腔室泄露检测方法和半导体工艺设备技术

本发明专利技术实施例提供了一种腔室泄露检测方法和半导体工艺设备，应用于半导体技术领域，该方法包括：通过光谱发射仪获取反应腔室中气体的光谱信息，从光谱信息中获取第一波长范围内的第一光强度值和第二波长范围内的第二光强度值，在第一光强度值与第二光强度值的比值不低于预设比值的情况下，输出表征反应腔室泄露的报警信息。通过反应腔室内气体的光谱信息确定反应腔室是否发生泄露，并不需要根据反应腔室的漏率判断反应腔室是否发生泄露，因此并不需要停止反应腔室对漏率进行检测，可以提高半导体工艺设备的生产效率。半导体工艺设备的生产效率。半导体工艺设备的生产效率。

【技术实现步骤摘要】
腔室泄露检测方法和半导体工艺设备


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种腔室泄露检测方法和半导体工艺设备。

技术介绍

[0002]在晶圆制造过程中，一些工艺的实施需要在真空条件下进行。例如在刻蚀工艺中，反应腔室需要在真空状态下产生等离子体，对晶圆进行刻蚀。
[0003]在真空条件下对晶圆进行加工时，若反应腔室发生泄露，会导致制造得到的晶圆不良。为了避免反应腔室发生泄露，影响晶圆质量，需要在生产过程中定期对反应腔室的漏率进行检测，以确定反应腔室是否发生泄露。在先技术中，漏率检测需要停止反应腔室，耗费较长的检测时间，会降低半导体工艺设备的生产效率。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例所要解决的技术问题是在半导体工艺设备中对反应腔室进行漏率检测时，耗费时间较长，降低生产效率的问题。
[0005]为了解决上述问题，本专利技术实施例公开了一种腔室泄露检测方法，应用于半导体工艺设备，所述半导体工艺设备包括反应腔室，所述反应腔室上设置有光谱发射仪，所述方法包括：
[0006]通过所述光谱发射仪本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种腔室泄露检测方法，其特征在于，应用于半导体工艺设备，所述半导体工艺设备包括反应腔室，所述反应腔室上设置有光谱发射仪，所述方法包括：通过所述光谱发射仪获取所述反应腔室中气体的光谱信息；从所述光谱信息中获取第一波长范围内的第一光强度值和第二波长范围内的第二光强度值；所述第一波长范围对应的第一气体包括所述反应腔室在泄露情况下，从外部环境进入所述反应腔室的目标气体，所述第二波长范围对应的第二气体不包括所述目标气体；在所述第一光强度值与所述第二光强度值的比值不低于预设比值的情况下，输出表征所述反应腔室泄露的报警信息。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述从所述光谱信息中获取第一波长范围内的第一光强度值和第二波长范围内的第二光强度值之前，还包括：确定所述反应腔室在执行预设工艺菜单所包括的多个工艺步骤中的目标工艺步骤；所述工艺菜单用于控制所述反应腔室依次执行所述多个工艺步骤，以对所述反应腔室内的晶圆进行加工；其中，在所述目标工艺步骤中，所述反应腔室内包括的所述第一气体的含量与所述第二气体的含量之间的比值不变。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述目标工艺步骤为所述工艺菜单中的腔室清洁步骤；所述腔室清洁步骤用于向所述反应腔室内通入清洁气体，将所述清洁气体形成等离子体以对所述反应腔室进行清洗，在所述腔室清洁步骤中，所述反应腔室内不包括所述晶圆。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述从所述反应腔室内的光谱信息中获取第一波长范围内的第一光强度值和第二波长范围内的第...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵尊华，张建坤，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：