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本发明公开一种半导体工艺设备的上电极组件及半导体工艺设备,上电极组件设置于所述半导体工艺设备的工艺腔室上,所述上电极组件包括外壳,工艺腔室的介质窗位于所述外壳的底部,所述上电极组件还包括均流件;所述均流件设置于所述外壳的内腔中,所述均流件位...该专利属于北京北方华创微电子装备有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过北京北方华创微电子装备有限公司授权不得商用。
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本发明公开一种半导体工艺设备的上电极组件及半导体工艺设备,上电极组件设置于所述半导体工艺设备的工艺腔室上,所述上电极组件包括外壳,工艺腔室的介质窗位于所述外壳的底部,所述上电极组件还包括均流件;所述均流件设置于所述外壳的内腔中,所述均流件位...