一种晶圆托盘及化学气相沉积设备制造技术

本实用新型专利技术提供了一种晶圆托盘及化学气相沉积设备，包括位于托盘上的盘坑，盘坑中设置有支撑台阶和凸台，其中凸台的高度大于等于托盘的高度且向盘坑中心延伸，通过在盘坑侧壁设置与晶圆缺口处对应的凸台，使晶圆定位缺口处距离盘坑侧壁的距离得到减小，凸台可以起到盘坑侧壁延伸的作用，以形成适用于晶圆边缘轮廓的不规则盘坑，达到调节晶圆边缘温度分布的目的，有利于晶圆边缘和整体温度的均一性，提高晶圆化学沉积的膜厚一致性。高晶圆化学沉积的膜厚一致性。高晶圆化学沉积的膜厚一致性。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆托盘及化学气相沉积设备


[0001]本技术涉及半导体加工
，尤其涉及一种用于化学气相沉积设备的托盘及使用该托盘的化学气相沉积设备。

技术介绍

[0002]通过不同气体源在晶圆上形成薄膜是半导体工艺的重要步骤，包括化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)等。其中金属有机化学气相沉积(MOCVD) 是化学气相沉积的一种，在成膜时，通常将不同气体源的气体输入金属有机化学沉积反应腔室进行混合，再籍由加热装置对晶圆进行控温到适合成膜的温度，使反应气体可以在晶圆上发生化学反应。
[0003]MOCVD装置包括反应腔体，在腔体内设置有用于承载晶圆的托盘，为了提高沉积效率，在同一托盘上放置多个晶圆。托盘上的盘坑为直径大于晶圆直径的圆形坑位。当晶圆放置在盘坑中时，晶圆上用于定位的缺口会在这时接收到和晶圆边缘其他部位不同的热量辐射，例如当晶圆的缺口是一个平边时，导致这个平边处与盘坑侧壁之间形成的间隙较宽，该平边处受到盘坑侧壁更小的辐射加热。由于在工艺运行过程中会对石墨托盘加热，加热温度超过1000℃，在盘坑中的径向远离石墨托盘中心方向，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆托盘，用于承载待处理晶圆，其特征在于，包括：位于所述托盘上形状为圆形的盘坑,所述盘坑内具有多个支撑台阶，用于放置所述晶圆；所述盘坑的内侧壁设置有向所述盘坑圆心方向延伸的凸台，所述凸台的上表面高度大于所述支撑台阶的上表面高度，且所述凸台不与所述晶圆边缘接触。2.如权利要求1所述的晶圆托盘，其特征在于，所述晶圆具有缺口，所述凸台位置与所述缺口位置对应。3.如权利要求2所述的晶圆托盘，其特征在于，所述缺口为平边，所述凸台的内侧面分为远离平边的远部和靠近平边的近部。4.如权利要求3所述的晶圆托盘，其特征在于，所述近部的长度为5～25mm，所述近部距离所述平边的距离为0.2～2mm。5.如权利要求4所述的晶圆托盘，其特征在于，所述凸台沿所述托盘直径方向延伸。6.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭世平，胡建正，陈耀，姜勇，王家毅，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海股份有限公司，
类型：新型
国别省市：