【技术实现步骤摘要】
密封槽及半导体真空设备
[0001]本技术涉及半导体制造领域,尤其涉及一种密封槽及半导体真空设备。
技术介绍
[0002]半导体制造,经常需要在能制造真空环境的半导体真空设备中进行,半导体真空设备一般包括真空箱和与所述真空箱盖合的盖板,盖板通常为石英制成,硬度较大,而真空箱通常由金属材料制成,也是高硬度的,故而为了保证密封效果,在盖板和真空箱之间需要使用密封圈加以密封。申请号为CN201920486577.6的中国专利公开了一种半导体设备,所述半导体设备包括腔体、密封门和隔板,述腔体具有开口,以及围绕所述开口设置的朝腔内凹陷的凹槽;所述隔板可拆卸地嵌设于所述凹槽内;所述密封门位于所述腔体外且相对所述腔体可移动,以遮蔽所述开口,所述密封门的一侧表面内嵌设有密封圈。该专利是在凹槽内放置隔板,密封圈嵌在密封门中以保证密封效果。但在密封门开设嵌入密封圈的容纳槽的加工步骤复杂,而且密封效果不佳。
[0003]图1为现有技术中半导体真空设备的结构剖视示意图,如图1所示,通常是在原真空箱40与原盖板30贴合的一端面设有放置原密封圈 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种密封槽,所述密封槽的开口端设有压合件,所述密封槽内放置密封圈,所述密封圈高于所述密封槽的顶端面并与所述压合件贴合,其特征在于,所述密封槽的内侧面设有至少一个缓冲部,所述缓冲部向所述密封槽的内侧面内凹陷。2.根据权利要求1所述密封槽,其特征在于,所述密封槽的同一径向方向的部分内侧面设有缓冲部。3.根据权利要求1所述密封槽,其特征在于,所述密封槽的同一径向方向的全部内侧面设有缓冲部。4.根据权利要求1所述密封槽,其特征在于,所述缓冲部的径向深度相同或不同。5.根据权利要求1所述密封槽,其特征在于,所述缓冲部的径向深度不超过所述密封槽的侧壁的厚度的30%。6.根据权利要求1所述密封槽,其特征在于,所述缓冲部的纵向高度大于等于所述密封槽的深度的10%。7.根据权利要求6所述密封槽,其特征在于,所述缓冲部靠近所述密封槽的内底面的一端与所述密封槽的内底面的距离等于0,或大于0且小于等于所述密封槽的深度的90%。8.根据权利要求6所述密封槽,其特征在于,所述密封槽的同一纵向方向的内侧面设置至少2个所述缓冲部,且相邻的两个所述缓冲部相靠近的两端的距离等于0,或大于0且小于等于所述密封槽的深度的80%。9.根据权利要求1所述密封槽,其特...
【专利技术属性】
技术研发人员:孙虎,
申请(专利权)人:上海诺硕电子科技有限公司,
类型:新型
国别省市:
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