用于晶圆自动升降旋转的方法及设备技术

本揭露涉及用于晶圆自动旋转的装置及设备。在本揭露的一实施例中，一种晶圆加工设备包含：腔室；加热盘，其位于所述腔室内且连接至连杆并延伸至所述腔室的外部下方，所述加热盘包含多个晶圆支撑杆，所述连杆经由加热盘升降支架耦合至第一电机；旋转单元，其在所述腔室内，所述旋转单元围绕所述加热盘且连接至旋转单元支撑架并延伸至所述腔室的外部下方，所述旋转单元的顶部经由晶圆支撑架承托并固持晶圆；以及双套磁流体，其在所述腔室的所述外部下方固定连接至所述旋转单元支撑架且经由极间距调整支架耦合至第二电机。间距调整支架耦合至第二电机。间距调整支架耦合至第二电机。

【技术实现步骤摘要】
用于晶圆自动升降旋转的方法及设备


[0001]本揭露涉及半导体晶圆加工领域，尤其涉及半导体晶圆薄膜沉积及真空制造技术。

技术介绍

[0002]半导体制程可包含沉积处理，例如化学气相沉积(CVD)和等离子体增强化学气相沉积(PECVD)等，用以在晶圆或基材上形成各种薄膜以制备半导体装置，例如集成电路及半导体发光装置。通常使用加热盘对晶圆加热以促进沉积处理。
[0003]决定半导体器件性能的一个重要因素在于，沉积在晶圆上的薄膜均匀性。例如，均匀地沉积薄膜可使得晶圆表面的厚度变化达最小化。然而，膜均匀性可受到若干不利因素的影响，例如包括加热器温度、腔室几何形状、工艺气流非均匀性以及等离子体非均匀性等。这些因素均可能导致非均匀膜沉积在晶圆表面上，从而降低器件性能。特别地，在沉积过程中，晶圆受热不均匀可严重影响晶圆薄膜沉积的均匀性。
[0004]为此，发展出使晶圆在沉积过程中在加热盘的上方旋转以获得均匀受热的技术，从而提升薄膜的均匀性。然而，现有的腔内晶圆旋转机构通常结构件较为复杂，运动过程中涉及的零部件较多，导致运动过程中容易在密封腔室本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆加工设备，其包含：腔室；加热盘，其位于所述腔室内且连接至连杆并延伸至所述腔室的外部下方，所述加热盘包含多个晶圆支撑杆，所述连杆经由加热盘升降支架耦合至第一电机；旋转单元，其在所述腔室内，所述旋转单元围绕所述加热盘且连接至旋转单元支撑架并延伸至所述腔室的外部下方，所述旋转单元的顶部经由晶圆支撑架承托并固持晶圆；以及双套磁流体，其在所述腔室的所述外部下方固定连接至所述旋转单元支撑架且经由极间距调整支架耦合至第二电机。2.根据权利要求1所述的晶圆加工设备，所述加热盘升降支架与所述双套磁流体之间进一步包含小波纹管以环绕所述连杆。3.根据权利要求1所述的晶圆加工设备，所述双套磁流体与所述腔室之间进一步包含大波纹管以环绕所述旋转单元支撑架。4.根据权利要求1所述的晶圆加工设备，所述双套磁流体进一步经由动力传递元件耦合至第三电机。5.根据权利要求4所述的晶圆加工设备，其中所述第三电机包含减速机且经由所述减速机与所述动力传递元件耦合。6.根据权利要求4所述的晶圆加工设备，其中所述动力传递元件位于所述双套磁流体下端。7.根据权利要求6所述的晶圆加工设备，其中所述动力传递元件包含齿轮。8.根据权利要求6所述的晶圆加工设备，其中所述动力传递元件包含同步带轮。9.根据权利要求1所述的晶圆加工设备，其中所述双套磁流体包含内圈与外圈，所内圈与所述外圈经配置以...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨德赞，杨华龙，吴凤丽，
申请(专利权)人：拓荆科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：