半导体工艺设备制造技术

本发明专利技术提供一种半导体工艺设备，包括：工艺腔室，具有工艺腔，工艺腔包括用于生成等离子体的发生腔和用于处理晶圆的加工腔；过滤结构及直流电源，过滤结构包括第一过滤部，第一过滤部设置在发生腔与加工腔之间，且具有用于连通发生腔和加工腔的多个第一通孔，第一过滤部由导电材料制成，直流电源与第一过滤部电连接，且通过直流电源向第一过滤部上施加负电压，当等离子体经过第一过滤部时，通过多个第一通孔对等离子体进行过滤，且在负电压的作用下等离子体中的至少部分离子发生复合，以降低过滤后进入加工腔的等离子体中的离子数目。上述发明专利技术能够在降低进入加工腔的离子数目的同时尽量减少对进入加工腔的自由基数目的影响。时尽量减少对进入加工腔的自由基数目的影响。时尽量减少对进入加工腔的自由基数目的影响。

【技术实现步骤摘要】
半导体工艺设备


[0001]本专利技术涉及半导体工艺
，具体地，涉及一种半导体工艺设备。

技术介绍

[0002]在半导体工艺流程中，对晶圆进行镀膜工艺之前，一般需要先进行预清洗处理，以去除晶圆表面的杂质(例如氧化物、有机物等)，增加晶圆表面洁净度或对晶圆表面进行分子级活化，从而提高后续镀膜工艺(例如物理气相沉积工艺)沉积薄膜的附着力，提高工艺的可靠性和产品良率。
[0003]预清洗处理的基本原理是通过等离子体中的离子对晶圆表面进行轰击和/或通过等离子体中的自由基与晶圆表面发生反应，从而实现杂质的去除。工艺气体(例如氩气、氢气、氦气等)在预清洗腔室内被激发成等离子体。由于等离子体中离子和电子的可移动性差异，在等离子体与晶圆表面之间会形成鞘层，带正电的离子进入鞘层后被电场加速以轰击晶圆。
[0004]在28nm及以下先进制程工艺技术中，往往采用超低介电常数材料作为制作介质层的材料。超低介电常数材料通常具有多孔结构，结构疏松且柔软。当采用现有预清洗工艺时，由于离子轰击容易对超低介电常数材料造成损伤，对材料的成分、晶圆表面形貌及器本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括：工艺腔室，具有工艺腔，所述工艺腔包括用于生成等离子体的发生腔和用于处理晶圆的加工腔；过滤结构及直流电源，所述过滤结构包括第一过滤部，所述第一过滤部设置在所述发生腔与所述加工腔之间，且具有用于连通所述发生腔和所述加工腔的多个第一通孔，所述第一过滤部由导电材料制成，所述直流电源与所述第一过滤部电连接，且通过所述直流电源向所述第一过滤部上施加负电压，当所述等离子体经过所述第一过滤部时，通过多个所述第一通孔对所述等离子体进行过滤，且在所述负电压的作用下所述等离子体中的至少部分离子发生复合，以降低过滤后进入所述加工腔的所述等离子体中的离子数目。2.根据权利要求1所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述过滤结构还包括：第一延伸部，沿所述工艺腔的轴向延伸且沿所述工艺腔的周向环绕一周，所述第一延伸部由导电材料制成，所述第一延伸部与所述工艺腔的周向腔壁接触贴合以接地；第一绝缘部，所述第一过滤部通过所述第一绝缘部与所述第一延伸部连接固定，且所述第一绝缘部设置在所述第一过滤部朝向所述第一延伸部的一侧，用于对所述第一过滤部与所述第一延伸部之间以及所述第一过滤部与所述工艺腔的周向腔壁之间进行电隔离。3.根据权利要求1所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述过滤结构还包括：第二延伸部，沿所述工艺腔的轴向延伸且沿所述工艺腔的周向环绕一周，所述第二延伸部由导电材料制成，所述第一过滤部与所述第二延伸部一体连接；第二绝缘部，设置在所述第二延伸部朝向所述工艺腔的周向腔壁的一侧，用于对所述第一过滤部与所述工艺腔的周向腔壁之间以及所述第二延伸部与所述工艺腔的周向腔壁之间进行电隔离。4.根据权利要求1所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述过滤结构还包括第二过滤部，所述第二过滤部设置在所述发生腔与所述加工腔之间，且所述第一过滤部位于所述第二过滤部与所述晶圆之间，所述第二过滤部具有用于连通所述发生腔和所述加工腔的多个第二通孔，所述第二过滤部由导电材料制成并接地，当所述等离子体经过所述第二过滤部时，通过多个所述第二通孔对所述等离子体进行一次过滤，且通过所述第二过滤部接地使所述等离子体中部分离子发生复合，过滤后的所述等离子体再经过所述第一过滤部进行二次过滤。5.根据权利要求4所述的半导体工艺设备，其特征在于，多个所述第一通孔与多个所述第二通孔在所述工艺腔的轴向上一一对应，相对应的所述第一通孔与所述第二通孔同心设置，且所述第一通孔的孔径大于等于所述第二通孔的孔径。6.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏延宝，苏振宁，朱旭，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：