半导体热处理设备制造技术

本发明专利技术公开一种半导体热处理设备，涉及半导体制造技术领域。该半导体热处理设备，包括炉体、供气管汇、进气管和混合腔，混合腔围绕炉体。供气管汇与混合腔连通，且供气管汇用于向混合腔内注入工艺气体。进气管用于连接炉体和混合腔，且混合腔内的工艺气体可通过进气管由混合腔进入炉体内。该方案能解决晶圆表面薄膜均匀性差的问题。均匀性差的问题。均匀性差的问题。

【技术实现步骤摘要】
半导体热处理设备


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种半导体热处理设备。

技术介绍

[0002]随着半导体制造业的快速发展，器件的特征尺寸不断缩小，芯片的集成度越来越高，对工艺指标的要求越来越严格。在半导体制造工艺中，扩散炉用来进行薄膜制备、合金化和退火等工艺。工艺过程中，温度和工艺气体混合的均匀性均会影响半导体制备工艺中膜厚的均匀性。
[0003]相关技术中，工艺气体在进入扩散炉反应腔室前不能够得到充分混合，导致工艺气体混合的均匀性差。并且，扩散炉反应腔室的局部温度较低，进而导致半导体表面薄膜的均匀性差。

技术实现思路

[0004]本专利技术公开一种半导体热处理设备，以解决相关技术中半导体热处理设备制造的半导体的表面薄膜均匀性差的问题。
[0005]为了解决上述问题，本专利技术采用下述技术方案：
[0006]本申请所述的半导体热处理设备，包括炉体、供气管汇、进气管和混合腔，混合腔围绕炉体设置；
[0007]供气管汇与混合腔连通，且供气管汇用于向混合腔内注入工艺气体；
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体热处理设备，其特征在于，包括炉体(100)、供气管汇(200)、进气管(300)和混合腔(400)，所述混合腔(400)围绕所述炉体(100)设置；所述供气管汇(200)与所述混合腔(400)连通，且所述供气管汇(200)用于向所述混合腔(400)内注入工艺气体；所述进气管(300)用于连接所述炉体(100)和所述混合腔(400)，且所述混合腔(400)内的工艺气体可通过所述进气管(300)由所述混合腔(400)进入所述炉体(100)内。2.根据权利要求1所述的半导体热处理设备，其特征在于，所述炉体(100)包括第一炉体段(110)和第二炉体段(120)，所述第一炉体段(110)具有工艺腔(111)，所述工艺腔(111)用于容纳所述半导体热处理设备的晶舟(1000)，所述工艺腔(111)与所述进气管(300)连通，所述工艺气体从所述混合腔(400)经过所述进气管(300)进入所述工艺腔(111)；所述第二炉体段(120)具有保温腔(121)，所述保温腔(121)与所述工艺腔(111)连通，所述保温腔(121)用于与容纳所述半导体热处理设备的保温桶，所述晶舟(1000)与所述保温桶连接。3.根据权利要求2所述的半导体热处理设备，其特征在于，所述半导体热处理设备还包括加热装置，所述加热装置用于对所述第一炉体段(110)和所述第二炉体段(120)进行加热。4.根据权利要求3所述的半导体热处理设备，其特征在于，所述混合腔(400)围绕所述第二炉体段(120)设置。5.根据权利要求4所述的半导体热处理设备，其特征在于，所述半导体热处理设备还包括第一壳体(500)...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙妍，刘科学，吴艳华，位思梦，李元志，郭信鸽，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：