本实用新型专利技术的基于多晶圆片体加工用承载装置，包括承载盘；形成在承载盘一侧面上用于容纳晶圆片体的晶圆承载孔，晶圆承载孔的径向尺寸至少有两种；形成在与晶圆承载孔同侧的承载盘上的晶圆片体取出孔，晶圆片体取出孔与晶圆承载孔相交；在承载盘上开设有多个不同内径大小的晶圆承载孔，一定程度上的可以提高产能，即使得多个不同尺寸的晶圆片体被加工，提高了加工效率，置于承载盘上的晶圆片体取出孔可使得晶圆片体更容易的从承载盘上取出，可操作性强，其结构设计合理。其结构设计合理。其结构设计合理。
【技术实现步骤摘要】
基于多晶圆片体加工用承载装置
[0001]本技术涉及晶圆加工
，特别是基于多晶圆片体加工用承载装置。
技术介绍
[0002]晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨，抛光，切片后，形成硅晶圆片，也就是晶圆。目前国内晶圆生产线以 8英寸和 12 英寸为主。晶圆的主要加工方式为片加工和批加工，即同时加工1 片或多片晶圆。随着半导体特征尺寸越来越小，加工及测量设备越来越先进，使得晶圆加工出现了新的数据特点。同时，特征尺寸的减小，使得晶圆加工时，空气中的颗粒数对晶圆加工后质量及可靠性的影响增大，而随着洁净的提高，颗粒数也出现了新的数据特点；
[0003]晶圆在进行加工时，需要将晶圆放置在特定的承载盘上，目前的承载盘只能放置一个晶圆片体的结构，加工效率较低，故提出一种可以排布多个晶圆片体，实现对多个晶圆片体进行加工的基于多晶圆片体加工用承载装置。
技术实现思路
[0004]本技术要解决的技术问题是针对现有技术的不足，提供了一种可以排布多个晶圆片体，实现对多个晶圆片体进行加工的基于多晶圆片体加工用承载装置。
[0005]本技术要解决的技术问题是通过以下技术方案来实现的，包括，
[0006]置于PECVD设备反应室内的承载盘；
[0007]形成在承载盘一侧面上用于容纳晶圆片体的晶圆承载孔；
[0008]形成在与晶圆承载孔同侧的承载盘上的晶圆片体取出孔，晶圆片体取出孔与晶圆承载孔相交。
[0009]本技术要解决的技术问题还可以通过以下技术方案来实现的，以上所述的基于多晶圆片体加工用承载装置，所述的承载盘为蓝宝石。
[0010]本技术要解决的技术问题还可以通过以下技术方案来实现的，以上所述的基于多晶圆片体加工用承载装置，所述的承载盘为圆柱状。
[0011]本技术要解决的技术问题还可以通过以下技术方案来实现的，以上所述的基于多晶圆片体加工用承载装置，所述的承载盘的厚度为0.5mm
‑
0.8mm。
[0012]本技术要解决的技术问题还可以通过以下技术方案来实现的，以上所述的基于多晶圆片体加工用承载装置，所述的晶圆承载孔设有三组，
[0013]第一组晶圆承载孔具有一个晶圆承载孔，其位于承载盘的中心；
[0014]第二组晶圆承载孔具有七个晶圆承载孔，其与第一组晶圆承载孔的边缘相邻设置，第二组晶圆承载孔中，左右相邻两个晶圆承载孔的间距相同；
[0015]第三组晶圆承载孔具有十三个晶圆承载孔，其与第二组晶圆承载孔的边缘相邻设置。
[0016]本技术要解决的技术问题还可以通过以下技术方案来实现的，以上所述的基于多晶圆片体加工用承载装置，所述的每个晶圆承载孔均具有一个与其相交的晶圆片体取出孔。
[0017]与现有技术相比，本技术的有益技术效果是：在承载盘上开设有多组晶圆承载孔，一定程度上的可以提高产能，提高了晶圆片体的加工效率，置于承载盘上的晶圆片体取出孔可使得晶圆片体更容易的从承载盘上取出，可操作性强，其结构设计合理。
附图说明
[0018]图1为本技术的俯视结构示意图。
[0019]图中，1、承载盘；2、晶圆承载孔；3、晶圆片体取出孔。
具体实施方式
[0020]以下参照附图，进一步描述本专利技术的具体技术方案，以便于本领域的技术人员进一步地理解本专利技术，而不构成对其权利的限制。
[0021]实施例1，参照图1，基于多晶圆片体加工用承载装置，包括，
[0022]置于PECVD设备反应室内的承载盘1，承载盘1的一侧面为用于承载晶圆片体，另一侧面与PECVD设备反应室底面接触，PECVD设备为现有技术中等离子体增强化学气相沉积设备，根据使用需求可自行选择PECVD设备的型号，此处仅提供一种适用于PECVD设备使用的晶圆片体承载部件；
[0023]形成在承载盘1一侧面上用于容纳晶圆片体的晶圆承载孔2；
[0024]形成在与晶圆承载孔2同侧的承载盘1上的晶圆片体取出孔3，晶圆片体取出孔3的内径尺寸根据使用需求可自行选择故此处不再赘述有关晶圆片体取出孔3的尺寸大小限定，其深度大于晶圆承载孔2的深度，其深度数值根据使用需求可自行选择故此处不再赘述晶圆片体取出孔3的深度值，例如晶圆片体取出孔3的深度为晶圆承载孔2深度的两倍，其设计目的在于可通过镊子或其他夹具将晶圆片体从晶圆承载孔2中取出即可，晶圆片体取出孔3与晶圆承载孔2相交，其相交部分大小尺寸可根据使用需求自行选择故此处不再赘述有关晶圆片体取出孔3与晶圆承载孔2的相交部分大小尺寸的限定。
[0025]实施例2，实施例1所述的基于多晶圆片体加工用承载装置，所述的承载盘1为蓝宝石。
[0026]实施例2中，承载盘1为蓝宝石，蓝宝石为现有技术，使用蓝宝石材料可使得晶圆片体在加工期间不会由于加工期间的温度过高而导致承载盘1被融化。
[0027]实施例3，实施例1所述的基于多晶圆片体加工用承载装置，所述的承载盘1为圆柱状。
[0028]实施例4，实施例1所述的基于多晶圆片体加工用承载装置，承载盘1的厚度为0.5mm
‑
0.8mm ，具体的可为0.675mm。
[0029]实施例5，实施例1所述的基于多晶圆片体加工用承载装置，所述的晶圆承载孔2设有三组，
[0030]第一组晶圆承载孔2具有一个晶圆承载孔2，其位于承载盘1的中心；
[0031]第二组晶圆承载孔2具有七个晶圆承载孔2，其与第一组晶圆承载孔2的边缘相邻
设置，第二组晶圆承载孔2中，左右相邻两个晶圆承载孔2的间距相同；
[0032]第三组晶圆承载孔2具有十三个晶圆承载孔2，其与第二组晶圆承载孔2的边缘相邻设置。
[0033]实施例6，实施例1
‑
5中任一所述的基于多晶圆片体加工用承载装置，所述的每个晶圆承载孔2均具有一个与其相交的晶圆片体取出孔3。
[0034]需要注意的是，该设计仅提供一种晶圆片体加工期间所需的承载盘1，由于晶圆片体加工过程及加工方法为现有技术，故此处不再赘述晶圆片体的具体加工方法原理。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.基于多晶圆片体加工用承载装置，其特征在于：包括，置于PECVD设备反应室内的承载盘；形成在承载盘一侧面上用于容纳晶圆片体的晶圆承载孔；形成在与晶圆承载孔同侧的承载盘上的晶圆片体取出孔，晶圆片体取出孔与晶圆承载孔相交。2.根据权利要求1所述的基于多晶圆片体加工用承载装置，其特征在于：所述的承载盘为蓝宝石。3.根据权利要求1所述的基于多晶圆片体加工用承载装置，其特征在于：所述的承载盘为圆柱状。4.根据权利要求1所述的基于多晶圆片体加工用承载装置，其特征在于：所述的承载盘的厚度为0.5mm
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【专利技术属性】
技术研发人员：朱明明，卢伟，
申请(专利权)人：连云港旭晶光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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