一种用于等离子枪的气路结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种用于等离子枪的气路结构，所述用于等离子枪的气路结构适用于离子喷枪，所述离子喷枪包括基座部分、起弧腔以及线路连接部分，离子喷枪安装在离子注入腔体上；氙气经由第一气管将气体传输，经过手动调节阀门将气体传输至第二气管，在经过减压阀门连接压力表，使氙气调节到合适压力值；经过储气缓冲罐在经过内部气管使氙气到达气体质量流量控制器，最终到达与等离子枪连接的第三气管，再由第三气管将氙气输入进等离子枪。本实用新型专利技术用于等离子枪的气路结构有效的解决了钢瓶供气不稳定的问题，等离子枪发射电流稳定，电子中和彻底，大大提升器件良率。大大提升器件良率。大大提升器件良率。

【技术实现步骤摘要】
一种用于等离子枪的气路结构


[0001]本技术属于半导体设备
，具体涉及一种用于等离子枪的气路结构。

技术介绍

[0002]集成电路制造工艺中，离子注入是一种重要的掺杂技术，也是控制MOSFET阈值电压的一个重要手段。当代制造大规模集成电路中，离子注入是一种必不可少的工序。离子注入的原理是，将原子或分子经过离子化后形成离子或等离子体；等离子体带有一定量的电荷，可通过电场对离子或等离子体进行加速，并利用磁场使其运动方向改变，从而控制离子或等离子体以一定的能量进入晶圆内部，以达到掺杂的目的。
[0003]氙气离子喷枪(等离子体FloodGun
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氙气:离子喷枪
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氙气)的出现或发展，其使得为低能大束流离子注入机提供充分的电子束流成为可能。氙气离子喷枪为离子束创造了一个低能(
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1ev)电子库，通过低能电子库，离子束通过提取尽可能多的电子以保持空间电荷中性。具体地，氙气离子喷枪设计将氙气送入电起弧室，在电起弧室中灯丝发射的电子使氙原子电离并点燃等离子体。当离子束的电势大于电起弧室的电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于等离子枪的气路结构，其特征在于，所述用于等离子枪的气路结构适用于离子喷枪，所述离子喷枪包括基座部分、起弧腔以及线路连接部分，离子喷枪安装在离子注入腔体上；氙气经由第一气管将气体传输，经过手动调节阀门将气体传输至第二气管，在经过减压阀门连接压力表，使氙气调节到合适压力值；经过储气缓冲罐在经过内部气管使氙气到达气体质量流量控制器，最终到达与等离子枪连接的第三气管，再由第三气管将氙气输入进等离子枪。2.如权利要求1所述的用于等离子枪的气路结构，其特征在于，用于等离子枪的气路结构包括缓冲储气罐，缓冲储气罐的管径为直径2英寸。3.如权利要求2所述的用于等离子枪的气路结构，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：李朋涛，张长勇，夏世伟，洪俊华，关天琪，王占柱，
申请(专利权)人：北京凯世通半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：