一种腔内晶圆寻心系统技术方案

一种腔内晶圆寻心系统，包括：主体腔；位于主体腔内的晶圆夹持平台，晶圆夹持平台的表面适于放置晶圆；贯穿晶圆夹持平台的若干位移孔；分别位于位移孔中的顶针，顶针适于在位移孔中往复移动，使顶针的顶头在高于晶圆夹持平台的上表面的位置至低于晶圆夹持平台的上表面的位置之间变化；若干光学定位单元，各个光学定位单元包括：光学探测部件；光学接收部件，光学探测部件适于向光学接收部件发射探测光，探测光适于部分照射在主体腔中的晶圆的边缘；修正单元，修正单元适于根据光学接收部件获取的光信息修正晶圆的位置。所述腔内晶圆寻心系统能够精确定位晶圆在主体腔中的位置，提高工艺重复性。艺重复性。艺重复性。

【技术实现步骤摘要】
一种腔内晶圆寻心系统


[0001]本技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种腔内晶圆寻心系统。

技术介绍

[0002]在半导体制造中，涉及多道工序，每道工序都是由一定的设备和工艺来完成的。其中，刻蚀工艺是半导体制造中一种重要的工艺，如等离子体刻蚀工艺。等离子体刻蚀工艺是利用反应气体在获得能量后产生等离子体，包含离子、电子等带电粒子以及具有高度化学活性的中性原子、分子及自由基，通过物理和化学的反应对刻蚀对象进行刻蚀。
[0003]然而，在等离子体刻蚀过程中，晶圆边缘的刻蚀条件和晶圆中心的刻蚀条件差别较大，所述刻蚀条件包括：等离子体密度分布、射频电场、温度分布等，因此导致在对晶圆中心区域进行刻蚀的过程中，会在晶圆的边缘上下表面和侧壁沉积副产聚合物。副产聚合物的沉积会随着刻蚀工艺的进行出现累积效应，当副产聚合物的厚度达到一定程度时，副产聚合物与晶圆之间的粘合力就会变差而导致副产聚合物脱落，进而导致晶圆的图形稳定性受到影响以及刻蚀腔室受到污染等一系列的问题。
[0004]鉴于此，业内引入了边缘刻蚀工艺，具体的，将晶圆放置于边缘刻蚀装置中，产本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种腔内晶圆寻心系统，其特征在于，包括：主体腔；位于所述主体腔内的晶圆夹持平台，所述晶圆夹持平台的表面适于放置晶圆；贯穿所述晶圆夹持平台的若干位移孔；分别位于所述位移孔中的顶针，所述顶针适于在所述位移孔中往复移动，使所述顶针的顶头在高于所述晶圆夹持平台的上表面的位置至低于所述晶圆夹持平台的上表面的位置之间变化；若干光学定位单元，各个光学定位单元包括：光学探测部件；光学接收部件，所述光学探测部件适于向所述光学接收部件发射探测光，所述探测光适于部分照射在主体腔中的晶圆的边缘；修正单元，所述修正单元适于根据光学接收部件获取的光信息修正晶圆的位置。2.根据权利要求1所述的腔内晶圆寻心系统，其特征在于，还包括：位于所述晶圆夹持平台底部的顶针位置调节件，所述顶针位置调节件与所述顶针的底端接触。3.根据权利要求1所述的腔内晶圆寻心系统，其特征在于，一个腔内晶圆寻心系统中，所述位移孔的数量至少为三个，所述顶针的数量至少为三个。4.根据权利要求1所述的腔内晶圆寻心系统，其特征在于，一个腔内晶圆寻心系统中，所述若干光学定位单元的数量为至少三个。5.根据权利要求4所述的腔内晶圆寻心系统，其特征在于，一个腔内晶圆寻心系统中，所述若干光学定位单元的数量为四个，四个光学定位单元围绕所述晶圆夹持平台的中心轴均匀分布。6.根据权利要求1所述的腔内晶圆寻心系统，其特征在于，所述腔内晶圆寻...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱勇，张鹏兵，陈世名，
申请(专利权)人：上海谙邦半导体设备有限公司，
类型：新型
国别省市：