静电卡盘装置和温度控制方法制造方法及图纸

本申请公开一种静电卡盘装置和温度控制方法，静电卡盘装置，包括自下而上依次设置的装置基体、加热层以及绝缘吸附层，所述加热层中设置有至少两个主加热器，所述主加热器用于加热所述静电卡盘装置承载的晶圆，所述绝缘吸附层中设置有吸附电极，所述吸附电极用于吸附所述晶圆；所述静电卡盘装置还包括控制器，所述绝缘吸附层中还设置有多个补偿加热器，多个所述补偿加热器均与所述吸附电极绝缘设置，且多个所述补偿加热器均与所述控制器电连接，所述控制器用于控制各所述补偿加热器的开启或关断，以及控制各所述补偿加热器的功率。上述技术方案能够解决因目前被加工件上不同位置的温度可能存在偏差，导致被加工件的工艺均匀性较差的问题。性较差的问题。性较差的问题。

【技术实现步骤摘要】
静电卡盘装置和温度控制方法


[0001]本申请属于半导体加工
，具体涉及一种静电卡盘装置和温度控制方法。

技术介绍

[0002]在晶圆等半导体被加工件的加工过程中，为了提升工艺效率和/或工艺效果等原因，通常会借助静电卡盘等加热器对晶圆等被加工件进行加热，且使被加工件的整体温度升高。但是，在实际加工过程中，因为各种原因，支撑于同一加热器的被加工件上不同位置处的温度可能存在偏差，这会导致被加工件的工艺均匀性较差。

技术实现思路

[0003]本申请公开一种静电卡盘装置和温度控制方法，能够解决因目前被加工件上不同位置的温度可能存在偏差，导致被加工件的工艺均匀性较差的问题。
[0004]为了解决上述问题，本申请实施例是这样实现地：
[0005]第一方面，本申请实施例提供了一种静电卡盘装置，用于半导体设备，所述静电卡盘装置包括自下而上依次设置的装置基体、加热层以及绝缘吸附层，所述加热层中设置有至少两个主加热器，所述主加热器用于加热所述静电卡盘装置承载的晶圆，所述绝缘吸附层中设置有吸附电极，所述吸附电极用于吸附所述晶圆；本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种静电卡盘装置，用于半导体设备，其特征在于，所述静电卡盘装置包括自下而上依次设置的装置基体、加热层以及绝缘吸附层，所述加热层中设置有至少两个主加热器，所述主加热器用于加热所述静电卡盘装置承载的晶圆，所述绝缘吸附层中设置有吸附电极，所述吸附电极用于吸附所述晶圆；所述静电卡盘装置还包括控制器，所述绝缘吸附层中还设置有多个补偿加热器，多个所述补偿加热器均与所述吸附电极绝缘设置，且多个所述补偿加热器均与所述控制器电连接，所述控制器用于控制各所述补偿加热器的开启或关断，以及控制各所述补偿加热器的功率。2.根据权利要求1所述的静电卡盘装置，其特征在于，所述绝缘吸附层包括自下而上的第一绝缘子层、第二绝缘子层和第三绝缘子层，所述吸附电极设置于所述第三绝缘子层和所述第二绝缘子层之间，形成吸附子层，多个所述补偿加热器均设置于所述第二绝缘子层和所述第一绝缘子层之间，形成补偿加热层。3.根据权利要求2所述的静电卡盘装置，其特征在于，所述补偿加热器包括丝网印刷形成的金属电阻加热器，所述补偿加热器的线缆穿过所述装置基体和所述加热层，且引出至所述装置基体之外，所述补偿加热器的数量大于等于10且小于等于100。4.根据权利要求3所述的静电卡盘装置，其特征在于，多个所述补偿加热器组成中心补偿区和多个环形补偿区，多个环形补偿区呈同心圆分布，且任一环形补偿区均包括多个补偿加热器。5.根据权利要求1所述的静电卡盘装置，其特征在于，所述控制器包括相互连接的控制部和多个执行部，各所述补偿加热器均与对应的所述执行部连接，所述执行部包括PWM执行器，所述控制部通过多个执行部控制对应的所述补偿加热器输出目标功率。6.根据权利要求5所述的静电卡盘装置，其特征在于，所述静电卡盘装置还包括滤波器，各所述补偿加热器与对应的所述执行部之间均连接有所述滤波器。7.一种温度控制方法，其特征在于，所述温度控制方法应用于权利要求1
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6任一所述的静电卡盘装置，所述静电卡盘装置用于承载并加热晶圆，所述温度控制方法包括：S1、建立工艺步骤与目标补偿加热器之间的对应关系，其中，所述目标补偿加热器为进行各所述工艺步骤时，多个所述补偿加热器中除多个原始工艺结果的极值所在位置对应的所述补偿加热器之外的其余所述补偿加热器，所述原...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘建，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：