【技术实现步骤摘要】
电源组件、等离子体浸没离子注入设备及其使用方法
[0001]本申请涉及半导体制造
，尤其涉及一种电源组件、等离子体浸没离子注入设备及其使用方法。
技术介绍
[0002]在半导体制造
中，等离子体浸没离子注入工艺是将晶圆浸没在等离子体中，并将等离子体中的离子作为掺杂物注入到晶圆中，以改变晶圆表面材料的特性。其中，离子具体是在偏置电压的作用下注入晶圆，而偏置电压需要通过高压直流脉冲电源来生成。
[0003]同时，等离子体浸没注入设备包括设置于腔室内的静电卡盘，静电卡盘用于对晶圆施加静电吸附作用而进行可靠固定。其中，静电卡盘的静电吸附作用需要通过静电吸附电源来产生。由于高压直流脉冲电源和静电吸附电源均是作为独立装置设置，二者的走线均较为复杂，这些线路会产生较强的寄生电容电感，寄生电感电容会导致高压直流脉冲电源输出的偏置电压不稳定，进而造成对工艺质量的负面影响。
技术实现思路
[0004]本申请公开一种电源组件、等离子体浸没离子注入设备及其使用方法，以解决相关技术中多电源结构布局会产生较强的寄生电...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种等离子体浸没离子注入设备的电源组件，其特征在于，所述电源组件包括壳体、第一电源、第二电源和输出接口，其中：所述第一电源和所述第二电源集成设置于所述壳体内，所述输出接口设置于所述壳体上；所述第一电源与所述输出接口连接，所述第二电源与所述输出接口连接；所述第一电源用于输出第一直流电压信号，所述第二电源用于输出脉冲电压信号，所述输出接口用于输出所述第一直流电压信号、所述脉冲电压信号或叠加信号，所述叠加信号由所述第一直流电压信号和所述脉冲电压信号叠加形成。2.根据权利要求1所述的电源组件，其特征在于，所述电源组件还包括控制模块，所述控制模块设置于所述壳体内，所述控制模块分别与所述第一电源和所述第二电源连接，所述控制模块用于控制所述第一电源输出的所述第一直流电压信号的参数和所述第二电源输出的所述脉冲电压信号的参数。3.根据权利要求1所述的电源组件，其特征在于，所述电源组件还包括滤波模块，所述滤波模块连接在所述第一电源与所述输出接口之间，所述滤波模块用于衰减通向所述第一电源的所述脉冲电压信号。4.根据权利要求1所述的电源组件，其特征在于，所述电源组件还包括隔直模块，所述隔直模块连接在所述第二电源与所述输出接口之间，所述隔直模块用于隔绝所述第一直流电压信号通向所述第二电源。5.根据权利要求1所述的电源组件，其特征在于，所述电源组件还包括三相整流模块，所述第一电源和所述第二电源均与所述三相整流模块连接，所述三相整流模块用于将外部输入的交流电整流为直流电并输送给所述第一电源和所述第二电源。6.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：王景远，韦刚，田丰，陈星，葛军，张郢，赵晋荣，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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