工艺腔室、半导体工艺设备及维护方法技术

本发明专利技术公开一种工艺腔室、半导体工艺设备及维护方法，所述工艺腔室包括腔室本体以及设置于所述腔室本体内的基座和设置在所述腔室本体顶部的介质窗，所述工艺腔室还包括压环、清洗盘和进液管路，清洗维护时所述基座用于承载所述清洗盘，所述清洗盘开设有沿其厚度方向贯穿的多个喷淋孔，所述压环用于将所述清洗盘固定于所述基座，所述清洗盘与所述基座之间具有间隙，所述间隙与所述进液管路和所述喷淋孔相连通，所述进液管路用于通入清洗液，所述清洗液能够通过多个所述喷淋孔喷洒覆盖至少部分所述介质窗。上述方案能够解决半导体工艺设备的维护时间较长的问题。备的维护时间较长的问题。备的维护时间较长的问题。

【技术实现步骤摘要】
工艺腔室、半导体工艺设备及维护方法


[0001]本专利技术涉及半导体工艺设备维护
，尤其涉及一种工艺腔室、半导体工艺设备及维护方法。

技术介绍

[0002]随着科技的快速发展，智能手机、平板电脑等电子产品已经成为现代人生活中不可或缺的产品。这些电子产品内部包括有许多半导体芯片，半导体芯片通常采用刻蚀机等半导体工艺设备进行加工。
[0003]半导体工艺设备经过反应后，工艺腔室的反应腔内会沉积后大量的反应副产物，其中附着在介质窗上的副产物最多，随着刻蚀时间的增加，副产物在积累一定的厚度之后，会自然脱落，将出现晶圆颗粒缺陷增加，导致晶圆良品率降低。因此需要定期对工艺腔室进行周期性保养维护。
[0004]相关技术中，工艺腔室在维护的过程中，首先通入反应气体，反应气体在工艺腔室内进行电离，从而产生等离子体，等离子体与反应腔内的有毒气进行反应，再通入氮气吹扫反应腔，再然后开腔对工艺腔室的各零部件进行水洗擦拭。此过程中，等离子体处理有毒气和氮气吹扫腔室需要花费较长的时间，因此造成半导体工艺设备的维护时间较长。

技术实现思路

[0005]本专利技术公开一种工艺腔室、半导体工艺设备及维护方法，以解决半导体工艺设备的维护时间较长的问题。
[0006]为了解决上述问题，本专利技术采用下述技术方案：
[0007]一种工艺腔室，应用于半导体工艺设备，所述工艺腔室包括腔室本体以及设置于所述腔室本体内的基座和设置在所述腔室本体顶部的介质窗，所述工艺腔室还包括压环、清洗盘和进液管路，清洗维护时所述基座用于承载所述清洗盘，所述清洗盘开设有沿其厚度方向贯穿的多个喷淋孔，所述压环用于将所述清洗盘固定于所述基座，所述清洗盘与所述基座之间具有间隙，所述间隙与所述进液管路和所述喷淋孔相连通，所述进液管路用于通入清洗液，所述清洗液能够通过多个所述喷淋孔喷洒覆盖至少部分所述介质窗。
[0008]一种维护方法，应用于上述的工艺腔室，所述维护方法包括：
[0009]将清洗盘传入腔室本体内的基座上；
[0010]降下压环，压紧所述清洗盘；
[0011]所述腔室本体内充入气体，以使所述腔室本体内的气压与腔室本体外部的大气压相同；
[0012]进液管路通入预设压力的清洗液，以对至少部分介质窗进行清洗。
[0013]一种半导体工艺设备，包括上述的工艺腔室
[0014]本专利技术采用的技术方案能够达到以下有益效果：
[0015]本专利技术公开的工艺腔室中，工艺腔室进行维护时，在托盘传出腔室本体的情况下，
可以将清洗盘传入腔室本体，并承载在基座上，此时基座和清洗盘之间具有间隙，间隙与清洗盘相连通。进液管路通入清洗液，清洗液进入间隙内，并通过喷淋孔喷淋至介质窗上，从而对介质窗进行冲洗。此方案中，工艺腔室无需开腔就能对介质窗进行清洗，因此能够省去等离子体处理有毒气和氮气吹扫腔室等步骤，从而能够压缩半导体工艺设备的维护时长，进而使得半导体工艺设备的维护时间较短。
附图说明
[0016]此处所说明的附图用来提供对本专利技术的进一步理解，构成本专利技术的一部分，本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中：
[0017]图1为本专利技术实施例公开的工艺腔室的结构示意图；
[0018]图2为本专利技术实施例公开的工艺腔室的清洗盘的俯视图；
[0019]图3为本专利技术实施例公开的工艺腔室的清洗盘的剖视图；
[0020]图4为本专利技术实施例公开的维护方法的流程图。
[0021]附图标记说明：
[0022]100
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腔室本体、200
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基座、210
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连接通道、300
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压环、400
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清洗盘、410
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喷淋孔、420
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环形豁口、510
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进液管路、511
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第一阀门、520
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排液管路、521
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第二阀门、600
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间隙、710
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第一进气管路、711
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第三阀门、720
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抽气管路、721
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第四阀门、730
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第二进气管路、731
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第五阀门、800
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密封圈、900
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介质窗。
具体实施方式
[0023]为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术具体实施例及相应的附图对本专利技术技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0024]以下结合附图，详细说明本专利技术各个实施例公开的技术方案。
[0025]相关技术中，工艺腔室在维护的过程中，需要先将反应腔内的有毒气体进行处理，此步骤称之为干洗，就是通过等离子对有毒气体进行反应。然后再通入氮气吹扫一段时间，将反应腔内的残余的有毒气体吹出。然后再对工艺腔室进行开腔，将附着在腔室本体的侧壁、介质窗、内衬等部件上的反应副产物采用无尘布蘸去离子水进行擦拭，清洗完成后工艺腔室进行合腔。
[0026]上述过程中，处理有毒气和氮气吹扫需要花费较长的时间，因此造成半导体工艺设备的维护时间较长。另外，等离子体处理有毒气和氮气吹扫只能去除部分毒气，附着在零部件上的反应副产物无法去除，反应副产物也对人体具有较大的伤害。此外，无尘布蘸水擦拭反应副产物时，极易引起无尘布起火，造成重大的安全事故。
[0027]如图1至图3所示，本专利技术实施例公开一种工艺腔室，该工艺腔室应用于半导体工艺设备。所公开的工艺设备包括腔室本体100、基座200、介质窗900、压环300、清洗盘400和进液管路510。
[0028]腔室本体100为工艺腔室的其他组成部件提供安装空间。腔室本体100具有内腔，也就是反应腔，晶圆在腔室本体100的内腔中进行刻蚀等工艺。
[0029]基座200和压环300设置于腔室本体100内，介质窗900设置在腔室本体100的底部。当工艺腔室需要维护时，将清洗盘400传入腔室本体100内，基座200用于承载清洗盘400。清洗盘400开设有沿其厚度方向贯穿的多个喷淋孔410。压环300用于将清洗盘400固定于基座200上，以防止清洗盘400发生滑动。
[0030]清洗盘400与基座200之间具有间隙600，间隙600与进液管路510和喷淋孔410相连通。进液管路510用于通入清洗液，清洗液能够通过多个喷淋孔410喷洒覆盖至少部分介质窗900。此时，当进液管路510通入清洗液时，清洗液经过进液管路510通入到间隙600内，再经由喷淋孔410喷出。上述的清洗液可以为去离子水，当然，根据清洗的反应副产物不同，清洗液可以灵活选择。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种工艺腔室，应用于半导体工艺设备，所述工艺腔室包括腔室本体(100)以及设置于所述腔室本体(100)内的基座(200)和设置在所述腔室本体(100)顶部的介质窗(900)，其特征在于，所述工艺腔室还包括压环(300)、清洗盘(400)和进液管路(510)，清洗维护时所述基座(200)用于承载所述清洗盘(400)，所述清洗盘(400)开设有沿其厚度方向贯穿的多个喷淋孔(410)，所述压环(300)用于将所述清洗盘(400)固定于所述基座(200)，所述清洗盘(400)与所述基座(200)之间具有间隙(600)，所述间隙(600)与所述进液管路(510)和所述喷淋孔(410)相连通，所述进液管路(510)用于通入清洗液，所述清洗液能够通过多个所述喷淋孔(410)喷洒覆盖至少部分所述介质窗(900)。2.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，多个所述喷淋孔(410)呈多个圆周分布，且在同一圆周上的所述喷淋孔(410)均匀分布且形状相同。3.根据权利要求2所述的工艺腔室，其特征在于，多个所述喷淋孔(410)沿所述清洗盘(400)的径向均匀分布。4.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，在所述清洗盘(400)自中心向其边缘延伸的方向上，所述喷淋孔(410)的轴线与所述清洗盘(400)所在的平面且远离其轴线的方向的夹角逐渐减小。5.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，在沿所述清洗盘(400)的顶面至其底面的方向上，所述喷淋孔(410)的横截面面积逐渐减小。6.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述清洗盘(400)的边缘背离所述基座(200)的一侧沿其周向开设有环形豁口(420)，所述压环(300)压盖在所述环形豁口(420)内。7.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述清洗盘(400...

【专利技术属性】
技术研发人员：盖克彬，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：