半导体工艺设备及其控制方法技术

本发明专利技术公开一种半导体工艺设备及其控制方法。涉及半导体制造技术领域。本发明专利技术所述的半导体工艺设备包括至少一个灯箱、工艺气体循环管道和与灯箱一一对应的至少一个风压检测组件。其中，灯箱具有灯腔以及与灯腔连通的进风口和出风口，工艺气体循环管道的第一端与进风口连通，工艺气体循环管道的第二端与出风口连通，且工艺气体循环管道设置有第一检测口。风压检测组件包括高压检测口和低压检测口，高压检测口与对应的灯腔内部连通，低压检测口与第一检测口连通。该方案能解决半导体工艺设备内风压检测精度低的问题。内风压检测精度低的问题。内风压检测精度低的问题。

【技术实现步骤摘要】
半导体工艺设备及其控制方法


[0001]本专利技术涉及半导体加工
，尤其涉及半导体工艺设备及其控制方法。

技术介绍

[0002]紫外光固化工艺(简称UV Cure)，即利用紫外线高能光子的能量实现晶圆表面的辐射聚合、辐射交联等化学反应的工艺。该工艺可以有效去除水汽，降低有机物残留和电荷积累，对Low
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K薄膜损伤具有修复作用，能有效降低金属层间绝缘层的介电常数K并提高机械强度，改善薄膜应力及密度。
[0003]紫外光固化工艺过程中需要满足一定的风压、温度和氧气浓度条件，以保证特定波段光谱生成。用于紫外光固化工艺的半导体工艺设备中，风压与系统内的气体密度成正比。紫外光谱在不同密度的环境中的折射率不同，因此，半导体工艺设备中风压大小直接影响工艺最终的固化效果。
[0004]相关技术中半导体工艺设备的灯箱内的风压检测受到工艺过程中腔室内温度或外部环境的影响，导致相关技术中半导体工艺设备的风压检测精度较低。

技术实现思路

[0005]本专利技术公开一种半导体工艺设备及其控制方法，以解决相关技术中半导体工艺设备内风压检测精度低的问题。
[0006]为了解决上述问题，本专利技术采用下述技术方案：
[0007]本专利技术所述的半导体工艺设备包括至少一个灯箱、工艺气体循环管道和与灯箱一一对应的至少一个风压检测组件，其中：
[0008]灯箱具有灯腔以及与灯腔连通的进风口和出风口，
[0009]工艺气体循环管道的第一端与进风口连通，工艺气体循环管道的第二端与出风口连通，且工艺气体循环管道设置有第一检测口；
[0010]风压检测组件包括高压检测口和低压检测口，高压检测口与对应的灯腔内部连通，低压检测口与第一检测口连通。
[0011]本申请实施例还公开一种半导体工艺设备的控制方法。该控制方法包括：
[0012]确定目标风压，目标风压是半导体工艺设备为满足预设条件所需要的风压；
[0013]控制风压检测器件检测灯腔内的实际风压；
[0014]在实际风压不等于目标风压的情况下，调整风机的功率，直至实际风压等于目标风压。
[0015]本专利技术采用的技术方案能够达到以下有益效果：
[0016]本专利技术实施例公开的半导体工艺设备中的风压检测器件的高压检测口连接于灯腔内，低压检测口连接于循环管道上的第一检测口，使得风压检测器检测结果不受外部环境气压波动的影响，并且，低压检测口连接于循环管道上的第一检测口，还能避免灯箱内环境波动影响低压检测口检测值，进而使得风压检测器件检测到的灯腔内的风压更为准确。
由于循环管道中的压强相对稳定，因此，各阶段检测到的灯腔内的风压具有更好地一致性，即各阶段检测到的灯腔内的风压的基准一致性更好，进而可以提高半导体设备灯腔内风压检测的精度。
附图说明
[0017]此处所说明的附图用来提供对本专利技术的进一步理解，构成本专利技术的一部分，本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中：
[0018]图1为本专利技术一种实施例公开的半导体工艺设备灯箱内风压的控制方法的流程图；
[0019]图2为本专利技术一种实施例公开的半导体工艺设备的示意图；
[0020]图3为本专利技术一种实施例公开的灯箱的示意图。
[0021]图中：100
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灯箱；110
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灯腔；111
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第二检测口；120
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进风口；130
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出风口；140
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工艺灯；200
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工艺气体循环管道；210
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第一检测口；300
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风压检测组件；310
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高压检测口；320
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低压检测口；400
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冷却介质箱；500
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第一转接头；600
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第二转接头；700
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风机。
具体实施方式
[0022]为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术具体实施例及相应的附图对本专利技术技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0023]以下结合图1至图3，详细说明本专利技术各个实施例公开的技术方案。
[0024]本专利技术所述的半导体工艺设备，包括至少一个灯箱100、工艺气体循环管道200和与灯箱100一一对应的至少一个风压检测组件300。其中，灯箱100具有灯腔110以及与灯腔110连通的进风口120和出风口130。工艺气体循环管道200的第一端与进风口120连通，工艺气体循环管道200的第二端与出风口130连通，且工艺气体循环管道200设置有第一检测口210。风压检测组件300包括高压检测口310和低压检测口320，高压检测口310与对应的灯腔110内部连通，低压检测口320与第一检测口210连通。
[0025]在工艺过程中，工艺气体从进风口120进入灯腔110内，并从灯箱100的出风口130排出灯腔110进入工艺气体循环管道200内。工艺气体循环管道200的第一端与进风口120连通，使得工艺气体可以沿工艺气体循环管道200再次进入灯腔110内。工艺气体循环管道200设置有第一检测口210，即在工艺气体循环管道200上开设与工艺气体循环管道200内部导流通道连通的第一检测口210。
[0026]上述实施例中，风压检测组件300的低压检测口320连接于工艺气体循环管道200上的第一检测口210，进而可以避免风压检测组件300的检测结果受到外部环境的影响。并且，由于工艺气体循环管道200位于灯腔110外部，进而可以减小或消除灯箱100工作状态的改变对风压检测组件300检测结果的影响。因此，上述方案能够提高风压检测组件300的检测精度。
[0027]一种可选的实施例中，风压检测组件300在检测灯腔110内风压的过程中，通过低压检测口320检测工艺气体循环管道200内的压强，并将低压检测口320的检测值作为基准。
进一步地，通过高压检测口310检测灯腔110内的压强。示例性地，低压检测口320的检测值为第一检测值，高压检测口310的检测值为第二检测值，灯腔110内的实际风压值为第二检测值减去第一检测值。上述实施例中，低压检测口320与工艺气体循环管道200连通，由于工艺气体循环管道200内的压强相对稳定，且不受灯箱100的工作状态的影响。因此上述实施例能够提高风压检测组件300的检测精度。
[0028]示例性地，本专利技术所述的半导体工艺设备为适用于紫外光固化工艺的制造设备。
[0029]参照图1，半导体工艺设备还包括冷却介质箱400，工艺气体循环管道200的第一端穿过冷却介质箱400且与进风口120连通，第一检测口210设本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括至少一个灯箱(100)、工艺气体循环管道(200)和与所述灯箱(100)一一对应的至少一个风压检测组件(300)，其中：所述灯箱(100)具有灯腔(110)以及与所述灯腔(110)连通的进风口(120)和出风口(130)，所述工艺气体循环管道(200)的第一端与所述进风口(120)连通，所述工艺气体循环管道(200)的第二端与所述出风口(130)连通，且所述工艺气体循环管道(200)设置有第一检测口(210)；所述风压检测组件(300)包括高压检测口(310)和低压检测口(320)，所述高压检测口(310)与对应的所述灯腔(110)内部连通，所述低压检测口(320)与所述第一检测口(210)连通。2.根据权利要求1所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述半导体工艺设备还包括冷却介质箱(400)，所述工艺气体循环管道(200)的第一端穿过所述冷却介质箱(400)且与所述进风口(120)连通，所述第一检测口(210)设置于所述工艺气体循环管道(200)上邻近所述冷却介质箱(400)的位置。3.根据权利要求1所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述风压检测组件(300)的数量为两个，所述半导体工艺设备还包括第一转接头(500)，所述第一转接头(500)具有一个第一辅助检测口和两个第一检测接入口，所述第一检测接入口均与所述第一辅助检测口连通；每个所述风压检测组件(300)的所述低压检测口(320)与所述第一检测接入口一一对应相连，所述第一辅助检测口与所述第一检测口(210)连通。4.根据权利要求3所述的半导体工艺设备，其特征在于，每个所述风压检测组件(300)均包括一个机载风压检测器件和一个加装风压检测器件，所述机载风压检测器件设置于对应的所述灯腔(110)内，所述机载风压检测器件的低压检测口与对应的所述第一检测接入口相连，所述机载风压检测器件的高压检测口用于检测对应所述灯腔(110)内的风压；所述灯腔(110)内设置有第二检测口(111)，所述加装风压检测器件的所述高压检测口(310)与所述第二检测口(111)相连，所述加装风压检测器件的低压检测口(310)与对应的所述第一检测接入口相连；所述机载风压检测器件的所述高压检测口(310)与所述第二检测口(111)之间的连线与第一方向相垂直，所述第一方向为所述进风口(120)的贯通方向。5.根据权利要求4所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述灯箱(100)内设有第二转接头(600)，所述加装风压检测器件的所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨建姣，顾文亮，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：