用于半导体工艺的工艺腔室制造技术

本实用新型专利技术公开一种用于半导体工艺的工艺腔室，涉及半导体加工技术领域。该工艺腔室包括内衬、内衬接地件、真空螺钉、密封组件和腔体，内衬设置于腔体内，腔体设置有抽气端，抽气端用于抽取腔体内的气体，内衬接地件设置于内衬朝向抽气端的一侧；内衬设置有装配孔，真空螺钉穿过装配孔并与内衬接地件相连，内衬接地件开设有螺孔和排气孔，螺孔与真空螺钉螺纹配合，排气孔的第一端与螺孔的连通，排气孔的第二端与内衬接地件的远离内衬一侧连通；密封组件包括螺钉帽，螺钉帽套设于真空螺钉的远离内衬接地件的一端，且螺钉帽与内衬密封配合。该方案能解决工艺腔室容易被颗粒物污染的问题。方案能解决工艺腔室容易被颗粒物污染的问题。方案能解决工艺腔室容易被颗粒物污染的问题。

【技术实现步骤摘要】
用于半导体工艺的工艺腔室


[0001]本技术涉及半导体加工
，尤其涉及一种用于半导体工艺的工艺腔室。

技术介绍

[0002]半导体加工工艺中，先将高真空状态下的特殊气体，例如：氩气、氦气、氮气、氢气等电离，以产生含有大量的电子、离子、激发态的原子、分子和自由基等活性粒子的工艺气体。将晶圆曝露于包含工艺气体的工艺腔室内，以使工艺气体与晶圆相互作用，进而使得晶圆材料表面发生物理变化和化学反应，从而使材料表面性能发生变化，完成晶圆的刻蚀工艺。
[0003]随着集成电路制程的不断升级，对用于半导体工艺的工艺腔室内的洁净环境要求越高。

技术实现思路

[0004]本技术公开一种用于半导体工艺的工艺腔室，以解决相关技术中工艺腔室容易被颗粒物污染的问题。
[0005]为了解决上述问题，本技术采用下述技术方案：
[0006]本技术公开的用于半导体工艺的工艺腔室包括内衬、内衬接地件、真空螺钉、密封组件和腔体，
[0007]内衬设置于腔体内，腔体设置有抽气端，抽气端用于抽取腔体内的气体，内衬接地件设置于内衬朝向抽气端的一侧；内衬设置有装配孔，真空螺钉穿过装配孔并与内衬接地件相连，
[0008]内衬接地件开设有螺孔和排气孔，螺孔与真空螺钉螺纹配合，排气孔的第一端与螺孔的连通，排气孔的第二端与内衬接地件的远离内衬一侧连通；
[0009]密封组件包括螺钉帽，螺钉帽套设于真空螺钉的远离内衬接地件的一端，且螺钉帽与内衬密封配合。
[0010]本技术采用的技术方案能够达到以下有益效果：
[0011]本技术实施例公开的半导体工艺设备中，通过在内衬接地件上设置与螺孔连通的排气孔，使得螺孔底部的气体可以沿排气孔排出，进而无需在螺钉帽设置通孔。并且，螺钉帽与内衬密封配合，进而可以避免真空螺钉与螺孔安装产生的颗粒物进入工艺腔室，达到防止颗粒物污染工艺腔室中位于内衬的原理内衬接地件一侧的空间。
附图说明
[0012]此处所说明的附图用来提供对本技术的进一步理解，构成本技术的一部分，本技术的示意性实施例及其说明用于解释本技术，并不构成对本技术的不当限定。在附图中：
[0013]图1为本技术一种实施例公开的工艺腔室的示意图；
[0014]图2为图1中A处放大图；
[0015]图3为本技术一种实施例公开的固定件与螺钉帽的装配后在第一视角的示意图；
[0016]图4为本技术一种实施例公开的固定件与螺钉帽的装配后的剖面图；
[0017]图5为本技术一种实施例公开的螺钉帽的在第一视角的示意图；
[0018]图6为本技术一种实施例公开的螺钉帽的剖面示意图；
[0019]图7为本技术一种实施例公开的固定件的示意图；
[0020]图8为相关技术中工艺腔室的示意图；
[0021]图9为图8中B处放大图。
[0022]图中：100
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内衬；200
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内衬接地件；210
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螺孔；220
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排气孔；300
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真空螺钉；310
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中心孔；400
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树脂帽；410
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抽气孔；500
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密封组件；510
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螺钉帽；511
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容纳槽；5111
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第二装配槽；520
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固定件；521
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第一抵接部；5211
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第一装配槽；522
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第二抵接部；523
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弹性连接部；5231
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弧形凸起；5232
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通孔；530
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密封件；600
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射频线圈；700
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腔体；710
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喷嘴；720
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支撑环；730
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介质窗；740
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下电极组件；800
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待加工产品。
具体实施方式
[0023]为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术具体实施例及相应的附图对本技术技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0024]相关技术中，在工艺腔室处于起辉，并加载高射频功率的状态下，工艺腔室内部布满等离子体。为了避免射频泄漏，需要将腔体700与内衬100接地，以实现自由等离子体接地。参照图8和图9，用于半导体工艺的工艺腔室，包括内衬100、内衬接地件200、真空螺钉300、树脂帽400和腔体700。其中，腔体700为内衬100、内衬接地件200、真空螺钉300和/或树脂帽400提供安装基础。参照图8和图9，腔体700中设置有下电极组件740。内衬100的外圈通过腔体700接地，内衬100的内圈通过下电极组件740接地。示例性地，内衬100凹陷部位的底部通过内衬接地件200与下电极组件740相连，以实现内衬100接地。内衬接地件200可以增强内衬100的接地效果，从而可以提高泯灭等离子体的效果，降低内衬100凹陷部位的底部与下电极组件740之间发射放电现象的风险。
[0025]参照图8，相关技术中，内衬100通过真空螺钉300与内衬接地件200装配。为了便于真空螺钉300与螺孔210底部之间的气体排出，需要在树脂帽400设置抽气孔410，以便真空螺钉300与螺孔210的底部之间的气体排出。由于真空螺钉300装配至螺孔210的过程中，真空螺钉300与螺孔210之间的相互摩擦产生的金属颗粒会沉积于真空螺钉300与螺孔210的底部之间的间隙内。因此，在抽取工艺腔室内气体的过程中，位于真空螺钉300与螺孔210底部之间的间隙内的金属颗粒容易随气流沿真空螺钉300和树脂帽400上的抽气孔410进入工艺腔室，进而容易造成工艺腔室内颗粒污染和金属污染。为此，本申请实施例公开了一种用于半导体工艺的工艺腔室，以解决相关技术中工艺腔室容易被颗粒物污染的问题。
[0026]以下结合图1至图7，详细说明本技术各个实施例公开的技术方案。
[0027]参照图1和图2，本技术一种实施例公开的用于半导体工艺的工艺腔室包括内衬100、内衬接地件200、真空螺钉300、密封组件500和腔体700。其中，腔体700为基础结构件，可以为内衬100、内衬接地件200提供安装基础。
[0028]参照图1，内衬接地件200和内衬100设置于腔体700内，腔体700设置有抽气端，抽气端用于抽取腔体700内的气体，以满足半导体工艺所需。内衬接地件200可以设置于内衬100朝向抽气端的一侧。
[0029]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于半导体工艺的工艺腔室，其特征在于，包括内衬(100)、内衬接地件(200)、真空螺钉(300)、密封组件(500)和腔体(700)，所述内衬(100)设置于所述腔体(700)内，所述腔体(700)设置有抽气端，所述抽气端用于抽取所述腔体(700)内的气体，所述内衬接地件(200)设置于所述内衬(100)朝向抽气端的一侧；所述内衬(100)设置有装配孔，所述真空螺钉(300)穿过所述装配孔并与所述内衬接地件(200)相连，所述内衬接地件(200)开设有螺孔(210)和排气孔(220)，所述螺孔(210)与所述真空螺钉(300)螺纹配合，所述排气孔(220)的第一端与所述螺孔的连通，所述排气孔(220)的第二端与所述内衬接地件(200)的远离所述内衬(100)一侧连通；所述密封组件(500)包括螺钉帽(510)，所述螺钉帽(510)套设于所述真空螺钉(300)的远离所述内衬接地件(200)的一端，且所述螺钉帽(510)与所述内衬(100)密封配合。2.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述密封组件(500)还包括固定件(520)，所述真空螺钉(300)的数量为至少两个，所述螺钉帽(510)设置有容纳槽(511)，所述固定件(520)至少部分位于所述容纳槽(511)内，所述固定件(520)与所述容纳槽(511)过盈配合，并将所述容纳槽(511)分为两个凹槽，两个所述凹槽分别用于和两个所述真空螺钉(300)的端部配合；所述固定件(520)与两个相邻的所述真空螺钉(300)过盈配合。3.根据权利要求2所述的工艺腔室，其特征在于，所述固定件(520)包括第一抵接部(521)、第二抵接部(522)和弹性连接部(523)，所述第一抵接部(521)和所述第二抵接部(522)分别设置于所述弹性连接部(523)的两端，且所述第一抵接部(521)和第二抵接部(52...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭士选，黄亚辉，刘钊成，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：新型
国别省市：