过滤装置和半导体工艺设备制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种过滤装置和半导体工艺设备，涉及半导体制造技术领域。该过滤装置包括壳体和过滤组件，壳体具有第一容纳腔、第二容纳腔、第一进气口和第一排气口。过滤组件设置于第一容纳腔内。过滤组件与壳体之间形成第一气流通道。第一进气口与第一气流通道连通且用于通入半导体设备的尾气。第一气流通道通过过滤组件与第一排气口连通。第二容纳腔围绕第一容纳腔设置，且第二容纳腔用于容纳冷却液。该过滤装置能解决半导体制造工艺过程中产生的尾气容易在排放过程中沉积，影响排气效率的问题。题。题。

【技术实现步骤摘要】
过滤装置和半导体工艺设备


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种过滤装置和半导体工艺设备。

技术介绍

[0002]SiC(碳化硅)单晶具有高导热率、高击穿电压、载流子迁移率极高、化学稳定性很高等优良的半导体物理性质，在国防、高科技、工业生产、供电、变电领域有巨大的应用价值。
[0003]在SiC晶体生长过程需要在大约2400℃高温下进行。并且，在SiC晶体生长过程中会发生一系列复杂的化学反应，产生含有多种杂质成分的尾气。
[0004]相关技术中，处理SiC晶体生长工艺过程中产生的尾气，需要先将产生的尾气输送至过滤装置内，以通过过滤装置过滤尾气内的杂质。但是，在尾气容易在排气通道的内壁和/或滤芯上沉积，并且随着沉积物的增加，会导致排气通道减小，滤芯通流性能降低，影响的排气效率。

技术实现思路

[0005]本专利技术公开一种过滤装置和半导体工艺设备，以解决半导体制造工艺过程中产生的尾气容易在排放过程中沉积，影响排气效率的问题。
[0006]为了解决上述问题，本专利技术采用下述技术方案：
[0007]本专利技术所述的过滤装置包括壳体和过滤组件，壳体具有第一容纳腔、第二容纳腔、第一进气口和第一排气口，
[0008]过滤组件设置于第一容纳腔内，过滤组件与壳体之间形成第一气流通道，第一进气口与第一气流通道连通且用于通入半导体设备的尾气，第一气流通道通过过滤组件与第一排气口连通；
[0009]第二容纳腔围绕第一容纳腔设置，且第二容纳腔用于容纳冷却液。
[0010]基于本专利技术所述的过滤装置，本申请提供了一种半导体工艺设备。该半导体工艺设备包括工艺腔室、真空单元和本申请所述的过滤装置，工艺腔室用于半导体材料的生长，工艺腔室设置有第三排气口，第三排气口与所述第一进气口相连。真空单元设置有第三进气口，第三进气口与第一排气口，且真空单元用于将工艺腔室和/或过滤装置内的气体抽出。
[0011]本专利技术采用的技术方案能够达到以下有益效果：
[0012]本专利技术实施例公开的过滤装置中，壳体具有第二容纳腔，进而可以通过向第二容纳腔内注入冷却液以用于过滤装置降温。过滤组件设置第一容纳腔，且过滤组件与壳体之间形成第一气流通道。第二容纳腔围绕第一容纳腔，即第二容纳腔围绕第一气流通道，进而使第二容纳腔内的冷却液不仅可以用于壳体降温，还可以用于降低第一气流通道内的气体的温度。该过滤装置通过对壳体和半导体制造过程中产生的尾气降温，可以避免尾气在过滤装置内沉积，进而可以解决半导体制造工艺过程中产生的尾气在排放过程中容易沉积，
影响排气效率的问题。
附图说明
[0013]此处所说明的附图用来提供对本专利技术的进一步理解，构成本专利技术的一部分，本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中：
[0014]图1为本专利技术第一种实施例公开的过滤装置的剖面图；
[0015]图2为本专利技术一种实施例公开的过滤装置内气流轨迹的示意图；
[0016]图3为本专利技术第二种实施例公开的过滤装置的剖面图；
[0017]图4为本专利技术一种实施例公开的过滤装置的壳体的示意图；
[0018]图5为图1中的局部放大图；
[0019]图6为本专利技术第一种实施例公开的安装座的示意图；
[0020]图7为本专利技术第一种实施例公开的安装座的剖面图。
[0021]图中：100
‑
壳体；110
‑
第一容纳腔；111
‑
第一气流通道；112
‑
缓冲腔；120
‑
第二容纳腔；130
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第一进气口；140
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第一排气口；150
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进液口；160
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出液口；170
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外层壳体；180
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内层壳体；181
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密封槽；190
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端盖；200
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过滤组件；210
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第二进气口；220
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第二排气口；230
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缓冲槽；240
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安装座；241
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定位槽；242
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支撑部；243
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唇边部；250
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导流罩；260
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滤芯；270
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第三容纳腔；271
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第二气流通道；280
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隔热罩；281
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隔热腔；290
‑
隔热棉。
具体实施方式
[0022]为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术具体实施例及相应的附图对本专利技术技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0023]以下结合图1至图7，详细说明本专利技术各个实施例公开的技术方案。
[0024]参照图1至图3，本申请所述的过滤装置，包括壳体100和过滤组件200。示例性地，壳体100为基础结构件，可以为过滤组件200提供安装基础和安装空间。过滤组件200用于过滤气体中的杂质。
[0025]参照图1，壳体100具有第一容纳腔110、第二容纳腔120、第一进气口130和第一排气口140。过滤组件200设置于第一容纳腔110内，过滤组件200与壳体100之间形成第一气流通道111。第一进气口130与第一气流通道111连通，且用于通入半导体设备的尾气。进一步地，第一气流通道111通过过滤组件200与第一排气口140连通。在对半导体设备的尾气进行过滤的过程中，半导体设备的尾气从第一进气口130进入第一气流通道111内。第一气流通道111内的气体可以穿过过滤组件200并从第一排气口140排出，进而达到过滤尾气中的杂质的目的。
[0026]第二容纳腔120围绕第一容纳腔110设置，且第二容纳腔120用于容纳冷却液。位于第二容纳腔120内的冷却液可与壳体100和位于第一气流通道111内的气体进行热交换，进而可以降低第一气流通道111内的气体的温度。需要说明的是，过滤组件200位于第一容纳腔110内，且过滤组件200与壳体100之间形成第一气流通道111，即第一气流通道111为第一容纳腔110的一部分。第二容纳腔120围绕第一容纳腔110设置，即第二容纳腔120内的冷却
液可以对形成第一气流通道111的壳体100进行降温，进而可以进一步对位于第一气流通道111内的气体进行降温。
[0027]一种可选的实施例中，本申请所述的过滤装置用于过滤半导体制造工艺过程中产生的尾气中的杂质。半导体制造工艺过程需要在高温环境下完成，进而产生的尾气温度较高。示例性地，半导体可以为SiC单晶材料。SiC晶体生长工本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体设备的尾气过滤装置，其特征在于，包括壳体(100)和过滤组件(200)，所述壳体(100)具有第一容纳腔(110)、第二容纳腔(120)、第一进气口(130)和第一排气口(140)，所述过滤组件(200)设置于所述第一容纳腔(110)内，所述过滤组件(200)与所述壳体(100)之间形成第一气流通道(111)，所述第一进气口(130)与所述第一气流通道(111)连通且用于通入所述半导体设备的尾气，所述第一气流通道(111)通过所述过滤组件(200)与所述第一排气口(140)连通；所述第二容纳腔(120)围绕所述第一容纳腔(110)设置，且所述第二容纳腔(120)用于容纳冷却液。2.根据权利要求1所述的尾气过滤装置，其特征在于，所述壳体(100)包括外层壳体(170)、内层壳体(180)和端盖(190)，所述外层壳体(170)套设于所述内层壳体(180)，且所述外层壳体(170)与所述内层壳体(180)围合形成所述第二容纳腔(120)，所述外层壳体(170)具有进液口(150)和出液口(160)，所述进液口(150)和所述出液口(160)均与所述第二容纳腔(120)连通；所述端盖(190)与所述外层壳体(170)以及所述内层壳体(180)中的至少一者可拆卸相连，且所述端盖(190)与所述内层壳体(180)围合形成所述第一容纳腔(110)，所述内层壳体(180)远离所述端盖(190)的一端开设有所述第一进气口(130)，所述端盖(190)开设有所述第一排气口(140)；所述过滤组件(200)与所述端盖(190)相连。3.根据权利要求2所述的过滤装置，其特征在于，所述过滤组件(200)具有第三容纳腔(270)、第二进气口(210)和第二排气口(220)，所述第三容纳腔(270)通过所述第二进气口(210)与所述第一气流通道(111)远离所述第一进气口(130)的一端连通；所述第三容纳腔(270)通过所述第二排气口(220)与所述第一排气口(140)连通。4.根据权利要求3所述的过滤装置，其特征在于，所述过滤组件(200)靠近所述第一进气口(130)的一侧与所述壳体(100)之间形成缓冲腔(112)，所述缓冲腔(112)与所述第一气流通道(111)靠近所述第一进气口(130)的一端连通；所述过滤组件(200)靠近所述第一排气口(140)的一端设置有缓冲槽(230)，所述缓冲槽(230)与所述第一排气口(140)相对，且所述缓冲槽(230)的侧壁沿远离所述缓冲槽(230)中心的方向向上倾斜设置。5.根据权利要求3或4所述的过滤装置，其特征在于，所述过滤组件(200)包括安装座(240)、导流罩(250)和滤芯(260)，所述安装座(240)与所...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯祥雷，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：