北京北方华创微电子装备有限公司专利技术

北京北方华创微电子装备有限公司共有3788项专利

  • 本发明实施例提供了一种腔室温度控制方法和装置,应用于半导体装备技术领域,该方法包括:获取工艺腔室的工艺配方中当前工艺步的第一温控目标,获取第一温控目标对应的温控配置参数,从第一温控参数和第二温控参数中确定符合工艺腔室的响应速率需求的目标...
  • 本申请公开了一种半导体工艺设备及射频回路中阻抗的补偿方法,涉及半导体制造领域。一种半导体工艺设备包括工艺腔室、悬臂、卡盘、内衬和连接件;悬臂一侧与工艺腔室的侧壁连接,内衬包括上部本体和下部本体,上部本体与工艺腔室连接,下部本体通过连接件...
  • 本发明提供一种匹配器及其阻抗匹配方法,该匹配器包括信号采集模块,用于采集匹配器的传输线缆的电压信号、电流信号以及前向功率信号和反射功率信号;信号处理模块,用于获得幅值差信号和相位差信号;控制模块,用于判断幅值差信号和相位差信号是否均等于...
  • 本申请实施例提供了一种匹配器测试系统及其射频阻抗变换装置。该射频阻抗变换装置包括:输入端、输出端、主线路、主路电容组件、支线路、支路电容组件、支路电感及控制器;主线路连接输入端和输出端,主路电容组件设置于主线路上;支线路的一端连接主线路...
  • 本发明公开一种半导体工艺设备及其控制方法。涉及半导体制造技术领域。本发明所述的半导体工艺设备包括至少一个灯箱、工艺气体循环管道和与灯箱一一对应的至少一个风压检测组件。其中,灯箱具有灯腔以及与灯腔连通的进风口和出风口,工艺气体循环管道的第...
  • 本发明实施例提供了一种半导体工艺设备和一种电压补偿方法,所述半导体工艺设备的控制器在进行工艺时,可以获取晶圆上的鞘层电压,根据鞘层电压和预设的补偿系数,确定电压补偿值,通过切换开关将吸附电源的中性点切换至与补偿电源连接,控制补偿电源按照...
  • 本发明实施例提供了一种半导体工艺设备检测方法和半导体工艺设备,应用于半导体装备技术领域,该方法包括:响应于第一检测指令,获取至少一个互锁条目,获取与互锁条目中的组件标识对应的目标功能组件的当前组件状态,在目标功能组件的当前组件状态与目标...
  • 本发明实施例提供了一种工艺故障处理方法和一种半导体工艺设备,所述方法包括:执行工艺任务时,确定发生故障的目标腔室模块为串行模块或并行模块;若目标腔室模块为串行模块,则调整需要经过所述目标腔室模块的关联晶圆的传输路径信息,并根据调整后的传...
  • 本申请公开了一种基座组件及半导体工艺设备,涉及半导体装备领域。一种基座组件,应用于半导体工艺设备的反应腔室中,包括基座本体,所述基座本体用于承载晶圆;支撑件,所述支撑件连接于所述基座本体背离承载面的一侧;透光件,所述透光件环绕所述基座本...
  • 本申请公开一种半导体工艺设备及其机械手系统,该机械手系统包括机械手、供气管路和流量检测装置,其中:所述机械手具有承载面,所述承载面用于承载待传输件;所述机械手还具有气体流道,所述气体流道的进气口与所述供气管路的出气端连接,所述气体流道的...
  • 本发明公开一种上电极组件及半导体工艺腔室,所述上电极组件包括射频线圈(100)、供电装置和过温保护装置(300);所述过温保护装置(300)包括盒体(310)和温度控制件(320),所述温度控制件(320)设置于所述盒体(310)上,所...
  • 本申请公开了一种蓝宝石衬底的刻蚀方法,涉及半导体技术领域。一种蓝宝石衬底的刻蚀方法包括:掩膜形成步骤,在蓝宝石衬底的表面形成光刻胶掩膜图形;第一刻蚀步骤,通入第一刻蚀气体刻蚀蓝宝石衬底和光刻胶掩膜图形,使蓝宝石衬底上初步形成所需的图形轮...
  • 本发明公开了一种半导体工艺设备用排水装置和半导体工艺设备,包括集水盒和排水机构,其中:排水机构包括缸体、活塞、第一单向阀和第二单向阀,活塞滑动地设于缸体内,活塞与缸体可形成暂存空间,集水盒通过进水管与暂存空间连通,第一单向阀设于进水管,...
  • 本发明公开了一种半导体工艺设备及其晶圆传输装置,包括晶圆吸盘和传输臂,所述晶圆吸盘与所述传输臂连接,其中:所述晶圆吸盘开设有多个负压槽和多个气道,多个所述负压槽的尺寸不同,多个所述气道用于与多个所述负压槽一一对应连通,所述传输臂开设有负...
  • 本申请公开一种立式热处理设备,包括工艺炉和炉门,该炉门用于密封该工艺炉的炉口;该炉门包括隔热盘和冷却盘,其中:该隔热盘为石英结构件,该隔热盘具有相背设置的密封面和第一安装面,该炉门通过该密封面密封该炉口;该冷却盘具有第二安装面;在该第一...
  • 本发明提供一种晶圆承载装置及工艺腔室,其中,晶圆承载装置包括基座、静电卡盘、驱动部件和多个顶升部件,静电卡盘设置在基座上,用于吸附并承载晶圆,且静电卡盘能够与基座可选择的吸附;驱动部件与多个顶升部件连接,用于驱动多个顶升部件升降,顶升部...
  • 本申请公开一种半导体工艺设备及其静电卡盘组件,包括基座(100)、绝缘件(200)、连接组件(300)和导热层(400),其中:所述绝缘件(200)设置于所述基座(100)上,用于承载晶圆,所述绝缘件(200)通过所述连接组件(300)...
  • 本申请实施例提供了一种半导体设备及其升降机构。该升降机构用于带动半导体设备的承载装置升降,其包括:丝杠、丝母组件及补偿套筒;丝杠的两端固定设置,并且能在一驱动装置的驱动下自旋转;丝母组件套设于丝杠外周,用于将丝杠的回转动作转化为直线动作...
  • 本实用新型公开了一种基于WiFi组网的负荷测试监控系统,包括:多个控制采集模块、WiFi路由器以及监控平台;每个控制采集模块均通过WiFi无线网络与WiFi路由器连接,WiFi路由器与监控平台通信连接,每个控制采集模块与一个电源设备电性...
  • 本申请实施例提供了一种半导体工艺设备及其去气腔室。该去气腔室包括;腔室本体、加热组件及功率调节组件;腔室本体内设置有承载装置,用于承载晶圆;加热组件设置于腔室本体内,并且位于承载装置上方,用于加热晶圆;功率调节组件包括调功器、电压传感器...