本发明提供一种晶圆升降装置及工艺腔室，其中，晶圆升降装置用于工艺腔室，包括支撑组件、第一驱动部件和第二驱动部件，支撑组件用于可升降的穿设在工艺腔室的基座中，对基座上的晶圆进行升降；第一驱动部件的驱动端与支撑组件连接，用于直接驱动支撑组件...

本发明提供一种半导体工艺方法，应用于半导体工艺设备中，该半导体工艺方法包括：在当前的晶圆加工任务完成后，确定至少一个清洁模式当前的膜厚累积参数；对于任一清洁模式，当该清洁模式的膜厚累积参数达到该清洁模式对应的预设阈值时，执行该清洁模式对...

本发明提供一种基座及半导体工艺设备，基座用于在半导体工艺设备的工艺腔室中承载晶圆，包括承载部件、支撑轴、加热部件和温度补偿组件，其中：承载部件用于承载晶圆，支撑轴与承载部件的底部连接，用于支撑承载部件；加热部件设置于承载部件的下方，用于...

本申请涉及基座接地检测装置和方法。通过电压信号采集单元采集基座的电压信号，由电压检测单元根据所述电压信号和预设电压信号以确定是否将指示基座接地的第一信号作为输出信号，在执行工艺时，控制单元一旦接收到该第一信号则立即指示半导体设备停止执行...

本发明提供一种晶圆传输系统，包括传输腔、第一传输组件、加载腔、第二传输组件和校准腔，传输腔用于与反应腔室连通；加载腔的一侧与传输腔连通，另一侧具有传输口；第二传输组件用于通过传输口将晶圆传输至加载腔中的托盘上，以及由加载腔中的托盘上取下...

本申请涉及热场组件的装载设备、半导体工艺设备、装载系统和方法。根据本申请的技术方案，通过驱动组件来带动热场组件升降，运行稳定，不易发生晃动、偏斜，且显著降低了人力成本；通过热场调整限位传感器触发对热场组件的水平位置检测，并通过检测出的水...

本发明提供了一种射频电源的功率采集电路及方法，所述功率采集电路包括：定向耦合器，用于采集射频电源的第一输出电压；DAC转换模块，用于根据输入的数字量，输出相应的第二输出电压；比较器模块，用于比较所述DAC转换模块的所述第二输出电压和所述...

本发明实施例提供了一种半导体热处理设备的补偿参数获取方法和设备，应用于半导体装备技术领域，该方法包括：确定目标参考温度，通过与目标参考温度对应的历史温度补偿参数对第一温度传感器采集到的温度值进行补偿，持续通过补偿后的温度值和第二温度传感...

本发明提供一种刻蚀方法，用于对硅衬底表面的沟槽中的金属层进行刻蚀。待加工的硅衬底表面开设有至少一个沟槽，且在硅衬底表面和沟槽的表面覆盖有连接层；并且在连接层上设置有金属层，金属层包括覆盖在沟槽上方以及位于沟槽周围的连接层上方的第一部分，...

本申请公开一种多腔室清洗方法和半导体工艺设备，其中多腔室清洗方法应用于包括多个腔室的半导体工艺设备，各个腔室共用一个气体检测装置，该多腔室清洗方法包括：S410，对各腔室同时进行清洗工艺；S420，采用气体检测装置循环检测处于清洗状态的...

本发明公开一种半导体腔室的冷却装置和半导体工艺设备，该冷却装置用于对半导体腔室进行冷却，该冷却装置包括壳体、换热器和气体驱动机构；壳体围合形成容纳空间以及与该容纳空间相连通的排气口，半导体腔室位于所述容纳空间内；换热器位于容纳空间内，换...

本发明提供一种半导体外延设备及调节其基座与预热环同轴度的方法，其中，半导体外延设备包括同轴度调节系统，用于调节基座与预热环之间的同轴度，同轴度调节系统包括：测距装置，用于检测基座的边缘上多个预设位置与预热环之间在预热环的径向方向上的实际...

本发明实施例提供了一种工艺流程控制方法和一种晶圆清洗设备，所述方法包括：在所述干燥模块完成一批次的晶圆的干燥工艺后，确定未进行干燥工艺的下一批次的晶圆的工艺处理进程信息；根据所述工艺处理进程信息确定所述干燥模块的工作负荷状态；若所述工作...

本发明公开了一种用于反应腔室的电机控制装置及半导体设备，包括：传感器信号反射机构，所述传感器信号反射机构朝向测距传感器的一侧由下至上依次设置有多个信号反射面；所述测距传感器，与所述承载机构同步升降，所述测距传感器用于检测其与所述信号反射...

本发明提供一种清洗设备，其包括腔体、工艺槽和开闭装置，工艺槽设置于腔体内，用于盛放清洗液；开闭装置包括柔性膜、第一卷轴组件和第二卷轴组件；其中，柔性膜覆盖于工艺槽的槽口上，并且具有与工艺槽的槽口相配合的开口部和遮挡部；柔性膜的两端分别卷...

本发明公开了一种碳化硅籽晶与石墨盖的固定方法、石墨盖及生长工艺方法，包括：在碳化硅籽晶的固定面形成金刚石膜层；在石墨盖的粘接面上形成有机胶层；将碳化硅籽晶的背面与所述石墨盖的粘接面相对，使金刚石膜层与有机胶层粘接在一起；对粘接有碳化硅籽...

本发明提供一种顶针装置及其校准方法，上述顶针装置包括至少三个顶针组件、检测单元、控制单元和多个驱动单元。其中，多个驱动单元用于一一对应地驱动各个顶针组件升降；检测单元用于检测每个顶针组件顶端的高度；控制单元用于在校准过程中，控制驱动单元...

本申请涉及E类射频电源输出电路。本申请的技术方案，通过开关导通不同电感，来调节电感与第一电容C1构成的串联谐振电路的谐振频率，方便地实现谐振点变换，从而拓宽E类射频电源的带宽，使射频电源的电压和电流在需求带宽内保持稳定的线性关系，提高需...

本发明公开了一种场发射器件结构的制造方法及场发射器件结构。该方法包括：提供作为阴极材料的N型单晶硅片；在N型单晶硅片的上表面形成图案化的光刻胶层，光刻胶层包括多个彼此间隔且呈阵列排布的光刻胶遮盖单元；对光刻胶层暴露出的待刻蚀区域进行等离...

本申请公开一种半导体工艺设备及其检修方法，半导体工艺设备包括控制装置、第一驱动组件、影像采集装置和检修机械手，其中：所述控制装置包括箱体和箱门，所述箱体包括连通的收容腔和开口，所述箱门在所述开口处活动连接于所述箱体；所述第一驱动组件与所...