一种半导体刻蚀设备制造技术

本发明专利技术提供了一种半导体刻蚀设备，包括：电子吸附盘，用于吸附晶圆；内上电极，设置在电子吸附盘正上方，与电子吸附盘形成电场；环状组件，安装在电子吸附盘一侧；其中，环状组件包括上下依次设置的边缘环、连接环、绝缘环和第二连接件，电子吸附盘上设置有第二连接槽，绝缘环通过设置在第二连接槽内部的第二连接件与电子吸附盘固定连接，第二连接件上设置有第二绝缘件，第二绝缘件包括第二绝缘盖，第二绝缘盖表面一侧设置有连接孔，第二连接件顶端通过连接孔与第二绝缘盖连接，第二绝缘盖侧壁和第二连接槽的内壁螺纹连接，有效减少在绝缘环和电子吸附盘之间的电弧放电现象，对半导体设备起到保护作用。备起到保护作用。备起到保护作用。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体刻蚀设备


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体刻蚀设备。

技术介绍

[0002]在半导体干法刻蚀设备中，电子吸附盘作为下电极，晶圆放在下电极上，并整体处于上下电极形成的电浆中，通过高能离子在电场中加速轰击晶圆并于需去除的材料发生化学反应，从而得到所需要的图案。但是高能离子的活性很强，偶尔会穿过零配件之间的间隙，比如与绝缘环和电子吸附盘之间的金属固定螺丝形成电弧放电现象，造成设备损坏或晶圆报废，并需要很长时间的保养才能恢复生产。
[0003]现有的技术在金属固定螺丝的上方加一个陶瓷的盖片，试图减少金属固定螺丝的暴露，从而达到减少电弧放电的几率，但是采用这种方式并不能完全切断电弧放电的路线，由于增加的盖片与螺丝孔之间存在较大的间隙，仍然会存在电弧放电现象，影响半导体设备的刻蚀效果。
[0004]因此，有必要提供一种新型的半导体刻蚀设备以解决现有技术中存在的上述问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于提供一种半导体刻蚀设备，有效减少在绝缘环和电子吸附盘之间的电弧放电现象，对半导体设备起到保护作用。
[0006]为实现上述目的，本专利技术的所述一种半导体刻蚀设备，包括：
[0007]电子吸附盘，用于吸附晶圆；
[0008]内上电极，设置在所述电子吸附盘正上方，与所述电子吸附盘形成电场；
[0009]环状组件，安装在所述电子吸附盘一侧；
[0010]其中，所述环状组件包括上下依次设置的边缘环、连接环、绝缘环和第二连接件，所述电子吸附盘上设置有第二连接槽，所述绝缘环通过设置在所述第二连接槽内部的第二连接件与所述电子吸附盘固定连接，所述第二连接件上设置有第二绝缘件，所述第二绝缘件包括第二绝缘盖，所述第二绝缘盖表面一侧设置有连接孔，所述第二连接件顶端通过所述连接孔与所述第二绝缘盖连接，所述第二绝缘盖侧壁和所述第二连接槽的内壁螺纹连接。
[0011]本专利技术所述半导体刻蚀设备的有益效果在于：通过采用第二绝缘件对第二连接件进行绝缘保护，从而使得连接环和绝缘环之间的第二连接件被有效绝缘，从而减少电子吸附盘和绝缘环之间的电弧放电的现象出现，对半导体刻蚀设备起到保护作用。
[0012]在一种可能的实施方式中，所述第二绝缘盖为圆柱形，所述第二连接槽包括上下设置的螺头槽和螺柱槽，所述第二绝缘盖的直径与所述第二连接槽的螺头槽的内径相同，所述第二绝缘盖侧壁设置有外螺纹，所述螺头槽内壁设置有与所述外螺纹相匹配的内螺纹。其有益效果在于：所述第二绝缘盖通过外螺纹与第二连接槽的螺柱槽内壁的内螺纹连
接，从而便于安装第二绝缘件，方便使用。
[0013]在一种可能的实施方式中，所述第二绝缘盖远离所述连接孔的一侧还连接有旋转头，所述旋转头表面设置有切口槽。
[0014]在一种可能的实施方式中，所述环状组件还包括第一连接件，所述连接环上设置有第一连接槽，所述第一连接件设置在所述第一连接槽内，所述连接环通过设置在所述第一连接槽的第一连接件与所述电子吸附盘固定连接，所述第一连接件上也设置有所述第二绝缘件，所述第二绝缘件侧壁与所述第一连接槽内壁螺纹连接。
[0015]在一种可能的实施方式中，所述环状组件还包括第一连接件，所述连接环上设置有第一连接槽，所述连接环通过设置在所述第一连接槽的第一连接件与所述电子吸附盘固定连接，所述第一连接件上设置有第一绝缘件，所述第一连接槽侧壁均设置有弧形槽，所述第一绝缘件包括第一绝缘盖，所述绝缘盖两侧均连接有凸起，所述凸起底端连接有插入所述弧形槽的卡接柱，所述绝缘盖通过所述卡接柱插入所述弧形槽，以固定安装在所述第一连接槽内部。其有益效果在于：通过采用第一绝缘件对第一连接件进行绝缘保护，从而使得连接环和电子吸附盘之间的第二连接件被有效绝缘，从而进一步减少电弧放电的现象出现，对半导体刻蚀设备起到保护作用
[0016]在一种可能的实施方式中，所述第一连接件包括第一螺柱和第一螺头，所述第一螺柱与所述第一连接槽底部螺纹连接，所述第一螺柱上螺旋连接有异形垫片和至少止锁垫片，所述异形垫片设置在至少两个所述止锁垫片之间，所述异形垫片边缘处连接有固定件，所述固定件卡合在所述弧形槽内部，所述卡接柱插入所述弧形槽后与所述固定件接触。其有益效果在于：在第一连接件固定在第一连接槽内部之后，第一绝缘件的卡接柱插入弧形槽以与异形垫片边缘处的固定件接触连接，从而保证第一绝缘件安装时的稳定性。
[0017]在一种可能的实施方式中，所述卡接柱外壁设置有弧形结构，所述弧形结构与所述弧形槽相匹配。
[0018]在一种可能的实施方式中，所述第一绝缘盖底面设置有卡合槽，所述第一绝缘盖通过所述卡合槽与所述第一连接件顶端连接。
[0019]在一种可能的实施方式中，所述第一连接件和所述第二连接件均采用工程塑料材料或者陶瓷材料。
[0020]在一种可能的实施方式中，所述第一连接件和所述第二连接件表面设置有一层绝缘镀层。
[0021]在一种可能的实施方式中，所述第一绝缘件完全覆盖所述第一连接件，所述第二绝缘件完全覆盖所述第二连接件。
附图说明
[0022]图1为本专利技术实施例所述的一种半导体刻蚀设备的整体结构图；
[0023]图2为本专利技术实施例所述的一种半导体刻蚀设备的第二绝缘件的截面结构图；
[0024]图3为本专利技术实施例所述的一种半导体刻蚀设备的第一连接件和第二连接件均设置第二绝缘件时的结构图；
[0025]图4为本专利技术实施例所述的一种半导体刻蚀设备的第一连接件采用第一绝缘件、第二连接件采用第二绝缘件时的结构图；
[0026]图5为本专利技术实施例所述的一种半导体刻蚀设备的第一绝缘件的结构图。
具体实施方式
[0027]为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。除非另外定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本专利技术所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本文中使用的“包括”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。
[0028]针对现有技术存在的问题，本专利技术的实施例提供了一种半导体刻蚀设备，如图1所示，包括：
[0029]电子吸附盘1，用于吸附晶圆；
[0030]内上电极2，设置在所述电子吸附盘1正上方，与所述电子吸附盘1之间形成电场；
[0031]固定组件3，安装在所述电子吸附盘1侧面；
[0032]其中，所述环状组件3包括上下依次设置的边缘环301、连接环302、绝缘环303和第二连接件307，所述电子吸附盘1上设置有第二连接槽308，所述绝缘环3通过设置在所述第二连接槽308内部的第二连接件307与本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体刻蚀设备，其特征在于，包括：电子吸附盘，用于吸附晶圆；内上电极，设置在所述电子吸附盘正上方，与所述电子吸附盘形成电场；环状组件，安装在所述电子吸附盘一侧；其中，所述环状组件包括上下依次设置的边缘环、连接环、绝缘环和第二连接件，所述电子吸附盘上设置有第二连接槽，所述绝缘环通过设置在所述第二连接槽内部的第二连接件与所述电子吸附盘固定连接，所述第二连接件上设置有第二绝缘件，所述第二绝缘件包括第二绝缘盖，所述第二绝缘盖表面一侧设置有连接孔，所述第二连接件顶端通过所述连接孔与所述第二绝缘盖连接，所述第二绝缘盖侧壁和所述第二连接槽的内壁螺纹连接。2.根据权利要求1所述的半导体刻蚀设备，其特征在于，所述第二绝缘盖为圆柱形，所述第二连接槽包括上下设置的螺头槽和螺柱槽，所述第二绝缘盖的直径与所述第二连接槽的螺头槽的内径相同，所述第二绝缘盖侧壁设置有外螺纹，所述螺头槽内壁设置有与所述外螺纹相匹配的内螺纹。3.根据权利要求1所述的半导体刻蚀设备，其特征在于，所述第二绝缘盖远离所述连接孔的一侧还连接有旋转头，所述旋转头表面设置有切口槽。4.根据权利要求1至3任一项所述的半导体刻蚀设备，其特征在于，所述环状组件还包括第一连接件，所述连接环上设置有第一连接槽，所述第一连接件设置在所述第一连接槽内，所述连接环通过设置在所述第一连接槽的第一连接件与所述电子吸附盘固定连接，所述第一连接件上也设置有所述第二绝缘件，所述第二绝缘件侧壁与所述第一连接槽内壁螺纹连接。5.根据权利要求1至3任一项所述的半导体刻蚀设备，其特征在于，所述环状...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙虎，
申请(专利权)人：上海诺硕电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：