使用等离子体处理衬底的设备及改善晶圆薄膜表面形貌的方法技术

本发明专利技术公开了一种使用等离子体处理衬底的设备及改善晶圆薄膜表面形貌的方法，其中，设备由一个衬底支撑件和多个陶瓷件构成，且各个陶瓷件具有不同高度的侧壁，每个陶瓷件均可活动套装在衬底支撑件的外周，通过上述的结构设计，可通过更换套装在衬底支撑件外周的陶瓷件，以实现衬底支撑件侧壁面积的调整，使用时，实现等离子体分布的改变，使得沉积速率和均匀性也随之改变，从而改变薄膜边缘的形貌，即通过设备硬件的结构调整可实现制备的晶圆薄膜形貌的改变；所述改善晶圆薄膜表面形貌的方法，是基于上述设备获得的；上述使用等离子体处理衬底的设备，具有结构简单、设计合理、简单易行等优点。易行等优点。易行等优点。

【技术实现步骤摘要】
使用等离子体处理衬底的设备及改善晶圆薄膜表面形貌的方法


[0001]本专利技术公开涉及晶圆薄膜制备的
，尤其涉及一种改善晶圆薄膜表面形貌的设备及方法。

技术介绍

[0002]目前，在使用等离子体进行晶圆薄膜制备时，主要是通过物理或化学沉降的方法，使等离子体沉积到基片上，进而获得期望的薄膜。
[0003]以往在进行晶圆薄膜制备时，参见图1，均会在衬底支撑1的外周套装陶瓷环A，在制备过程中，气体的运输方向是由衬底支撑件的中心向外围运输，从衬底支撑件周围陶瓷环处抽走。如果一旦发现制备的晶圆薄膜的表面形貌不符合要求，就需要进行工艺参数的调整，例如，改变加热温度、调整气体环境、改变抽走气体的速度等等，每次工艺参数调整后，都需要进行一系列的设备调试，操作复杂，难度系数高。
[0004]因此，如何研发一种新的改善晶圆薄膜表面形貌的方法或者设备，成为人们亟待解决的问题。

技术实现思路

[0005]鉴于此，本专利技术提供了使用等离子体处理衬底的设备及改善晶圆薄膜表面形貌的方法，以解决以往通过工艺的角度进行制备晶圆薄膜的表面形本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种使用等离子体处理衬底的设备，其特征在于，包括：衬底支撑件(1)以及多个陶瓷件(B)；每个所述陶瓷件(B)均可活动套装在所述衬底支撑件(1)的外周，且各陶瓷件(B)的侧壁高度不同，通过更换套装在所述衬底支撑件(1)外周的陶瓷件(B)，可改变所述陶瓷件(B)覆盖所述衬底支撑件(1)的侧壁面积大小。2.根据权利要求1所述使用等离子体处理衬底的设备，其特征在于，所述衬底支撑件(1)为用于加热的加热盘。3.根据权利要求1所述使用等离子体处理衬底的设备，其特征在于，每个所述陶瓷件(B)均为下端敞口的套筒，且在每个所述陶瓷件(B)的顶盖(21)上均设置有贯通上下的通孔(211)。4.根据权利要求3所述使用等离子体处理衬底的设备，其特征在于，所述陶瓷件(B)的高度不大于60mm。5.根据权利要求3所述使用等离子体处理衬底的设备，其特征在于，所述陶瓷件(B)包括：中央设置有通孔(211)的顶盖(21)以及柱型侧壁筒(22)；所述顶盖(21)固定封堵安装在所述柱型侧壁筒(2...

【专利技术属性】
技术研发人员：林轩宇，柳雪，王琳琳，叶五毛，
申请(专利权)人：拓荆科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：