半导体工艺设备的上电极组件及半导体工艺设备制造技术

本发明专利技术公开一种半导体工艺设备的上电极组件及半导体工艺设备，上电极组件设置于所述半导体工艺设备的工艺腔室上，所述上电极组件包括外壳，工艺腔室的介质窗位于所述外壳的底部，所述上电极组件还包括均流件；所述均流件设置于所述外壳的内腔中，所述均流件位于所述介质窗的上方，所述均流件中开设有进气腔，所述进气腔与控温气体的供气源相连通，所述进气腔用于通入所述控温气体，所述均流件开设有与所述进气腔相连通的多个第一通孔，所述第一通孔与所述介质窗相对设置，所述进气腔与所述内腔通过多个所述第一通孔相连通。上述方案能够解决介质窗的温度均匀性较差的问题。解决介质窗的温度均匀性较差的问题。解决介质窗的温度均匀性较差的问题。

【技术实现步骤摘要】
半导体工艺设备的上电极组件及半导体工艺设备


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体工艺设备的上电极组件及半导体工艺设备。

技术介绍

[0002]随着科技的快速发展，智能手机、平板电脑等电子产品已经成为现代人生活中不可或缺的产品。这些电子产品内部包括有许多半导体芯片，而半导体芯片的主要制造材料就是晶圆。晶圆需要刻蚀出线路图案，通常采用半导体工艺设备对晶圆进行刻蚀。
[0003]半导体工艺设备包括工艺腔室和上电极组件，工艺腔室包括腔室本体和介质窗，介质窗设置于腔室本体的顶部。在工艺腔室工作过程中，等离子体会轰击介质窗，因此造成介质窗的温度升高，而介质窗的温度升高容易对晶圆的刻蚀造成不良影响，因此在工艺过程中，需要对介质窗的温度进行控制。
[0004]相关技术中，介质窗位于上电极组件的外壳的底部，上电极组件的外壳的侧壁上开设有进气孔，冷却气体通过外壳侧壁上的进气孔进入到外壳内，然后吹到介质窗的表面，从而对介质窗进行冷却。
[0005]然而，进气孔设置于外壳体侧壁上，因此进气孔位于介质窗的一侧，此时，介质窗本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体工艺设备的上电极组件，设置于所述半导体工艺设备的工艺腔室上，所述上电极组件(100)包括外壳(110)，所述工艺腔室的介质窗(200)位于所述外壳(110)的底部，其特征在于，所述上电极组件还包括均流件(120)；所述均流件(120)设置于所述外壳(110)的内腔中，所述均流件(120)位于所述介质窗(200)的上方，所述均流件(120)中开设有进气腔(120a)，所述进气腔(120a)与控温气体的供气源相连通，所述进气腔(120a)用于通入所述控温气体，所述均流件(120)开设有与所述进气腔(120a)相连通的多个第一通孔(120b)，所述第一通孔(120b)与所述介质窗(200)相对设置，所述进气腔(120a)与所述内腔通过多个所述第一通孔(120b)相连通。2.根据权利要求1所述的上电极组件，其特征在于，所述上电极组件(100)还包括射频线圈(140)，所述射频线圈(140)位于所述内腔中，且固定于所述均流件(120)上，所述射频线圈(140)位于所述均流件(120)的下方。3.根据权利要求1所述的上电极组件，其特征在于，在沿所述外壳(110)的高度方向上，所述进气腔(120a)的中心轴线与所述介质窗(200)的中心轴线相重合，所述多个第一通孔(120b)沿所述进气腔(120a)的中心轴线对称分布。4.根据权利要求1所述的上电极组件，其特征在于，所述均流件(120)包括第一板体(121)和第二板体(122)，所述第一板体(121)开设有凹槽，所述第二板体(122)封盖所述凹槽的槽口，所述凹槽与所述第二板体(122)围成所述进气腔(120a)，多个所述第一通孔(120b)贯穿所述凹槽的槽底。5.根据权利要求4所述的上电极组件，其特征在于，所述凹槽的槽口边缘开设有环绕所述凹槽的环形凹部，所述环形凹部与所述凹槽相连通，所述第二板体(122)的部分位于所述环形凹部内。6.根据权利要求5所述的上电极组...

【专利技术属性】
技术研发人员：白玉蕾，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：