半导体工艺炉制造技术

本申请公开一种半导体工艺炉，其包括炉管和送气组件，所述送气组件包括：进气管、多个送气管和多个环状匀流件，所述进气管一端设有进气口，多个所述送气管的一端均与所述进气管的另一端连通，各所述送气管的另一端均设有送气口，多个所述送气口沿所述炉管的轴向间隔设置；各所述环状匀流件均设置于所述炉管的内部，且沿所述炉管的轴向间隔设置，所述环状匀流件内设置有匀流腔，其上间隔分布有多个匀流孔，多个所述送气口与多个所述环状匀流件的所述匀流腔一一对应地连通。上述半导体工艺炉能够解决因目前工艺炉中工艺气体分布不均匀导致部分晶圆的工艺效果较差的问题。致部分晶圆的工艺效果较差的问题。致部分晶圆的工艺效果较差的问题。

【技术实现步骤摘要】
半导体工艺炉


[0001]本申请属于半导体加工
，具体涉及一种半导体工艺炉。

技术介绍

[0002]在半导体加工的过程中，为形成质量较高的产品，在退火等工艺过程中，通常需要通入氢气等修复晶圆的内部缺陷。目前，通常利用工艺炉容纳晶圆，且通过自工艺炉的顶部通入工艺气体对晶圆进行修复。但是，在工作过程中，位于工艺炉顶部的晶圆会优先与工艺气体反应，这导致流动至工艺炉中部，尤其是底部的工艺气体的量大大减少，造成位于工艺炉底部的晶圆的工艺效果较差。

技术实现思路

[0003]本申请公开一种半导体工艺炉，能够解决因目前工艺炉中工艺气体分布不均匀导致部分晶圆的工艺效果较差的问题。
[0004]为了解决上述问题，本申请实施例是这样实现地：
[0005]本申请实施例提供了一种半导体工艺炉，其包括炉管和送气组件，其中，所述送气组件包括：
[0006]进气管、多个送气管和多个环状匀流件，所述进气管一端设有进气口，多个所述送气管的一端均与所述进气管的另一端连通，各所述送气管的另一端均设有送气口，多个所述送气口沿所述炉管的轴向间隔设置；各所述环状匀流件均设置于所述炉管的内部，且沿所述炉管的轴向间隔设置，所述环状匀流件内设置有匀流腔，其上间隔分布有多个匀流孔，多个所述送气口与多个所述环状匀流件的所述匀流腔一一对应地连通。
[0007]本申请实施例公开一种半导体工艺炉，其包括炉管和送气组件。送气组件安装在炉管上，且送气组件包括进气管、多个送气管和多个环状匀流件，进气管设有进气口，多个送气管的一端均与进气管的另一端连通，多个送气管的另一端均设置有送气口，且多个环状匀流件均安装在炉管的容纳腔内，多个环状匀流件均设有匀流腔，且多个送气口与多个环状匀流件的匀流腔一一对应连通。
[0008]基于上述半导体工艺炉，工艺气体可以经进气口被送入多个送气管中，且经多个送气口进入多个环状匀流件的匀流腔内，继而自各匀流腔的多个匀流孔分别流动至炉管中容纳腔的不同区域处。由于多个送气口沿炉管的轴向间隔设置，从而使得工艺气体可以被分别送入至炉管的容纳腔轴向上多个不同的位置处，且在环状匀流件的作用下，可以使工艺气体沿炉管的径向分别自同一轴向位置流向不同的径向方向。在这种情况下，可以提升工艺气体在容纳腔内的轴向分布均匀程度和周向分布均匀程度，以尽量保证容纳腔内的各晶圆的工艺效果均相对较好。
附图说明
[0009]此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申
请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：
[0010]图1是本申请实施例公开的半导体工艺炉的结构示意图；
[0011]图2是本申请实施例公开的半导体工艺炉中的送气过程的原理示意图；
[0012]图3是本申请实施例公开的半导体工艺炉中包括环状匀流件的部分结构的示意图；
[0013]图4是本申请实施例公开的半导体工艺炉中晶舟组件与晶圆的装配示意图；
[0014]图5是本申请实施例公开的半导体工艺炉中晶舟组件中部分结构的示意图；
[0015]图6是本申请实施例公开的半导体工艺炉中晶舟组件中部分结构的示意图；
[0016]图7是本申请实施例公开的半导体工艺炉中晶舟组件在另一方向上的结构示意图。
[0017]附图标记说明：
[0018]100
‑
炉管、110
‑
容纳腔、120
‑
排气口、
[0019]200
‑
晶舟组件、210
‑
顶板、220
‑
底板、230
‑
承载柱、231
‑
承载槽、232
‑
贯穿长槽、240
‑
支撑柱、250
‑
加强件、
[0020]310
‑
进气管、311
‑
进气口、320
‑
送气管、321
‑
送气口、
[0021]400
‑
环状匀流件、410
‑
匀流孔、420
‑
匀流槽、
[0022]500
‑
加固件、
[0023]600
‑
晶圆。
具体实施方式
[0024]为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请具体实施例及相应的附图对本申请技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0025]以下结合附图，详细说明本申请各个实施例公开的技术方案。
[0026]如图1
‑
图7所示，本申请实施例公开一种半导体工艺炉，其包括炉管100和送气组件，当然，半导体工艺炉中还可以包括晶舟组件200等器件，晶舟组件200能够承载晶圆600。
[0027]其中，炉管100为半导体工艺炉的主体结构，送气组件安装在炉管100上。炉管100可以采用石英等硬质材料形成，以保证炉管100具有较强的耐高温和耐腐蚀性能。炉管100的形状和尺寸均可以根据实际需求灵活确定。由于晶圆600通常为圆形片状结构件，基于此，炉管100可以为圆柱状结构件，以提升炉管100的空间利用率。其中，炉管100设有容纳腔110和排气口120，且容纳腔110和排气口120连通。在半导体工艺炉的工作过程中，容纳腔110内晶圆600与工艺气体相互反应产生的废气等可以经排气口120排出至容纳腔110之外，保证容纳腔110内工艺过程可靠的进行。排气口120的形状和尺寸可以根据容纳腔110的容积等实际参数确定，此处不作限定。
[0028]容纳腔110为容纳上述晶舟组件200的空间，在半导体工艺炉的工作过程中，晶舟组件200能够承载晶圆600，以使晶圆600可以被容纳在半导体工艺炉的容纳腔110内被加工。晶舟组件200可以设置有槽位等结构，以使晶圆600能够被容纳在槽位处，进而稳定地支撑在晶舟组件200上。当然，通过使晶舟组件200设置有多个槽位，可以使晶舟组件200能够
承载多个晶圆600，提升晶圆600的加工效率。
[0029]送气组件为半导体工艺炉中用以向容纳腔110输送工艺气体的部件，送气组件可以采用石英等材料制成，以需保证送气组件自身不会与工艺气体相互反应。送气组件固定在炉管100上，保证送气组件可以与炉管100连为一体。可选地，在送气组件和炉管100均采用石英材料制成的情况下，可以采用石英焊接等方式将送气组件固定在炉管100上。
[0030]送气组件设有进气口311和多个送气口321，进气口311和容纳腔110均与多个送气口321连通，进而使工艺气体可以自进气口311被送入送气组件中，且在送气组件的作用下，将工艺气体自多个送气口3本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体工艺炉，其特征在于，包括炉管和送气组件，其中，所述送气组件包括：进气管、多个送气管和多个环状匀流件，所述进气管一端设有进气口，多个所述送气管的一端均与所述进气管的另一端连通，各所述送气管的另一端均设有送气口，多个所述送气口沿所述炉管的轴向间隔设置；各所述环状匀流件均设置于所述炉管的内部，且沿所述炉管的轴向间隔设置，所述环状匀流件内设置有匀流腔，其上间隔分布有多个匀流孔，多个所述送气口与多个所述环状匀流件的所述匀流腔一一对应地连通。2.根据权利要求1所述的半导体工艺炉，其特征在于，在自多个所述匀流孔中与所述送气口的间距最大的一者指向所述送气口的方向上，所述匀流孔的密集程度逐渐减小。3.根据权利要求1所述的半导体工艺炉，其特征在于，所述环状匀流件的外侧沿其周向设置有匀流槽，所述匀流槽的开口贴设于所述炉管的内壁，形成所述匀流腔，各所述匀流孔均设置于所述环状匀流件的内侧。4.根据权利要求1所述的半导体工艺炉，其特征在于，各所述送气管均设置在所述炉管的外壁上，且沿所述炉管的轴向延伸。5.根据权利要求4所述的半导体工艺炉，其特征在于，所述炉管的外壁上还设置有多个加固件，用于分别加固各所述送气管。6.根据权利要求1所述的半导体工艺炉，其特征在于，还包括用于承载晶圆的晶舟组件，所述晶舟组件可容置于所述炉管内，多个所述环状匀流件...

【专利技术属性】
技术研发人员：闫晓腾，杨帅，杨慧萍，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：