【技术实现步骤摘要】
反应腔室及半导体工艺设备
[0001]本申请涉及半导体制造
，尤其涉及一种反应腔室及半导体工艺设备。
技术介绍
[0002]在半导体制造过程中，需要应用到等离子体刻蚀工艺。等离子体刻蚀工艺即是指通过辉光放电方式形成包括各种活性粒子的等离子体，待刻蚀晶片的表面与活性粒子接触而发生反应，形成挥发性气态生成物而被去除，从而完成图案转印的技术。为了防止腔体内壁被等离子体刻蚀，则需要在腔体内设置内衬，内衬可以改善腔体内等离子体的流场，并对等离子体起到屏蔽作用。
[0003]由于内衬的接地性能会影响其对等离子体的分布限制和屏蔽作用，相关技术采取了在内衬上侧进行接地的手段，以提升内衬的接地性能。但是，此种结构布局会导致内衬的上下两侧存在较大的电势差，而造成射频回路不稳定，如此就会削弱内衬对等离子体的约束。可见，相关技术的反应腔室仍然存在内衬的接地性能较差的问题。
技术实现思路
[0004]本申请公开一种反应腔室及半导体工艺设备，以提升反应腔室中内衬的接地性能。
[0005]为了解决上述问题，本申请采用
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种反应腔室，应用于半导体工艺设备，其特征在于，所述反应腔室包括腔体、内衬、基座和接地装置，其中：所述内衬、所述基座和所述接地装置均设于所述腔体中；所述接地装置为环形导电结构件，且沿其轴向可伸缩设置，在所述接地装置的轴向上，所述接地装置的第一端与所述内衬的底面电连接，所述接地装置的第二端与所述基座电连接，所述基座接地。2.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述接地装置包括同轴设置且均导电的第一法兰、环形弹性件和第二法兰，所述环形弹性件设于所述第一法兰与所述第二法兰之间；所述第一法兰的顶面与所述内衬的底面电连接，所述环形弹性件的两端分别连接所述第一法兰的底面和所述第二法兰的顶面，所述基座包括设于其周向侧面的环形承台，所述第二法兰的底面与所述环形承台的顶面电连接。3.根据权利要求2所述的反应腔室，其特征在于，所述环形弹性件的数量为多个，所述环形弹性件沿所述接地装置的径向依次布设。4.根据权利要求2所述的反应腔室，其特征在于，所述环形弹性件为波纹管。5.根据权利要求2所述的反应腔室，其特征在于，所述环...
【专利技术属性】
技术研发人员：王伟，庄岩，周清军，彭宇霖，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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