用于半导体工艺设备的管路温度控制方法和设备技术

本发明专利技术实施例提供了一种用于半导体工艺设备的管路温度控制方法和半导体工艺设备，应用于半导体技术领域，该方法包括：在接收到加热启动指令的情况下，将加热器的整定模式配置为自动整定模式，在自动整定模式下，对加热器的控制参数进行自动调整，并通过调整后的控制参数控制加热器进行加热，在加热区域的实际温度未达到稳定加热条件的情况下，若对控制参数的调整达到自整定结束条件，则将整定模式切换为手动整定模式，通知用户在手动整定模式下对加热器的控制参数进行手动调整。在控制参数的整定过程中，首先先通过自动整定模式对控制参数进行调整，若未得到合适的控制参数，则通知用户进行手动调整，可以提高控制参数的整定效率。率。率。

【技术实现步骤摘要】
用于半导体工艺设备的管路温度控制方法和设备


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种用于半导体工艺设备的管路温度控制方法和设备。

技术介绍

[0002]在晶圆加工过程中，经常需要对半导体工艺设备进行加热，使半导体工艺设备工作在目标温度，以对晶圆进行相应的工艺处理。例如，在对晶圆进行低压化学气相沉积(Low Pressure Chemical Vapor Deposition，LPCVD)处理时，需要对半导体工艺设备中的真空管路进行加热，使真空管路维持在目标温度，从而可以使真空管路中的氯化铵(NH4CL)充分分解为氯化氢(HCL)和氨气(NH3)，避免氯化铵冷凝成颗粒状固体，堵塞真空管路，影响工艺结果。
[0003]通常情况下，在开始加热前，首先需要对自动控制过程中所需的控制参数进行整定，然后根据整定得到的控制参数对加热器进行自动控制，使加热器稳定加热。在先技术中，通常采用自动整定或手动整定的方法对控制参数进行整定，自动整定方式和手动整定方式都需要较长的时间才能得到合适的控制参数。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例所要解决的技术问题是加热器的控制参数整定时间较长的问题。
[0005]为了解决上述问题，本专利技术实施例公开了一种用于半导体工艺设备的管路温度控制方法，所述半导体工艺设备的气体传输管路上具有多个加热区域，每个所述加热区域上分别设置有加热器，所述方法包括：
[0006]在接收到加热启动指令的情况下，将所述加热器的整定模式配置为自动整定模式；/>[0007]在所述自动整定模式下，对所述加热器的控制参数进行自动调整，并通过调整后的控制参数控制所述加热器进行加热；
[0008]在所述加热区域的实际温度未达到稳定加热条件的情况下，若对所述控制参数的调整达到自整定结束条件，则将所述整定模式切换为手动整定模式；
[0009]通知用户在所述手动整定模式下对所述加热器的控制参数进行手动调整。
[0010]可选地，所述若对所述控制参数的调整达到自整定结束条件，则将所述整定模式切换为手动整定模式，包括：
[0011]在对所述控制参数的调整次数大于或等于预设的最大调整次数的情况下，将所述整定模式切换为所述手动整定模式；
[0012]或者，在对所述控制参数的调整时长大于或等于预设的最大调整时长的情况下，将所述整定模式切换为所述手动整定模式。
[0013]可选地，所述方法还包括：
[0014]在所述实际温度达到所述稳定加热条件的情况下，停止对所述控制参数的调整；
[0015]将当前的控制参数作为目标控制参数，并根据所述目标控制参数，控制所述加热器进行加热。
[0016]可选地，所述加热器包括多个并联设置的加热带；
[0017]所述根据所述目标控制参数，控制所述加热器进行加热，包括：
[0018]根据所述加热区域的目标温度和所述实际温度之间的差值，通过所述目标控制参数确定目标加热功率；
[0019]分别为各所述加热带输出与所述目标加热功率对应的功率参数，以控制所述加热器以所述目标加热功率进行加热。
[0020]可选地，所述加热带对应连接一个温度开关和一个温度传感器；所述温度传感器用于采集对应加热带所在位置的温度；
[0021]在所述控制所述加热器以所述目标加热功率进行加热时，包括：
[0022]在所述加热带所在位置的温度超出所述温度开关的预设温度上限的情况下，断开所述温度开关，以停止所述加热器；
[0023]在所述加热器所在位置的温度低于预设温度下限的情况下，闭合所述温度开关，以开启所述加热器。
[0024]可选地，所述在接收到加热启动指令的情况下，将所述加热器的整定模式配置为自动整定模式，包括：
[0025]在接收到所述加热启动指令的情况下，基于预设的初始加热功率控制所述加热器加热；
[0026]在所述加热区域内的实际温度达到预设触发温度的情况下，将所述整定模式配置为所述自动整定模式。
[0027]本专利技术实施例公开了一种半导体工艺设备，包括：工艺腔室、气体传输管路、多个加热器、多个温度控制器和上位机，所述气体传输管路与所述工艺腔室连通，所述气体传输管路上具有多个加热区域，每个所述加热区域上分别设置有加热器，多个所述加热器与多个所述温度控制器以一一对应的方式控制连接，且多个所述控制器均与所述上位机控制连接；
[0028]所述温度控制器被配置为执行如权利要求1所述的方法。
[0029]可选地，所述加热器包括多个并联设置的加热带，各所述加热带分别与对应的所述温度控制器连接；所述温度控制器被配置为执行如权利要求4所述的方法。
[0030]可选地，所述半导体工艺设备还包括多个温度开关和多个温度传感器，每个所述加热带对应连接一个温度开关和一个温度传感器，所述温度传感器用于检测所述加热器所在位置的温度；所述温度开关用于在所述加热器所在位置的温度超出预设温度上限的情况下，停止所述加热器；以及在所述加热器所在位置的温度低于预设温度下限的情况下，开启所述加热器。
[0031]可选地，所述半导体工艺设备中还包括故障检测装置，所述故障检测装置与所述温度控制器连接，用于在检测到所述加热器短路和/或断路时，向所述温度控制器发送故障信号，所述温度控制用于基于所述故障信号，输出通知信息。
[0032]与
技术介绍
相比，本专利技术包括以下优点：
[0033]温度控制器在接收到加热启动指令的情况下，将加热器的整定模式配置为自动整
定模式，在自动整定模式下，对加热器的控制参数进行自动调整，并通过调整后的控制参数控制加热器进行加热，在加热区域的实际温度未达到稳定加热条件的情况下，若对控制参数的调整达到自整定结束条件，则将整定模式切换为手动整定模式，通知用户在手动整定模式下对加热器的控制参数进行手动调整。在控制参数的整定过程中，首先通过自动整定模式对控制参数进行调整，若未得到合适的控制参数，则通知用户进行手动调整，相比于单独通过手动整定和自动整定进行控制参数整定的方法，首先可以通过自动整定缩小控制参数的选择范围，然后通过手动进一步调整得到合适的控制参数，可以提高控制参数的整定效率。
附图说明
[0034]图1示出了本实施例提供的一种用于半导体工艺设备的管路温度控制方法实施例的步骤流程图；
[0035]图2示出了本实施例提供的一种半导体工艺设备的结构示意图；
[0036]图3示出了本实施例提供的一种温度控制器与加热器之间的连接示意图；
[0037]图4示出了本实施例提供的另一种温度控制器与加热器之间的连接示意图；
[0038]图5示出了本实施例提供的另一种用于半导体工艺设备的管路温度控制方法的流程图。
具体实施方式
[0039]为使本专利技术实施例的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术实施例作进一步详细的说明。
[0040]参照图1，示出了本实本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于半导体工艺设备的管路温度控制方法，所述半导体工艺设备的气体传输管路上具有多个加热区域，每个所述加热区域上分别设置有加热器，其特征在于，所述方法包括：在接收到加热启动指令的情况下，将所述加热器的整定模式配置为自动整定模式；在所述自动整定模式下，对所述加热器的控制参数进行自动调整，并通过调整后的控制参数控制所述加热器进行加热；在所述加热区域的实际温度未达到稳定加热条件的情况下，若对所述控制参数的调整达到自整定结束条件，则将所述整定模式切换为手动整定模式；通知用户在所述手动整定模式下对所述加热器的控制参数进行手动调整。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述若对所述控制参数的调整达到自整定结束条件，则将所述整定模式切换为手动整定模式，包括：在对所述控制参数的调整次数大于或等于预设的最大调整次数的情况下，将所述整定模式切换为所述手动整定模式；或者，在对所述控制参数的调整时长大于或等于预设的最大调整时长的情况下，将所述整定模式切换为所述手动整定模式。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：在所述实际温度达到所述稳定加热条件的情况下，停止对所述控制参数的调整；将当前的控制参数作为目标控制参数，并根据所述目标控制参数，控制所述加热器进行加热。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述加热器包括多个并联设置的加热带；所述根据所述目标控制参数，控制所述加热器进行加热，包括：根据所述加热区域的目标温度和所述实际温度之间的差值，通过所述目标控制参数确定目标加热功率；分别为各所述加热带输出与所述目标加热功率对应的功率参数，以控制所述加热器以所述目标加热功率进行加热。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述加热带对应连接一个温度开关和一个温度传感器；所述温度传感器用于采集对应加热带所在位置的温度；在所述控制所述加热器以所述目标加热功率进行加热时，包括：在所述加热带所在位置的温度超出所述温度开关的预设温度上限的情况下，断开所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈志敏，王凯，贾岩，魏明蕊，冯金瑞，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：