一种超低温晶圆注入平台制造技术

本发明专利技术提供一种超低温晶圆注入平台，超低温晶圆注入平台至少包括前端晶圆传送模块、装载模块、真空传送模块、真空冷却模块、真空注入模块和真空升温模块，前各个模块相互配合且形成一个有机整体；该有机整体实现超低温晶圆离子注入；在真空冷却模块中，通过冷却晶圆的冷却平台和吸附晶圆的静电吸盘一起快速降温晶圆，使得晶圆处于超低温状态，所述超低温状态的温度低于零下50摄氏度。本发明专利技术有效抑制了离子注入过程中的动态退火，使得间隙位置原子无法再回到晶格替代位置，使得非晶包数目变多、非晶包范围逐步扩大，最后所有非晶包的边界连接在一起形成完整的非晶层；本发明专利技术实现了超低温离子注入，形成了完整的非晶层。形成了完整的非晶层。形成了完整的非晶层。

【技术实现步骤摘要】
一种超低温晶圆注入平台


[0001]本专利技术属于半导体制造加工领域，涉及一种超低温晶圆注入平台，其适用于离子注入设备。

技术介绍

[0002]半导体器件在很长的一段时间内一直向着小型化发展，根据摩尔定律，集成电路芯片单位面积上所集成的半导体器件数目每隔18个月就将翻一倍，而伴随着半导体器件的小型化，半导体器件内部大部分结构势必要等比例缩小，目前半导体器件的关键尺寸业已达到纳米或深纳米级。如何制造半导体器件内的超浅结、突变结，如何更完整地修复半导体器件制造过程的离子注入射程末端缺陷（EOR Damage），成为提高互补金属氧化物半导体性能的关键。现有理论研究表明，为了解决上述技术难题，一般需要对晶圆表面进行非晶化处理。
[0003]非晶化处理技术一般为使用碳、锗等不显电性的原子打乱晶圆表面单晶硅的原有晶体结构，使单晶硅变成非晶态(α
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Si)。离子注入是近年来半导体制造中使单晶硅变成非晶态获得广泛应用的技术之一，其原理是将某电中性的原子或者分子电离，再以一定能量和剂量将所需离子束沿一定角度入射到衬底材料（如晶圆）之中，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种超低温晶圆注入平台，其特征在于，其至少包括前端晶圆传送模块、装载模块、真空传送模块、真空冷却模块、真空注入模块和真空升温模块，前端晶圆传送模块、装载模块、真空传送模块、真空冷却模块、真空注入模块和真空升温模块相互配合且形成一个有机整体；该有机整体实现超低温晶圆离子注入；在真空冷却模块中，通过冷却晶圆的冷却平台和吸附晶圆的静电吸盘一起快速降温晶圆，使得晶圆处于超低温状态，所述超低温状态的温度低于零下50摄氏度；真空传送模块中包括对准平台（22）、前真空传送机械手（21）和后真空传送机械手（23），对准平台（22）用于确定和校准晶圆的缺口位置，以确保晶圆在正确的角度和位置进行注入；对准平台（22）采用机械对位或光学对位进行对准，对准平台（22）位于前真空传送机械手（21）和后真空传送机械手（23）之间的位置。2.根据权利要求1所述的超低温晶圆注入平台，其特征在于，前端晶圆传送模块、装载模块、真空传送模块、真空冷却模块、真空注入模块和真空升温模块均单独设有对应结构的腔室；在整个晶圆冷却、晶圆离子注入及转移过程中，前端晶圆传送模块、装载模块、真空传送模块、真空冷却模块、真空注入模块和真空升温模块均处于真空状态。3.根据权利要求2所述的超低温晶圆注入平台，其特征在于，在晶圆离子注入过程中，真空传送模块、真空冷却模块和真空注入模块处于真空低温工作环境中，并实现晶圆在超低温环境下的加工和传送；并且真空传送模块和真空注入模块的工作环境温度高于真空冷却模块的工作环境温度。4.根据权利要求3所述的超低温晶圆注入平台，其特征在于，在真空...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈炯，王振辉，孙蒿泉，康劲，高国珺，雷晓刚，张彦彬，李恒，王辉，卢合强，刘金涛，肖嘉星，洪俊华，关天祺，
申请(专利权)人：北京凯世通半导体有限公司，
类型：发明
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