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本实用新型提供了一种晶圆托盘及化学气相沉积设备，包括位于托盘上的盘坑，盘坑中设置有支撑台阶和凸台，其中凸台的高度大于等于托盘的高度且向盘坑中心延伸，通过在盘坑侧壁设置与晶圆缺口处对应的凸台，使晶圆定位缺口处距离盘坑侧壁的距离得到减小，凸台可...
该专利属于中微半导体设备（上海）股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中微半导体设备（上海）股份有限公司授权不得商用。

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