【技术实现步骤摘要】
半导体真空设备及温度检测方法
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体真空设备及温度检测方法。
技术介绍
目前，半导体元器件的生产过程涉及很多制作处理工艺，例如：蒸发、溅射、PECVD、干法刻蚀等，在有些工艺中需要用电子束、离子束和分子束等粒子对材料进行照射和轰击，这些工艺如果在大气中处理，则大气的气体分子会与这些粒子发生碰撞，大大缩短粒子的行进路程，将导致绝大多数粒子到达不了材料的表面，影响产品质量。因此，需要在真空设备营造的真空环境中完成反应，例如真空箱，真空箱通常包括一个金属结构的腔体，腔体上部盖合一个通常为石英材料制成的盖板，腔体与盖板之间，采用密封圈密封。在半导体处理工艺中，晶圆刻蚀工艺对温度很敏感，在真空箱中使用等离子体处理晶圆时，虽然盖板和腔体都不直接接触晶圆，但是他们的温度都直接决定了腔内的等离子体的温度，即刻蚀工艺的反应温度。所以，监测盖板的温度以保证每一片晶圆都在相同的环境中进行，保证每次刻蚀工艺做出的晶圆质量保持一致，就非常重要。因为真空箱内部为真空或温度一致的等离子体，故真空箱...
【技术保护点】
1.一种半导体真空设备，包括真空箱体和与所述真空箱体盖合的盖体，其特征在于，所述盖体开设有用于插入温度探测器的通孔，所述盖体的内侧面固定有强化结构，且所述强化结构的设置位置对应于所述通孔的位置以封堵所述通孔。/n
【技术特征摘要】
1.一种半导体真空设备，包括真空箱体和与所述真空箱体盖合的盖体，其特征在于，所述盖体开设有用于插入温度探测器的通孔，所述盖体的内侧面固定有强化结构，且所述强化结构的设置位置对应于所述通孔的位置以封堵所述通孔。
2.根据权利要求1所述的半导体真空设备，其特征在于，所述通孔为圆台形结构。
3.根据权利要求1所述的半导体真空设备，其特征在于，所述强化结构的厚度为1-5毫米。
4.根据权利要求1所述的半导体真空设备，其特征在于，所述通孔设有用于固定所述温度探测器的固定结构。
5.根据权利要求1所述的半导体真空设备，其特征在于，所述强化结构的材质与所述盖体的材质相同。
6.根据权利要求1所述的半导体真空设备，其特征在于，所述强化结构通过导热胶粘合至所述盖体的内侧面，以固定所述强化结构。
7.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙虎，
申请(专利权)人：上海诺硕电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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