一种缓冲腔和晶圆传送系统技术方案

一种缓冲腔和晶圆传送系统，缓冲腔包括：缓冲腔室主体；位于所述缓冲腔室主体中的冷却盘，所述冷却盘包括晶圆接触区；位于所述晶圆接触区侧部且贯穿所述冷却盘的位移口；升降单元，所述升降单元包括位于所述缓冲腔室主体中的支撑组件，所述支撑组件适于支撑晶圆的边缘，所述支撑组件适于在所述位移口的上方、位移口中、以及所述位移口的下方做往复运动。所述缓冲腔具有能够对缓冲腔进行破真空和对晶圆冷却的双重功能，提高了工艺过程中对晶圆的传送效率。传送效率。传送效率。

【技术实现步骤摘要】
一种缓冲腔和晶圆传送系统


[0001]本技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种缓冲腔和晶圆传送系统。

技术介绍

[0002]在半导体制造中，在某些高温半导体工艺中，如某些CVD或者去胶工艺，完成加工工艺后的晶圆温度较高，无法直接传至晶圆盒中。通常的做法是将晶圆经由下述路径进行冷却操作：工艺腔
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传送腔
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缓冲腔（真空转大气）
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冷却平台
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晶圆盒，其中，真空传送机器人完成“工艺腔
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传送腔
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缓冲腔”，大气传送机器人完成“缓冲腔（真空转大气）
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冷却平台
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晶圆盒”。
[0003]上述对晶圆的传送过程中，相对于常温晶圆传送平台多了一层传送操作，即由“缓冲腔（真空转大气）
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晶圆盒”变成“缓冲腔（真空转大气）
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冷却平台
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晶圆盒”，这种传送操作大大降低了设备前端模块的大气机器人的传送效率。对于短工艺特别是超短工艺，单位时间内的晶圆产出强烈依赖于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种缓冲腔，其特征在于，包括：缓冲腔室主体；位于所述缓冲腔室主体中的冷却盘，所述冷却盘包括晶圆接触区；位于所述晶圆接触区侧部且贯穿所述冷却盘的位移口；升降单元，所述升降单元包括位于所述缓冲腔室主体中的支撑组件，所述支撑组件适于支撑晶圆的边缘，所述支撑组件适于在所述位移口的上方、位移口中、以及所述位移口的下方做往复运动。2.根据权利要求1所述的缓冲腔，其特征在于，所述升降单元还包括:升降杆，部分所述升降杆位于所述缓冲腔室主体内部且与所述支撑组件连接，且所述支撑组件与所述升降杆垂直，所述支撑组件与所述升降杆呈“L”形，所述升降杆穿过所述位移口且适于相对于所述位移口进行升降移动。3.根据权利要求2所述的缓冲腔，其特征在于，所述升降杆的一端延伸在所述缓冲腔室主体的外部；所述升降单元还包括:位于所述缓冲腔室主体的外部且与所述升降杆连接的升降气缸。4.根据权利要求1所述的缓冲腔，其特征在于，所述冷却盘为若干层，若干层冷却盘在所述缓冲腔室主体中自上至下分立排布；所述升降单元中的支撑组件具有若干层，若干层支撑组件的排布方向平行于若干层冷却盘的排布方向；一层冷却盘对应一层支撑组件。5.根据权利要求1所述的缓冲腔，其特征在于，对于一个晶圆接触区，所述晶圆接触区侧部的位移口的数量为多个，多个位移口围绕所述晶圆接触区均匀且分立的分布。6.根据权利要求1所述的缓冲腔，其特征在于，包括：所述缓冲腔室主体包括上缓冲腔室主体和位于所述上缓冲腔室主体下方的下缓冲腔室主体；所述冷却盘包括上冷却盘和下冷却盘，所述上冷却盘位于所述上缓冲腔室主体中，所述上冷却盘包括上晶圆接触区，所述上冷却盘中具有位于所述上晶圆接触区的侧部且贯穿所述上冷却盘的上位移口，下冷却盘位于所述下缓冲腔室主体中，所述下冷却盘包括下晶圆接触区，所述下冷却盘中具有位于所述下晶圆接触区的侧部且贯穿所述下冷却盘的下位移口；所述升降单元包括第一升降单元和第二升降单元，所述第一升降单元包括位于所述上缓冲腔室主体中的上支撑组件，所述上支撑组件适于支撑晶圆的边缘，所述上支撑组件适于在所述上位移口的上方、上位移口中、以及所...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱勇，张鹏兵，陈世名，
申请(专利权)人：上海谙邦半导体设备有限公司，
类型：新型
国别省市：