承载装置及半导体工艺腔室制造方法及图纸

本申请公开了一种承载装置及半导体工艺腔室，涉及半导体装备领域。一种承载装置，应用于半导体工艺设备的工艺腔室，该承载装置包括：承载座本体、导电件和设置于承载座本体内部的第一电极，所述第一电极用于与接地装置连接；所述承载座本体设有承载面，用于承载晶圆，且与所述晶圆绝缘；所述导电件的一端与第一电极电性连接，另一端用于与所述承载座本体承载的所述晶圆接触，以将所述晶圆上产生的电荷通过所述第一电极接地释放。一种半导体工艺腔室，包括上述承载装置。本申请能够解决电荷积聚导致晶圆不易脱离承载座本体以及晶圆上薄膜致密度均匀性差等问题。膜致密度均匀性差等问题。膜致密度均匀性差等问题。

【技术实现步骤摘要】
承载装置及半导体工艺腔室


[0001]本申请属于半导体装备
，具体涉及一种承载装置及半导体工艺腔室。

技术介绍

[0002]随着集成电路向微型化、集成化、高效能的方向发展，原子层沉积(Atomic Layer Deposition，ALD)技术由于薄膜厚度高度可控、均匀性优良、台阶覆盖率高等优点，使其在诸多领域得到了重要应用。其中，等离子体增强原子层沉积(Plasma
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enhanced ALD)是一种能量增强的原子层沉积方式，较传统的原子层沉积方式而言，具有降低沉积温度、提高沉积速率及改进薄膜性能等优点。
[0003]然而，在进行等离子体增强原子层沉积过程中，电荷积聚在晶圆表面，导致沉积后的晶圆吸附在承载座本体上不易脱离，并且使晶圆边缘电荷密度比中间区域密度高，导致射频场不均匀，从而导致晶圆上薄膜致密度均匀性差，无法满足工艺要求。

技术实现思路

[0004]本申请实施例的目的是提供一种承载装置及半导体工艺腔室，能够解决电荷积聚导致晶圆不易脱离承载座本体以及晶圆上薄膜致密度均匀性差等问题。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种承载装置，应用于半导体工艺设备的工艺腔室(800)，其特征在于，包括：承载座本体(100)、导电件(200)和设置于所述承载座本体(100)内部的第一电极(300)，所述第一电极(300)用于与接地装置(400)连接；所述承载座本体(100)设有承载面(120)，用于承载晶圆(900)，且与所述晶圆(900)绝缘；所述导电件(200)的一端与所述第一电极(300)电性连接，另一端用于与所述承载座本体(100)承载的所述晶圆(900)接触，以将所述晶圆(900)上产生的电荷通过所述第一电极(300)接地释放。2.根据权利要求1所述的承载装置，其特征在于，所述承载座本体(100)具有容纳所述晶圆(900)的凹槽(150)，在所述凹槽(150)的底面形成所述承载面(120)；所述承载座本体(100)还具有容纳腔体(110)，所述第一电极(300)设置于所述容纳腔体(110)中；所述承载座本体(100)上设有从所述承载面(120)延伸至所述容纳腔体(110)的第一通孔(130)，所述导电件(200)设置于所述第一通孔(130)，且所述导电件(200)与所述晶圆(900)相对的表面与所述承载面(120)齐平或者凸出于所述承载面(120)。3.根据权利要求2所述的承载装置，其特征在于，所述第一电极(300)设有螺纹安装孔(310)，所述螺纹安装孔(310)与所述第一通孔(130)相对设置；所述导电件(200)为耐腐蚀的螺纹件，所述导电件(200)与所述螺纹安装孔(310)螺纹连接。4.根据权利要求3所述的承载装置，其特征在于，所述螺纹安装孔(310)的深度大于所述导电件(200)的长度，通过调节所述导电件(200)旋入所述螺纹安装孔(310)的深度，以改变所述导电件(200)的顶面和所述承载面(120)之间的距离。5.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：任晓艳，翟浩，郑波，兰云峰，王勇飞，秦海丰，张文强，王昊，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：