【技术实现步骤摘要】
工艺腔室及半导体加工设备
[0001]本专利技术涉及半导体制造领域，具体地，涉及一种工艺腔室及半导体加工设备。
技术介绍
[0002]随着半导体工艺制程的发展，对半导体刻蚀工艺的均匀性要求越来越高。ICP刻蚀设备中上电极的线圈通过感应耦合的方式在腔室内部产生等离子体。等离子体通过扩散、电迁移和对流机制达到晶圆表面。同时，在下电极上施加一定频率的射频功率，射频功率通过容性耦合的方式作用于晶圆表面的等离子体，从而控制到达晶圆表面的离子能量。
[0003]影响刻蚀工艺均匀性的主要因素有：晶圆表面的等离子体均匀性、下电极回路控制的离子能量分布均匀性以及达到晶圆表面的刻蚀反应物的密度分布均匀性等。典型的下电极回路由位于腔室内的静电卡盘、内衬、悬臂和腔室壁组成。下电极的射频功率由下电极匹配器通过同轴电缆进入静电卡盘的基座，再耦合到等离子体中，然后通过内衬、悬臂回到匹配器中。因此，内衬的接地回路对下电极回路中的电磁场均匀性有很大影响，进而会影响到达晶圆表面的离子能量以及晶圆表面的等离子体密度均匀性，从而影响刻蚀工艺的均匀性。
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种工艺腔室，包括腔体及设置在所述腔体中的基座和多个悬臂，多个所述悬臂沿所述基座的周向间隔分布在所述基座的周围，且每个所述悬臂连接在所述基座的侧壁与所述腔体的侧壁之间，其特征在于，还包括内衬结构，所述内衬结构间隔地环绕在所述腔体的侧壁与所述基座的侧壁之间，且所述内衬结构上设置有用于供气体通过的栅孔；所述内衬结构的第一端间隔地位于所述基座的侧壁外侧，且与所述基座和所述悬臂电绝缘；所述内衬结构的第二端不低于所述腔体的侧壁顶部，且所述第二端设置有延伸结构，所述延伸结构自所述第二端延伸至所述腔体或者所述悬臂上，并与之电导通。2.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述内衬结构包括第一衬环，所述第一衬环的第一端作为所述内衬结构的所述第一端间隔地位于所述基座的侧壁外侧，且与所述基座和所述悬臂电绝缘；所述第一衬环的第二端作为所述内衬结构的所述第二端设置有所述延伸结构；所述栅孔包括设置在所述第一衬环上的第一栅孔。3.根据权利要求2所述的工艺腔室，其特征在于，所述延伸结构包括相对于所述第一衬环的外周面凸出的环形凸缘，所述环形凸缘叠置在所述腔体的侧壁顶面上，且与所述腔体固定连接，且电导通。4.根据权利要求2所述的工艺腔室，其特征在于，所述延伸结构包括第二衬环，所述第二衬环与所述第一衬环同心设置，且位于所述第一衬环与所述腔体的侧壁之间，并与二者相互间隔，所述第二衬环的第一端与所述第一衬环的第二端连接，且电导通，所述第二衬环的第二端与所述腔体固定连接，且电导通，并且所述第二衬环的第二端与所述腔体的连接位置位于所述腔体的侧壁顶面与所述悬臂之间。5.根据权利要求2所述的工艺腔室，其特征在于，所述延伸结构包括第二衬环，所述第二衬环与所述第一衬环同心设置，且位于所述第一衬环与所述腔体的侧壁之间，并与二者相互间隔，所述第二衬环的第一端与所述第一衬环的第二端连接，且电导通，所述第二衬环的第二端与所述悬臂固定连接，且电导通。6.根据权利要求5所述的工艺腔室，其特征在于，所述第二衬环的第二端与所述悬臂的连接位置位于所述栅孔靠近所述腔体的侧壁的一端外侧。7.根据权利要求5所述的工艺腔室，其特征在于，所述第二衬环的第二端与所述悬臂的连接位置位于所述第一栅孔靠近所述基座的侧壁的一端内侧，并且所述栅孔还包括设置在所述第二衬环上的第二栅孔，所述第二栅孔与所述第一栅孔在水平面上的正投影相互重合。8.根据权利要求5所述的工艺腔室，其特征在于，所述工艺腔室还包括内衬接地环，所述内衬接地环环设于所述基座的外侧，所述内衬接地环的分别与所述悬臂和所述第二衬环的第二端固定连接，且电导通。9.根据权利要求2所述的工艺腔室，其特征在于，所述第一衬环的侧壁包括第一水平侧壁和第一竖直侧壁，其中，所述第一水平侧壁的外周边缘与所述第一竖直侧壁的下端边缘连为一体；所述第一水平侧壁的内周边缘即为所述第一衬环的第一端，所述第一竖直侧壁的上端边缘即为所述第一衬环的第二端；所述第一栅孔设置在所述第一水平侧壁上。10.根据权利要求9所述的工艺腔室，其特征在于，在所述第一水平侧壁的外周边缘与所述第一竖直侧壁的下端边缘之间设置有环形台阶部，所述环形台阶部包括水平台阶侧壁
和竖直台阶侧壁，其中，所述水平台阶侧壁高于所述第一水平侧壁；并且，所述水平台阶侧壁的内周边缘与所述竖直台阶侧壁的上端边缘连为...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵晋荣，陈星，韦刚，王海莉，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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