半导体工艺设备及下电极腔室的温度控制方法技术

本发明专利技术提供一种半导体工艺设备及下电极腔室的温度控制方法，上述设备包括控制单元、吹扫单元和检测单元；其中，检测单元用于检测下电极腔室内部气体的当前温度和当前湿度；吹扫单元与下电极腔室内部连通，用于向下电极腔室中通入吹扫气体并调节吹扫气体的温度；控制单元用于根据基座的预设温度获取对应的目标露点温度，再根据目标露点温度和预设的与当前湿度对应的下电极腔室内部气体的温度和露点温度的对应关系，获取下电极腔室内部气体的目标温度；判断当前温度是否达到目标温度，若否，则控制吹扫单元调节吹扫气体的温度，直至当前温度达到目标温度，从而能够避免下电极腔室内部发生冷凝。部发生冷凝。部发生冷凝。

【技术实现步骤摘要】
半导体工艺设备及下电极腔室的温度控制方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造领域，具体地，涉及一种半导体工艺设备及下电极腔室的温度控制方法。

技术介绍

[0002]在等离子体工艺进行的过程中，晶圆通常被放置在下电极上，例如放置在内置有下电极的静电卡盘(Electro Static Chuck，简称ESC)上，以进行等离子体刻蚀或沉积等工艺。而由于工艺中的等离子体往往具有极高的化学活性和较高的温度，因此需要利用下电极或静电卡盘对晶圆进行冷却，以保证晶圆的温度不会过高。
[0003]现有技术方案中，工艺设备中通常设置有冷却管道，以利用冷却管道中持续流动的冷却液调节下电极的温度，进而调节晶圆的温度。当冷却管路外壁与气体中的水蒸气接触时会产生冷凝水，而由于冷却管道需要从下电极下方引出，冷却管路的下电极底部接口处以及冷却管路靠近下电极的部分都会设置在腔室内部，因此冷凝水可以会与下电极发生接触，而影响下电极的性能，进而影响工艺效果。

技术实现思路

[0004]本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种半导体工艺本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体工艺设备，包括工艺腔室、设置在所述工艺腔室中的基座、下电极腔室和调温单元，所述调温单元用于通过调温管路向所述基座中输送调温介质以调节所述基座的温度，所述调温管路部分位于所述下电极腔室中；其特征在于，还包括控制单元、吹扫单元和检测单元；其中，所述检测单元用于检测所述下电极腔室内部气体的当前温度和当前湿度，并发送至所述控制单元；所述吹扫单元与所述下电极腔室内部连通，用于向所述下电极腔室中通入吹扫气体并调节所述吹扫气体的温度；所述控制单元用于根据所述基座的预设温度获取对应的目标露点温度，再根据所述目标露点温度和预设的与所述当前湿度对应的所述下电极腔室内部气体的温度和露点温度的对应关系，获取所述下电极腔室内部气体的目标温度；判断所述当前温度是否达到所述目标温度，若否，则控制所述吹扫单元调节吹扫气体的温度，直至所述当前温度达到所述目标温度。2.根据权利要求1所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述控制单元还用于在所述半导体工艺设备初始化时，根据所述检测单元检测到的当前湿度，判断所述下电极腔室内部气体是否处于预设的校准湿度范围内，若是，则控制吹扫单元调节吹扫气体的温度，以使所述下电极腔室内部气体温度达到多个不同的预设校准温度；所述检测单元还用于在所述下电极腔室内部气体处于多个所述预设校准温度时，检测与每个所述预设校准温度一一对应的露点温度；所述控制单元还用于根据多个所述预设校准温度和对应的多个所述露点温度拟合出与所述当前湿度对应的所述下电极腔室内部气体的温度和露点温度的对应关系。3.根据权利要求2所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述检测单元包括设置在所述下电极腔室中的测温模块、测湿模块和露点检测模块；其中，所述测温模块用于实时检测所述下电极腔室内部气体的温度；所述测湿模块用于实时检测所述下电极腔室内部气体的湿度；所述露点检测模块用于实时检测所述下电极腔室内部气体的露点温度。4.根据权利要求1所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述吹扫单元包括出气装置和吹扫管路；其中，所述出气装置与所述下电极腔室连...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨雄，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：