本发明提供一种半导体工艺设备及下电极腔室的温度控制方法，上述设备包括控制单元、吹扫单元和检测单元；其中，检测单元用于检测下电极腔室内部气体的当前温度和当前湿度；吹扫单元与下电极腔室内部连通，用于向下电极腔室中通入吹扫气体并调节吹扫气体的...

本发明提供一种半导体工艺腔室，包括腔体、上电极组件、基座和下电极组件，基座设置在腔体中，用于承载晶圆，上电极组件用于向腔体中的工艺气体提供射频信号，以激发腔体中的工艺气体形成等离子体，基座内部具有下电极，下电极组件连接在下电极与接地端之...

本发明提供一种静电托盘及基座，其中，静电托盘包括托盘本体、电压馈入部件、定位部件和多个吸附部件，定位部件设置在托盘本体上，并开设有多个定位通孔，多个定位通孔在定位部件上间隔设置，多个吸附部件一一对应设置于多个定位通孔中；每个吸附部件均包...

本发明实施例提供了一种温度控制方法和半导体工艺设备，应用于半导体装备技术领域，该方法包括：获取温度传感器当前时刻采集到的实际温度值，并获取预先存储的多个历史温度值，从多个历史温度值的温度波动范围内确定位于中间位置的中间温度值，并确定实际...

本发明实施例提供了一种用于半导体工艺设备的管路温度控制方法和半导体工艺设备，应用于半导体技术领域，该方法包括：在接收到加热启动指令的情况下，将加热器的整定模式配置为自动整定模式，在自动整定模式下，对加热器的控制参数进行自动调整，并通过调...

本发明提供一种工艺腔室，工艺腔室用于半导体工艺设备中，包括腔体、转接部件、加热部件和隔热部件，其中，腔体呈环状，转接部件呈环状，设置在腔体上，并与腔体之间密封，加热部件设置在转接部件上，并与转接部件之间密封，用于对处于腔体内的晶圆进行加...

本发明提供一种半导体设备的副产物收集装置及半导体设备，其中，半导体设备的副产物收集装置包括冷凝部件、连接管路、收集部件和疏通组件，冷凝部件与半导体设备的排气装置连通，用于对排气装置排放的气态副产物进行冷却，使气态副产物冷凝形成液态副产物...

本发明提供一种下电极组件、半导体加工设备及下电极防冷凝方法，其中，下电极组件用于设置在半导体加工设备的反应腔室中，下电极组件包括：基座，用于连接在反应腔室的内壁上；承载结构，用于承载晶圆，承载结构连接在基座上，并与基座共同围成电极内腔；...

本发明提供一种半导体工艺设备及其漏液检测装置，其中，漏液检测装置包括：接液部，用于承接漏液，接液部具有排液口；排液控制部，与排液口相配合，排液控制部能够封闭排液口以使接液部处于漏液容纳状态，并且能够开启排液口以使接液部处于漏液排放状态；...

一种卡盘及半导体设备，卡盘应用于半导体设备的工艺腔室，包括卡盘本体，卡盘本体包括用于承载晶圆的承载面，由承载面向内沿厚度方向设置有第一通道和导气通道，导气通道的进气口位于承载面承载晶圆的区域之外，第一通道的出气口位于承载面承载晶圆的区域...

本发明公开了一种实时调节通孔刻蚀形貌的刻蚀方法及半导体刻蚀设备，方法，包括：步骤1：基于预设的工艺配方对工艺腔室内的晶片进行通孔刻蚀工艺；步骤2：采集工艺腔室内反应气体等离子体辉光放电产生的OES光谱，实时获取OES光谱中特定元素发光波...

本发明公开了一种微机电系统器件的制造方法及微机电系统器件，制造方法包括：在晶圆的正面上的非刻蚀区域形成图形化的金属氧化物掩膜层；对晶圆正面上的待刻蚀区域进行干法刻蚀，在晶圆的正面形成具有孔道结构的微机电系统器件；通过湿法刻蚀去除金属氧化...

本发明公开一种碳化硅沟槽结构及其制造方法和半导体器件，其中碳化硅沟槽结构的制造方法包括：在碳化硅基片的表面形成第一掩膜层；在第一掩膜层上形成具有预设图案的光刻胶层；以光刻胶层为掩膜，对第一掩膜层进行第一刻蚀形成开口，开口暴露出碳化硅基片...

本申请实施例公开了一种半导体工艺设备中的加热装置及半导体工艺设备，用以解决现有半导体工艺设备中加热装置受设备环境的影响较大，导致温度补偿效果较差的问题。该加热装置包括多个加热器、多条功率线缆、功率分配器、供电电源以及控制器；功率分配器包...

本发明提供一种半导体腔室，半导体腔室包括腔体和设置在腔体中的第一遮挡件和可升降的基座组件，其中，第一遮挡件与腔体的内周壁固定连接，且沿腔体的内周壁的周向设置；基座组件包括基座本体、第二遮挡件和定位结构，基座本体与腔体同轴设置，用于承载晶...

本申请实施例提供了一种半导体工设备及其承载装置。该承载装置包括：基座、承载板及至少一组测温结构，每组测温结构均包括两个测温机构；其中，基座层叠设置于与承载板上方，用于承载晶圆；每个测温机构均包括测温组件及支撑组件，测温组件的顶端与基座连...

本发明公开了一种半导体工艺配方自动获取方法、系统及半导体工艺设备，方法包括：向已构建的深度神经网络模型中随机输入一组工艺参数；判断深度神经网络模型输出的各工艺结果评价指标与对应设定的工艺需求的相差程度是否符合设定要求；若是，则使用一组工...

本发明提供一种半导体工艺设备，包括：工艺腔室，具有工艺腔，工艺腔包括用于生成等离子体的发生腔和用于处理晶圆的加工腔；过滤结构及直流电源，过滤结构包括第一过滤部，第一过滤部设置在发生腔与加工腔之间，且具有用于连通发生腔和加工腔的多个第一通...

本申请公开了一种控制电路及半导体工艺设备，涉及半导体设备领域。一种控制电路包括主回路、检测回路和开关回路；主回路上设有开关件；开关回路和检测回路均与主回路连接，且接入点均位于开关件的上游，开关回路用于通过控制开关件闭合或打开以控制主回路...

本实用新型公开一种用于半导体工艺的工艺腔室，涉及半导体加工技术领域。该工艺腔室包括内衬、内衬接地件、真空螺钉、密封组件和腔体，内衬设置于腔体内，腔体设置有抽气端，抽气端用于抽取腔体内的气体，内衬接地件设置于内衬朝向抽气端的一侧；内衬设置...