本发明专利技术提供了一种半导体工艺设备中的遮蔽装置，用于遮蔽所述半导体工艺设备工艺腔室中用于承载晶圆的基座，包括：遮蔽盘和用于承载所述遮蔽盘的托盘，其中，所述遮蔽盘包括：遮蔽盘本体和设置在所述遮蔽盘本体上的突出部，所述突出部位于所述遮蔽盘本体朝向所述托盘的一侧，所述托盘上设置有多个校正机构，多个所述校正机构沿所述突出部的周向分布，多个所述校正机构的用于在所述遮蔽盘落至所述托盘的过程中，在所述遮蔽盘重力的作用下夹持所述突出部，并推动所述突出部沿所述托盘的表面移动至目标位置。本发明专利技术实施例还提供了一种半导体工艺设备。本发明专利技术能够提高遮蔽盘与托盘对位的准确性。的准确性。的准确性。
【技术实现步骤摘要】
遮蔽装置和半导体工艺设备
[0001]本专利技术涉及半导体加工
，具体涉及一种半导体工艺设备中的遮蔽装置和半导体工艺设备。
技术介绍
[0002]物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)工艺过程中有一种工艺是预烧靶材(Burn In)。Burn In是通过工艺的方式清除靶材的表面的氧化物和其他杂质，在Burn In时，通常会将遮蔽盘(Shutter Disk)放置到在基座或静电卡盘表面，用于承接溅射出的粒子，避免污染基座或静电卡盘。
[0003]在PVD腔室中通常包括主腔室部以及与该主腔室部连通的遮蔽腔室部，主腔室部中设置有靶材和基座，基座用于支撑或吸附硅片。PVD腔室中设置有托盘，托盘用于支撑遮蔽盘，在进行Burn In工艺时，托盘带动遮蔽盘转动至主腔室部中，之后，主腔室部中的支撑针将遮蔽盘顶起；遮蔽盘被顶起后，托盘转动至遮蔽腔室部中；之后，基座上升，以将支撑针上的遮蔽盘托起至工艺位置，从而进行Burn In工艺。在Burn In工艺完成后，通过类似的流程，使遮蔽盘落在托盘上，再转动至遮蔽腔室部中。
[0004]通常，托盘中心设置有圆锥形凸起，遮蔽盘底部设置有相应的锥形凹槽，遮蔽盘放置在托盘上时，二者通过圆锥形凸起和锥形凹槽进行定位。但是，当遮蔽盘在托盘上的偏移量过大时，并不能对遮蔽盘的位置进行校正。
技术实现思路
[0005]本专利技术旨在至少解决上述技术问题之一，提供了一种半导体工艺设备中的遮蔽装置和半导体工艺设备。
[0006]为了实现上述目的，本专利技术实施例提供了一种半导体工艺设备中的遮蔽装置，用于遮蔽所述半导体工艺设备工艺腔室中用于承载晶圆的基座，所述遮蔽装置包括：遮蔽盘和用于承载所述遮蔽盘的托盘，其中，
[0007]所述遮蔽盘包括：遮蔽盘本体和设置在所述遮蔽盘本体上的突出部，所述突出部位于所述遮蔽盘本体朝向所述托盘的一侧，
[0008]所述托盘上设置有多个校正机构，多个所述校正机构沿所述突出部的周向分布，多个所述校正机构的用于在所述遮蔽盘落至所述托盘的过程中，在所述遮蔽盘重力的作用下夹持所述突出部，并推动所述突出部沿所述托盘的表面移动至目标位置。
[0009]可选地，所述托盘上设置有多个第一安装孔，多个所述校正机构一一对应地安装于多个所述第一安装孔中；
[0010]所述校正机构包括：校正件和支撑件，所述校正件的第一端和所述支撑件的第一端连接，且连接处通过转轴与所述第一安装孔的侧壁连接，所述支撑件的第二端用于抵接所述遮蔽盘，在所述遮蔽盘落至所述托盘的过程中，所述遮蔽盘下压所述支撑件的第二端，所述支撑件绕所述转轴转动，带动所述校正件绕所述转轴转动，使所述校正件的第二端朝
向所述突出部的侧面移动；
[0011]所述校正机构还包括弹性件，所述弹性件的第一端与所述校正件或所述支撑件连接，所述弹性件的第二端与所述第一安装孔的侧壁连接，所述弹性件用于在所述遮蔽盘远离所述托盘的过程中，向所述校正件或所述支撑件施加作用力，使所述校正件和所述支撑件绕所述转轴转动，进而使所述支撑件的第二端上移，并使所述校正件的第二端远离所述突出部的侧面。
[0012]可选地，所述弹性件为扭转弹簧，所述扭转弹簧套设在所述转轴上。
[0013]可选地，所述校正件的第二端设置有第一辊轮，所述支撑件的第二端设置有第二辊轮。
[0014]可选地，所述突出部的侧面设置有弧形的内凹部，所述内凹部的半径为所述第一辊轮半径的1.5～2倍；和/或
[0015]所述突出部的厚度为所述第一辊轮半径的2.5～4倍。
[0016]可选地，所述校正件和所述支撑件均为板状弯折结构，二者一体成型。
[0017]可选地，所述第一安装孔的侧壁顶部形成有限位部，所述遮蔽盘远离所述托盘后，所述弹性件向所述校正件或所述支撑件施加作用力时，所述校正件抵靠在所述限位部上。
[0018]可选地，所述托盘上设置有第二安装孔，所述第二安装孔位于所述托盘与所述突出部对应的区域中，
[0019]所述遮蔽装置还包括第一压入式传感器，所述第一压入式传感器设置在所述第二安装孔中，所述第一压入式传感器的探头在自然状态下突出于所述托盘朝向所述遮蔽盘的表面，所述遮蔽盘落至所述托盘后，所述第一压入式传感器的探头的至少一部分被所述遮蔽盘压入所述第一压入式传感器。
[0020]相应地，本专利技术实施例还提供一种半导体工艺设备，包括：工艺腔室、旋转驱动装置和上述的遮蔽装置，所述遮蔽装置位于所述工艺腔室内，
[0021]所述工艺腔室包括：主腔室部以及与所述主腔室部连通的遮蔽腔室部，所述遮蔽腔室部位于所述主腔室部的一侧，所述旋转驱动装置与所述遮蔽装置的托盘连接，用于驱动所述托盘绕所述旋转驱动装置的驱动轴转动，以使所述托盘所承载的遮蔽盘在所述主腔室部和所述遮蔽腔室部之间移动。
[0022]可选地，所述托盘包括承托部和连接臂，所述承托部用于承载所述遮蔽盘，所述承托部通过所述连接臂与所述旋转驱动装置连接，所述遮蔽腔室部的侧壁上设置有第二压入式传感器，所述第二压入式传感器的探头朝向所述连接臂设置，并且，当所述遮蔽装置移动至所述遮蔽腔室中的指定位置时，所述第二压入式传感器的探头的至少一部分被所述连接臂压入所述第二压入式传感器。
[0023]可选地，所述第二压入式传感器设置在所述遮蔽腔室部的外侧，并通过波纹管与所述遮蔽腔室部的侧壁密封连接，所述第二压入式传感器的探头穿过所述遮蔽腔室部的侧壁而伸入所述遮蔽腔室部的内部。
[0024]本专利技术实施例具有以下有益效果：
[0025]在本专利技术实施例提供的遮蔽装置和半导体工艺设备中，遮蔽盘上设置有突出部，托盘上设置有多个校正结构，多个校正机构能够夹持突出部，并对突出部的位置进行校正，也即，对遮蔽盘的位置进行校正，从而提高了遮蔽盘与托盘对位的准确性。
附图说明
[0026]附图是用来提供对本专利技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本专利技术，但并不构成对本专利技术的限制。在附图中：
[0027]图1为一示例中提供的半导体工艺设备的示意图。
[0028]图2为本专利技术的一些实施例中提供的遮蔽装置的示意图。
[0029]图3为本专利技术的一些实施例中提供的校正机构的剖视图。
[0030]图4为本专利技术的一些实施例中提供的校正机构的俯视图。
[0031]图5为本公开的一些实施例中提供的校正机构和遮蔽盘的局部剖视图。
[0032]图6为本专利技术的一些实施例中提供的多个校正机构夹紧突出部的过程示意图。
[0033]图7为本专利技术的一些实施例中提供的多个较正机构对遮蔽盘的校正原理示意图。
[0034]图8为本公开的一些实施例中提供的半导体工艺设备的示意图。
[0035]图9为本公开的一些实施例提供的遮蔽腔室部的俯视图。
具体实施方式
[0036]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体工艺设备中的遮蔽装置，用于遮蔽所述半导体工艺设备工艺腔室中用于承载晶圆的基座，其特征在于，所述遮蔽装置包括：遮蔽盘和用于承载所述遮蔽盘的托盘，其中，所述遮蔽盘包括：遮蔽盘本体和设置在所述遮蔽盘本体上的突出部，所述突出部位于所述遮蔽盘本体朝向所述托盘的一侧，所述托盘上设置有多个校正机构，多个所述校正机构沿所述突出部的周向分布，多个所述校正机构的用于在所述遮蔽盘落至所述托盘的过程中，在所述遮蔽盘重力的作用下夹持所述突出部，并推动所述突出部沿所述托盘的表面移动至目标位置。2.根据权利要求1所述的遮蔽装置，其特征在于，所述托盘上设置有多个第一安装孔，多个所述校正机构一一对应地安装于多个所述第一安装孔中；所述校正机构包括：校正件和支撑件，所述校正件的第一端和所述支撑件的第一端连接，且连接处通过转轴与所述第一安装孔的侧壁连接，所述支撑件的第二端用于抵接所述遮蔽盘，在所述遮蔽盘落至所述托盘的过程中，所述遮蔽盘下压所述支撑件的第二端，所述支撑件绕所述转轴转动，带动所述校正件绕所述转轴转动，使所述校正件的第二端朝向所述突出部的侧面移动；所述校正机构还包括弹性件，所述弹性件的第一端与所述校正件或所述支撑件连接，所述弹性件的第二端与所述第一安装孔的侧壁连接，所述弹性件用于在所述遮蔽盘远离所述托盘的过程中，向所述校正件或所述支撑件施加作用力，使所述校正件和所述支撑件绕所述转轴转动，进而使所述支撑件的第二端上移，并使所述校正件的第二端远离所述突出部的侧面。3.根据权利要求2所述的遮蔽装置，其特征在于，所述弹性件为扭转弹簧，所述扭转弹簧套设在所述转轴上。4.根据权利要求2所述的遮蔽装置，其特征在于，所述校正件的第二端设置有第一辊轮，所述支撑件的第二端设置有第二辊轮。5.根据权利要求4所述的遮蔽装置，其特征在于，所述突出部的侧面设置有弧形的内凹部，所述内凹部的半径为所述第一辊轮半径的1.5～2倍；和/或所述突出部的厚度为所述第一辊轮半径的2.5～4倍。6.根据权利要求2所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵康宁，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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