【技术实现步骤摘要】
工艺腔室及半导体工艺设备
[0001]本专利技术涉及半导体制造
，更具体地，涉及一种工艺腔室及半导体工艺设备。
技术介绍
[0002]目前普遍采用等离子体干法刻蚀获得具有较大的深宽比和较高的垂直度的硅深微结构，由于等离子体具有一定的平均自由程，当微结构开口较小时刻蚀反应物难以进入深微结构，反应物也难以被抽走。
[0003]因此，对于不同开口大小的微结构而言，其刻蚀的结果尤其是刻蚀速率/刻蚀深度会有显著的差异，这个现象被称作深宽比效应(Aspect ratio dependent etching)。开口越小，深宽比效应越明显，刻蚀速率下降越严重。另一方面，由于腔室中的蚀刻剂的总量是一定的，对于开口较大的微结构而言会由于蚀刻剂/反应物不足而导致刻蚀速率/刻蚀深度产生差异，这个现象被称作负载效应(Loading effect)。对于负载效应而言，开口越大硅反应物越多，刻蚀速率越慢，与深宽比效应作用结果刚好相反。
[0004]图1a和图1b分别示出了深硅刻蚀滞后效应SEM图和不同开口尺寸的刻蚀深度对比曲线图，如...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种工艺腔室，应用于半导体工艺设备，包括腔室本体以及设置于所述腔室本体内部的基座和设置于所述基座上的聚焦环，其特征在于，还包括：多个聚焦环补充结构，多个所述聚焦环补充结构沿周向环绕设置于所述聚焦环上方，所述聚焦环补充结构的材质与被刻蚀的晶圆的材质相同；水平驱动机构，所述水平驱动机构设置于所述腔室本体的侧壁且与所述聚焦环补充结构连接，所述水平驱动机构用于驱动多个所述聚焦环补充结构沿各自径向方向同步运动，以调节各所述聚焦环补充结构相对于所述聚焦环在竖直方向上的重叠面积。2.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，多个所述聚焦环补充结构均相接时，整体形成一个辅助环，所述辅助环与所述聚焦环同心设置，且所述辅助环的内径不小于所述晶圆直径。3.根据权利要求2所述的工艺腔室，其特征在于，所述辅助环的上表面的面积与所述晶圆的刻蚀图形的开口率正相关。4.根据权利要求3所述的工艺腔室，其特征在于，当所述开口率大于20％时，所述水平驱动机构驱动多个所述聚焦环补充结构沿水平方向同步向靠近所述聚焦环的方向移动，形成所述辅助环。5.根据权利要求3所述的工艺腔室，其特征在于，当所述开口率小于10％时，所述水平驱动机构驱动多个所述聚焦环补充结构沿水平方向同步向远离所述聚焦环的方向移动，使各所述聚焦环补充结构相对于所述聚焦环在竖直方向上完全不重叠。6.根据权利要求1至5任意一项所述的工艺腔室，其特征在于，所述水平驱动机构包括多个水平驱动件，每个所述水平驱动件通过连接件与一个所述聚焦环补充结构连接，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：林源为，董子晗，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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