半导体工艺设备及腔室压力控制方法技术

本发明专利技术提供一种半导体工艺设备及腔室压力控制方法，其中，半导体工艺设备包括第一控制单元和第二控制单元，第二控制单元所执行的腔室压力控制方法包括：接收第一控制单元发送的充气信号，根据充气信号控制充气单元开始充气；在确定腔室压力达到预设压力值时，控制充气单元停止充气，其中，预设压力值小于目标压力值；若接收到第一控制单元发送的计时信号，则控制充气单元再次开始充气，并开始计时；在接收到第一控制单元发送的停止充气信号或者计时时长达到第一等待时长时，控制充气单元停止充气。第一控制单元和第二控制单元联合实现双点位控制，防止第一控制单元异常导致无法停止充气的问题。止充气的问题。止充气的问题。

【技术实现步骤摘要】
半导体工艺设备及腔室压力控制方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体地，涉及一种半导体工艺设备及腔室压力控制方法。

技术介绍

[0002]半导体工艺设备中涉及很多不同的反应腔室，比如物理气相沉积(PVD)腔室、原子层沉积(ALD)腔室、预清洗腔室等。在对于设备的多次维护保养过程中，反应腔室内的一些零件(例如靶材、匀流板等)需要经常进行更换，而零件的更换则需要打开反应腔室进行操作。
[0003]反应腔室内部一般处于真空状态，并且一些反应腔室根据工艺需求会通入具有毒性的特种气体(例如BCl3、NF3、SiF4等)。因此，在反应腔室开腔之前，需要通过不易与被加工件发生反应的气体(例如氮气)对反应腔室内部进行循环吹扫，即向反应腔室内充气至大气状态(即腔室压力大致达到一个标准大气压)、再进行抽真空，以此循环往复，直至有毒气体被清除为止。
[0004]在上述向反应腔室内充气过程中，通过测压装置(例如压力规)检测腔室压力，并在腔室压力达到某一预设压力值时向控制系统发送压力达标信号，控制系统接收到该压力达标信号后进行控制充气装置关闭本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种腔室压力控制方法，用于控制充气单元向半导体工艺设备的反应腔室内部进行充气，以使其腔室压力达到目标压力值，其特征在于，包括：接收第一控制单元发送的充气信号，根据所述充气信号控制所述充气单元开始充气；在确定所述腔室压力达到预设压力值时，控制所述充气单元停止充气，其中，所述预设压力值小于所述目标压力值；若接收到所述第一控制单元发送的计时信号，则控制所述充气单元再次开始充气，并开始计时；在接收到所述第一控制单元发送的停止充气信号或者计时时长达到第一等待时长时，控制所述充气单元停止充气。2.根据权利要求1所述的腔室压力控制方法，其特征在于，所述在确定所述腔室压力达到预设压力值时，控制所述充气单元停止充气之后，还包括：若未接收到所述第一控制单元发送的计时信号，则流程结束。3.根据权利要求2所述的腔室压力控制方法，其特征在于，所述充气信号的值为非零；所述根据所述充气信号控制所述充气单元开始充气，包括：对所述充气信号和初始值为非零的使能信号进行逻辑与运算，根据得到的非零的运算结果控制所述充气单元开始充气；所述在确定所述腔室压力达到预设压力值时，控制所述充气单元停止充气，包括：在确定所述腔室压力达到预设压力值时，将所述使能信号的值设为零，并对所述充气信号和所述使能信号进行逻辑与运算，根据得到的为零的运算结果控制所述充气单元停止充气。4.根据权利要求3所述的腔室压力控制方法，其特征在于，所述若接收到所述第一控制单元发送的计时信号，则控制所述充气单元再次开始充气，包括：若接收到所述第一控制单元发送的计时信号，则将所述使能信号设为非零，并对所述充气信号和所述使能信号进行逻辑与运算，根据得到的非零的运算结果控制所述充气单元开始充气。5.根据权利要求3所述的腔室压力控制方法，其特征在于，所述停止充气信号的值为零；所述在接收到所述第一控制单元发送的停止充气信号或者计时时长达到第一等待时长时，控制所述充气单元停止充气，包括：在接收到所述停止充气信号时，对...

【专利技术属性】
技术研发人员：周广才，刘学庆，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：