半导体工艺设备及其控压管路结构制造技术

本申请公开一种半导体工艺设备及其控压管路结构，所述控压管路结构包括排气管路和供气管路，其中：所述排气管路的一端与所述半导体工艺设备的排气通道连接，所述排气管路的另一端与厂务排气端连接，所述排气管路用于排出所述半导体工艺设备中的工艺气体；所述供气管路与稀释气体气源连接，所述供气管路的出气端延伸至所述排气管路内，以向所述排气管路中通入稀释气体；所述稀释气体进入所述排气管路的气流方向与所述排气管路内的所述工艺气体的气流方向之间的夹角大于等于0

【技术实现步骤摘要】
半导体工艺设备及其控压管路结构


[0001]本申请涉及半导体制造
，尤其涉及一种半导体工艺设备及其控压管路结构。

技术介绍

[0002]在半导体制造的诸多工艺(例如氧化、扩散、退火等)中，均需要保持工艺腔室处于负压状态，以防止工艺气体泄漏。同时，半导体工艺设备的排气侧需要通入稀释气体(例如氮气等)，来降低排出至厂务排气端的工艺气体的浓度，以避免存在安全隐患。例如，若排出的工艺气体中氢气浓度过高，则存在爆炸风险。
[0003]在相关技术中，稀释气体的进气管路是直接与工艺腔室的排气通道连接，稀释气体和工艺气体在排气通道中混合后再由排气管路输送至厂务排气端。在此种结构布局下，稀释气体会与工艺气体对冲，而阻碍工艺气体输送，由于工艺腔室内为负压状态，稀释气体和工艺气体蓄积后极容易倒灌回工艺腔室内，特别是在稀释气体流量较大时，这样势必会破坏工艺腔室的负压环境。但是，若减小稀释气体的流量，其又难以对工艺气体进行有效稀释，进而潜存巨大的安全风险。

技术实现思路

[0004]本申请公开一种半导体工艺设备及其控压管路结构，以在有效稀释工艺气体的基础上，防止气体倒灌入工艺腔室。
[0005]为了解决上述问题，本申请采用下述技术方案：
[0006]第一方面，本申请提供一种半导体工艺设备的控压管路结构，所述控压管路结构包括排气管路和供气管路，其中：
[0007]所述排气管路的一端与所述半导体工艺设备的排气通道连接，所述排气管路的另一端与厂务排气端连接，所述排气管路用于排出所述半导体工艺设备中的工艺气体；
[0008]所述供气管路与稀释气体气源连接，所述供气管路的出气端延伸至所述排气管路内，以向所述排气管路中通入稀释气体；所述稀释气体进入所述排气管路的气流方向与所述排气管路内的所述工艺气体的气流方向之间的夹角大于等于0
°
，且小于90
°
。
[0009]第二方面，本申请提供一种半导体工艺设备，其包括工艺腔室以及本申请第一方面所述的控压管路结构。
[0010]本申请采用的技术方案能够达到以下有益效果：
[0011]在本申请公开的半导体工艺设备的控压管路结构中，通过将供气管路设置为，使稀释气体进入排气管路的气流方向与排气管路内的工艺气体的气流方向之间的夹角大于等于0
°
，且小于90
°
，如此情况下，稀释气体不会与工艺气体产生对冲，即便是加大稀释气流的流量，也能够避免了如相关技术中稀释气体阻碍工艺气体而蓄积的问题，进而能够防止气体倒灌回工艺腔室。
[0012]同时，由于稀释气体的气流方向存在与工艺气体的气流方向同向的分量，稀释气
体在通入排气管路后能够加工艺气体的流速，进而提升排气效率。
[0013]相较于相关技术，本申请的控压管路结构无疑能够在有效稀释工艺气体的基础上，防止气体倒灌入工艺腔室。
附图说明
[0014]此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。
[0015]在附图中：
[0016]图1为本申请实施例公开的半导体工艺设备的结构示意图；
[0017]图2为本申请实施例公开的控压管路结构的部分结构示意图。
[0018]附图标记说明：
[0019]100
‑
工艺腔室、110
‑
排气通道、
[0020]200
‑
排气管路、210
‑
折弯段、
[0021]300
‑
供气管路、310
‑
第一支管、320
‑
第二支管、321
‑
出气端、
[0022]400
‑
压力控制装置、500
‑
流量控制装置、600
‑
第一控制阀、
[0023]700
‑
压差计、800
‑
第二控制阀。
具体实施方式
[0024]为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请具体实施例及相应的附图对本申请技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0025]以下结合附图，详细说明本申请各个实施例公开的技术方案。
[0026]为了解决相关技术中半导体工艺设备在排气时难以兼顾稀释要求和腔内负压要求的技术问题，本申请实施例提供一种半导体工艺设备的控压管路结构，用于在对半导体工艺设备排出的工艺气体进行稀释过程中，维持工艺腔室的负压状态。
[0027]如图1和图2所示，本申请实施例所公开的控压管路结构包括排气管路200和供气管路300。
[0028]其中：
[0029]排气管路200的一端与半导体工艺设备的排气通道110连接，排气管路200的另一端与厂务排气端连接，排气管路200用于排出工艺气体。具体而言，半导体工艺设备在工艺处理过程中或者处理完毕后，均需要将工艺气体排出至厂务排气端的尾气装置，而工艺腔室100内的工艺气体即是通过排气管路200排出。半导体工艺设备的排气通道110与其工艺腔室100连通，而排气管路200分别与厂务排气端和排气通道110连接，则工艺气体即可依次通过排气通道110和排气管路200而输送至厂务排气端。
[0030]工艺气体通常具备一定的危险性，例如，工艺气体为氢气等可燃可爆性气体，或者其他的腐蚀性气体等，因此，需要在工艺气体排出的过程中加入稀释气体进行稀释，以确保工艺气体的浓度在安全范围内。本申请实施例未限制稀释气体的具体类型，其可选为氮气，或者为氦气、氖气等稀有气体。
[0031]在相关技术中，稀释气体和工艺气体是直接在排气通道110中混合后再由排气管路200输送至厂务排气端。在此种结构布局下，稀释气体通入至排气通道110后会与工艺气体产生对冲，而阻碍工艺气体的输送，甚至会导致导体工艺设备的排气作业无法进行。而且，稀释气体和工艺气体还会在排气通道110中蓄积，由于工艺腔室100内为负压状态，排气通道110内蓄积的气体极容易倒灌至工艺腔室100内，特别是在稀释气体流量较大时，这样势必会破坏工艺腔室100的负压环境。但是，若减小稀释气体的流量，其又难以对工艺气体进行有效稀释，进而潜存巨大的安全风险。
[0032]针对上述的问题，本申请实施例对供气管路300进行了改进。
[0033]在本申请实施例中，供气管路300与稀释气体气源连接，供气管路300的出气端延伸至排气管路200内，以向排气管路200中通入稀释气体；稀释气体进入排气管路200的气流方向与排气管路200内的工艺气体的气流方向之间的夹角大于等于0
°
，且小于90
°本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体工艺设备的控压管路结构，其特征在于，所述控压管路结构包括排气管路和供气管路，其中：所述排气管路的一端与所述半导体工艺设备的排气通道连接，所述排气管路的另一端与厂务排气端连接，所述排气管路用于排出所述半导体工艺设备中的工艺气体；所述供气管路与稀释气体气源连接，所述供气管路的出气端延伸至所述排气管路内，以向所述排气管路中通入稀释气体；所述稀释气体进入所述排气管路的气流方向与所述排气管路内的所述工艺气体的气流方向之间的夹角大于等于0
°
，且小于90
°
。2.根据权利要求1所述的控压管路结构，其特征在于，所述供气管路包括第一支管和至少两根第二支管，所述第一支管与所述稀释气体气源连接；所述第二支管的进气端连接所述第一支管，所述第二支管的出气端延伸至所述排气管路内，以向所述排气管路中通入稀释气体；所述排气管路和所述第一支管的流通面积均大于所述第二支管的流通面积。3.根据权利要求2所述的控压管路结构，其特征在于，沿所述第一支管的延伸方向，全部所述第二支管的进气端与所述第一支管错位连接；沿所述排气管路的延伸方向，全部所述第二支管的出气端与所述排气管路错位连接。4.根据权利要求2所述的控压管路结构，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：闫晓腾，杨帅，杨慧萍，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：