晶圆升降装置及工艺腔室制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种晶圆升降装置及工艺腔室，其中，晶圆升降装置用于工艺腔室，包括支撑组件、第一驱动部件和第二驱动部件，支撑组件用于可升降的穿设在工艺腔室的基座中，对基座上的晶圆进行升降；第一驱动部件的驱动端与支撑组件连接，用于直接驱动支撑组件升降，第二驱动部件的驱动端与第一驱动部件的固定端连接，用于通过驱动第一驱动部件升降，来带动支撑组件升降，第一驱动部件与第二驱动部件的驱动速度及驱动压力均不同。本发明专利技术提供的晶圆升降装置、基座及工艺腔室，能够提高晶圆升降的稳定性及灵活性，从而提高半导体工艺的稳定性及灵活性。活性。活性。

【技术实现步骤摘要】
晶圆升降装置及工艺腔室


[0001]本专利技术涉及半导体设备
，具体地，涉及一种晶圆升降装置及工艺腔室。

技术介绍

[0002]在半导体工艺中，为了对晶圆进行承载，并使晶圆具有较高的利用率，且避免晶圆在工艺中出现移动或错位的情况，常常使用能够通过库仑力(也称静电力)的静电卡盘对晶圆进行吸附承载。在半导体工艺进行前后，机械手传输晶圆需要配合升降装置支撑晶圆升降，将晶圆从机械手上取下放置于静电卡盘上，或从静电卡盘上顶起放置于机械手上，来完成晶圆的传输。
[0003]现有的一种升降装置包括支撑组件和一个气缸，支撑组件用于与晶圆接触支撑晶圆，气缸与支撑组件连接，气缸通过驱动支撑组件升降，以带动晶圆升降，为了满足半导体工艺节奏，气缸驱动支撑组件升降需要满足一定的速度以及压力。
[0004]但是，气缸的速度及压力需要手动对与其连接的调压阀及调速阀进行调节，因此，升降装置在升降晶圆的过程中，气缸的速度及压力是无法改变的，而在气缸驱动支撑组件升降，带动晶圆升降的瞬间，若气缸驱动支撑组件的速度过快，则可能会导致晶圆晃动，使晶圆产生偏移，对后本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆升降装置，用于工艺腔室，其特征在于，包括支撑组件、第一驱动部件和第二驱动部件，所述支撑组件用于可升降的穿设在所述工艺腔室的基座中，对所述基座上的晶圆进行升降；所述第一驱动部件的驱动端与所述支撑组件连接，用于直接驱动所述支撑组件升降，所述第二驱动部件的驱动端与所述第一驱动部件的固定端连接，用于通过驱动所述第一驱动部件升降，来带动所述支撑组件升降，所述第一驱动部件与第二驱动部件的驱动速度及驱动压力均不同。2.根据权利要求1所述的晶圆升降装置，其特征在于，所述第一驱动部件包括第一气缸，所述第二驱动部件包括第二气缸，所述第一气缸的驱动速度和驱动压力分别小于所述第二气缸的驱动速度和驱动压力。3.根据权利要求2所述的晶圆升降装置，其特征在于，所述晶圆升降装置还包括第一调速组件和第一调压组件，所述第一调速组件用于设置在所述第一气缸的进气管路和排气管路上，分别对所述第一气缸驱动所述支撑组件升降的驱动速度进行调节，所述第一调压组件用于设置在所述第一气缸的进气管路和排气管路上，分别对所述第一气缸驱动所述支撑组件升降的驱动压力进行调节；和/或，所述晶圆升降装置还包括第二调速组件和第二调压组件，所述第二调速组件用于设置在所述第二气缸的进气管路和排气管路上，分别对所述第二气缸驱动所述支撑组件升降的驱动速度进行调节，所述第二调压组件用于设置在所述第二气缸的进气管路和排气管路上，分别对所述第二气缸驱动所述支撑组件升降的驱动压力进行调节。4.根据权利要求2所述的晶圆升降装置，其特征在于，所述第一气缸的驱动速度为0.5m/s
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1m/s，驱动压力为0.1MPa
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0.2MPa，所述第二气缸的驱动速度为3.5m/s
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4m/s，驱动压力为0.3MPa
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0.4MPa。5.根据权利要求2所述的晶圆升降装置，其特征在于，所述第一气缸上设有第一测位组件，用于对所述第一气缸驱动所述支撑组件升降的位置进行检测；和/或，所述第二气缸上设有第二测位组件，用于对所述第二气缸驱动所述第一气缸升降的位置进行...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜如意，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：