本发明公开一种过滤装置和半导体工艺设备，涉及半导体制造技术领域。该过滤装置包括壳体和过滤组件，壳体具有第一容纳腔、第二容纳腔、第一进气口和第一排气口。过滤组件设置于第一容纳腔内。过滤组件与壳体之间形成第一气流通道。第一进气口与第一气流通...

本申请公开一种半导体清洗设备，其包括腔体、至少两个清洗槽、隔离组件和驱动机构，其中：所述腔体具有内腔，所述至少两个清洗槽和所述隔离组件均设置于所述内腔中；所述隔离组件设置于相邻的两个所述清洗槽之间，所述驱动机构用于驱动所述隔离组件在相邻...

本发明提供一种加热灯安装结构及半导体腔室，其中，加热灯安装结构用于将加热灯安装于半导体腔室的腔体上，加热灯安装结构包括固定环、灯座和与灯座对应设置的调节组件，固定环用于固定设置在半导体腔室的腔体上，固定环开设有安装槽，灯座容置于安装槽中...

本发明公开一种工艺腔室、半导体工艺设备及维护方法，所述工艺腔室包括腔室本体以及设置于所述腔室本体内的基座和设置在所述腔室本体顶部的介质窗，所述工艺腔室还包括压环、清洗盘和进液管路，清洗维护时所述基座用于承载所述清洗盘，所述清洗盘开设有沿...

本申请公开一种磁控管装置和半导体工艺设备，磁控管装置包括旋转座、驱动轴、换位转轴、曲柄、连杆、摇杆、安装座、磁控管、第一限位件和第二限位件，在驱动轴沿第一方向转动，且驱动摇杆限位于第一限位件的情况下，驱动轴驱动旋转座沿第一方向转动，且磁...

本发明公开一种半导体腔室，包括腔室本体(100)、承载台(200)、支撑柱(300)，所述腔室本体(100)的底板中心开设有抽气通道(110)；所述承载台(200)设置于所述腔室本体(100)内，所述承载台(200)的中心轴线和所述抽气...

本发明公开一种半导体热处理设备，涉及半导体制造技术领域。该半导体热处理设备，包括炉体、供气管汇、进气管和混合腔，混合腔围绕炉体。供气管汇与混合腔连通，且供气管汇用于向混合腔内注入工艺气体。进气管用于连接炉体和混合腔，且混合腔内的工艺气体...

本申请公开一种立式热处理设备，包括壳体、工艺腔体、连接装置和工艺门，其中：壳体包括承载板和内腔，沿壳体的高度方向，承载板将内腔由上至下分隔为加热腔室和微环境腔室，加热腔室与微环境腔室连通；工艺门用于在装配工艺腔体时将工艺腔体部分送入加热...

本发明公开一种半导体工艺设备的上电极组件及半导体工艺设备，上电极组件设置于所述半导体工艺设备的工艺腔室上，所述上电极组件包括外壳，工艺腔室的介质窗位于所述外壳的底部，所述上电极组件还包括均流件；所述均流件设置于所述外壳的内腔中，所述均流...

本申请公开了一种紫外固化系统及其控制方法，紫外固化系统包括驱动机构、第一光源、第二光源、位置检测组件和控制装置；其中，驱动机构用于驱动第一光源和第二光源以至少一个单次旋转周期旋转；位置检测组件用于在第一光源和第二光源的一个单次旋转周期内...

本发明公开一种半导体工艺设备的卡盘组件和半导体工艺设备，涉及半导体制造技术领域。该半导体工艺设备的卡盘组件包括温控层和支撑层，支撑层与温控层叠置，温控层包括多个温控单元，多个温控单元均与支撑层接触，用于一一对应地调节支撑层的相对的子区域...

本申请公开了一种晶圆在边缘刻蚀腔室中定位的定位方法，涉及半导体工艺领域。所述定位方法包括：将边缘刻蚀腔室中初始的机械中心点的位置参数输入传输装置，控制传输装置根据位置参数将晶圆传输至边缘刻蚀腔室中；对晶圆进行边缘刻蚀工艺；在晶圆的边缘区...

本申请公开一种半导体工艺炉，其包括炉管和送气组件，所述送气组件包括：进气管、多个送气管和多个环状匀流件，所述进气管一端设有进气口，多个所述送气管的一端均与所述进气管的另一端连通，各所述送气管的另一端均设有送气口，多个所述送气口沿所述炉管...

本申请公开一种半导体工艺设备及其基座提升机构，所公开的基座提升机构包括基座支撑轴、抱紧装置、提升装置和电气盒，其中：所述抱紧装置包括第一抱紧组件，所述第一抱紧组件包括第一抱紧块和第二抱紧块，所述电气盒与所述第一抱紧块相连，所述提升装置与...

本发明公开一种源瓶组件及其温度控制方法、半导体工艺设备，源瓶组件包括第一阀门组、第二阀门组、第一加热器、第二加热器和温度控制组件；第一阀门组位于第二阀门组和第一加热器之间，第一加热器用于对第一阀门组和第二阀门组加热，第二加热器靠近第二阀...

本发明公开一种晶圆清洗设备的卡盘组件及晶圆清洗设备，卡盘组件包括顶升机构、卡盘基体、卡盘环和驱动器，卡盘基体用于承载晶圆，顶升机构用于带动承载于卡盘基体上的晶圆升降，卡盘环固定设置于卡盘基体的下方，驱动器用于驱动卡盘基体相对于卡盘环转动...

本发明公开一种半导体工艺设备及其工艺腔室，所公开的工艺腔室，包括腔室本体、加热基座、顶针、顶针支撑件和调节件，其中：顶针支撑件设于腔室本体的底壁与加热基座之间；加热基座开设有避让孔，调节件连接于顶针支撑件与腔室本体之间，且用于调节顶针支...

本发明公开一种半导体工艺设备及其气体分配装置，涉及半导体加工设备技术领域。半导体工艺设备包括腔体和设置在腔体中的基座。该气体分配装置包括气体分配板，气体分配板设置于腔体中，且与基座相对设置。气体分配板开设有多个气体分配孔，多个气体分配孔...

本发明提供一种半导体工艺设备，包括工艺腔室和抽气组件，工艺腔室包括腔室本体和设置在腔室本体内的承载装置，承载装置包括承载盘和基座组件；承载盘固定在基座组件上，用于承载晶圆；承载盘设置有气孔和多个容纳顶针的顶针通道，气孔用于向晶圆和承载盘...

本申请公开一种半导体工艺设备及其控压管路结构，所述控压管路结构包括排气管路和供气管路，其中：所述排气管路的一端与所述半导体工艺设备的排气通道连接，所述排气管路的另一端与厂务排气端连接，所述排气管路用于排出所述半导体工艺设备中的工艺气体；...