一种半导体刻蚀设备制造技术

本发明专利技术提供了一种半导体刻蚀设备，包括：电子吸附盘，用于吸附晶圆；内上电极，设置在电子吸附盘正上方，与电子吸附盘形成电场；环状组件，安装在电子吸附盘一侧；其中，环状组件包括上下依次设置的边缘环、连接环、绝缘环和第二连接件，电子吸附盘上设置有第二连接槽，绝缘环通过设置在第二连接槽内部的第二连接件与电子吸附盘固定连接，第二连接件上设置有第二绝缘件，第二绝缘件包括第二绝缘盖，第二绝缘盖表面一侧设置有连接孔，第二连接件顶端通过连接孔与第二绝缘盖连接，第二绝缘盖侧壁和第二连接槽的内壁螺纹连接，有效减少在绝缘环和电子吸附盘之间的电弧放电现象，对半导体设备起到保护作用。备起到保护作用。备起到保护作用。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体刻蚀设备


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体刻蚀设备。

技术介绍

[0002]在半导体干法刻蚀设备中，电子吸附盘作为下电极，晶圆放在下电极上，并整体处于上下电极形成的电浆中，通过高能离子在电场中加速轰击晶圆并于需去除的材料发生化学反应，从而得到所需要的图案。但是高能离子的活性很强，偶尔会穿过零配件之间的间隙，比如与绝缘环和电子吸附盘之间的金属固定螺丝形成电弧放电现象，造成设备损坏或晶圆报废，并需要很长时间的保养才能恢复生产。
[0003]现有的技术在金属固定螺丝的上方加一个陶瓷的盖片，试图减少金属固定螺丝的暴露，从而达到减少电弧放电的几率，但是采用这种方式并不能完全切断电弧放电的路线，由于增加的盖片与螺丝孔之间存在较大的间隙，仍然会存在电弧放电现象，影响半导体设备的刻蚀效果。
[0004]因此，有必要提供一种新型的半导体刻蚀设备以解决现有技术中存在的上述问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于提供一种半导体刻蚀设备，有效减少在绝缘环和电子吸附盘之间的电弧放电现象，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体刻蚀设备，其特征在于，包括：电子吸附盘，用于吸附晶圆；内上电极，设置在所述电子吸附盘正上方，与所述电子吸附盘形成电场；环状组件，安装在所述电子吸附盘一侧；其中，所述环状组件包括上下依次设置的边缘环、连接环、绝缘环和第二连接件，所述电子吸附盘上设置有第二连接槽，所述绝缘环通过设置在所述第二连接槽内部的第二连接件与所述电子吸附盘固定连接，所述第二连接件上设置有第二绝缘件，所述第二绝缘件包括第二绝缘盖，所述第二绝缘盖表面一侧设置有连接孔，所述第二连接件顶端通过所述连接孔与所述第二绝缘盖连接，所述第二绝缘盖侧壁和所述第二连接槽的内壁螺纹连接。2.根据权利要求1所述的半导体刻蚀设备，其特征在于，所述第二绝缘盖为圆柱形，所述第二连接槽包括上下设置的螺头槽和螺柱槽，所述第二绝缘盖的直径与所述第二连接槽的螺头槽的内径相同，所述第二绝缘盖侧壁设置有外螺纹，所述螺头槽内壁设置有与所述外螺纹相匹配的内螺纹。3.根据权利要求1所述的半导体刻蚀设备，其特征在于，所述第二绝缘盖远离所述连接孔的一侧还连接有旋转头，所述旋转头表面设置有切口槽。4.根据权利要求1至3任一项所述的半导体刻蚀设备，其特征在于，所述环状组件还包括第一连接件，所述连接环上设置有第一连接槽，所述第一连接件设置在所述第一连接槽内，所述连接环通过设置在所述第一连接槽的第一连接件与所述电子吸附盘固定连接，所述第一连接件上也设置有所述第二绝缘件，所述第二绝缘件侧壁与所述第一连接槽内壁螺纹连接。5.根据权利要求1至3任一项所述的半导体刻蚀设备，其特征在于，所述环状...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙虎，
申请(专利权)人：上海诺硕电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：