台射频电流，以电离所述氧气形成等离子体氧，使等离子体氧在所述气体分布器的上表面、下表面和所述多个筛孔的内壁发生氧化反应，其中，所述氧化反应的反应温度为250-300℃，所述射频电流的电流功率为3500-4400W。3.如权利要求1所述的加工方法，其特征在于，所述控制所述蚀刻机台运行，使所述等离子发生器对所述气体分布器喷射等离子体氧包括：在所述蚀刻机台中运转到所述气体分布器正下方的第一晶圆的数量超过第一预设数量时，执行检测流程；在所述检测流程的检测结果不满足预设条件时，重新在所述蚀刻机台中放置所述第一晶圆并控制所述蚀刻机台运行，使所述等离子发生器对所述气体分布器喷射等离子体氧；每隔第二预设数量个第一晶圆执行一次所述检测流程，直至所述检测流程的检测结果满足所述预设条件。4.如权利要求3所述的加工方法，所述第一预设数量为3000，所述第二预设数量为1000。5.如权利要求1所述的加工方法，其特征在于，所述控制所述蚀刻机台运行，使所述等离子发生器对所述气体分布器喷射等离子体氧包括：在所述蚀刻机台中运转到所述气体分布器正下方的第一晶圆的数量超过第三预设数量时，控制所述蚀刻机台停止并放置所述第二晶圆。6.如权利要求5所述的加工方法，其特征在于，所述第三预设数量大于6000，小于8000。7.如权利要求1所述的加工方法，其特征在于，所述控制所述蚀刻机台运行，使所述等离子发生器喷射等离子体蚀刻气体蚀刻所述第二晶圆包括：通入所述等离子体蚀刻气体，以使所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘浩东，程兵，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：