反应腔室及半导体工艺设备制造技术

本申请公开一种反应腔室及半导体工艺设备，所述反应腔室包括腔体、内衬、基座和接地装置，其中：所述内衬、所述基座和所述接地装置均设于所述腔体中；所述接地装置为环形导电结构件，且沿其轴向可伸缩设置，在所述接地装置的轴向上，所述接地装置的第一端与所述内衬的底面电连接，所述接地装置的第二端与所述基座电连接，所述基座接地。上述方案可提升反应腔室中内衬的接地性能。中内衬的接地性能。中内衬的接地性能。

【技术实现步骤摘要】
反应腔室及半导体工艺设备


[0001]本申请涉及半导体制造
，尤其涉及一种反应腔室及半导体工艺设备。

技术介绍

[0002]在半导体制造过程中，需要应用到等离子体刻蚀工艺。等离子体刻蚀工艺即是指通过辉光放电方式形成包括各种活性粒子的等离子体，待刻蚀晶片的表面与活性粒子接触而发生反应，形成挥发性气态生成物而被去除，从而完成图案转印的技术。为了防止腔体内壁被等离子体刻蚀，则需要在腔体内设置内衬，内衬可以改善腔体内等离子体的流场，并对等离子体起到屏蔽作用。
[0003]由于内衬的接地性能会影响其对等离子体的分布限制和屏蔽作用，相关技术采取了在内衬上侧进行接地的手段，以提升内衬的接地性能。但是，此种结构布局会导致内衬的上下两侧存在较大的电势差，而造成射频回路不稳定，如此就会削弱内衬对等离子体的约束。可见，相关技术的反应腔室仍然存在内衬的接地性能较差的问题。

技术实现思路

[0004]本申请公开一种反应腔室及半导体工艺设备，以提升反应腔室中内衬的接地性能。
[0005]为了解决上述问题，本申请采用下述技术方案：
[0006]第一方面，本申请提供一种反应腔室，应用于半导体工艺设备，所述反应腔室包括腔体、内衬、基座和接地装置，其中：
[0007]所述内衬、所述基座和所述接地装置均设于所述腔体中；
[0008]所述接地装置为环形导电结构件，且沿其轴向可伸缩设置，在所述接地装置的轴向上，所述接地装置的第一端与所述内衬的底面电连接，所述接地装置的第二端与所述基座电连接，所述基座接地。
[0009]第二方面，本申请提供一种半导体工艺设备，包括本申请第一方面所述的反应腔室。
[0010]本申请采用的技术方案能够达到以下有益效果：
[0011]在本申请公开的反应腔室中，内衬可通过接地装置接地而实现其上下两侧同时接地，如此就防止了内衬的上下两侧存在较大的电势差，可有效提升内衬上电压的分布均匀性。与此同时，由于本申请的接地装置为环形结构件，沿接地装置的轴向，其第一端可与内衬的底面形成呈环状的电连接路径，相较于单点接地、单侧接地等方式，本申请的接地装置无疑能够提供更为均衡的接地效果，以进一步地提升内衬上电压的分布均匀性。
[0012]正是因为本申请的接地装置能够有效确保内衬的电压均匀分布，从而可确保射频回路保持稳定，以优化内衬对等离子体的约束屏蔽作用。由此可见，本申请的反应腔室中内衬具备良好的接地性能。
附图说明
[0013]此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：
[0014]图1为本申请实施例公开的反应腔室的结构示意图；
[0015]图2为本申请实施例公开的内衬接地的原理示意图；
[0016]图3为本申请实施例公开的内衬与腔体的配合关系示意图；
[0017]图4为本申请实施例公开的接地装置的结构示意图；
[0018]图5为本申请实施例公开的反应腔室的俯视图；
[0019]图6为本申请实施例公开的接地装置与腔体的结构示意图；
[0020]图7为本申请实施例公开的接地装置的剖视图；
[0021]图8为本申请实施例公开的另一种反应腔室的结构示意图。
[0022]附图标记说明：
[0023]100
‑
腔体、
[0024]200
‑
内衬、210
‑
第一环形卡槽、
[0025]300
‑
接地装置、310
‑
第一法兰、320
‑
环形弹性件、330
‑
第二法兰、
[0026]G1
‑
第一安装槽、G2
‑
第二安装槽、
[0027]400
‑
基座、410
‑
环形承台、411
‑
第二环形卡槽、
[0028]S1
‑
容置空间、S2
‑
工艺空间、R1
‑
第一密封件、R2
‑
第二密封件、C
‑
良导体件、F1
‑
第一紧固件、F2
‑
第二紧固件。
具体实施方式
[0029]为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请具体实施例及相应的附图对本申请技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0030]以下结合附图，详细说明本申请各个实施例公开的技术方案。
[0031]为了解决反应腔室中内衬的接地性能较差的技术问题，本申请实施例提供一种反应腔室，应用于半导体工艺设备。
[0032]请参见图1～图8，本申请实施例公开的反应腔室包括腔体100、内衬200、基座400和接地装置300。
[0033]其中，腔体100是反应腔室的基础构件，其能够为其他的构件提供安装基础。具体地，内衬200、基座400和接地装置300均设于腔体100内。
[0034]内衬200可覆盖部分腔体100的内壁，以对等离子体起到约束屏蔽作用，从而防止腔体100的内壁被等离子体刻蚀。
[0035]内衬200与腔体100之间限定出了容置空间S1，接地装置300可设于该容置空间S1中。反应腔室的排气机构可与该容置空间S1相连，以通过容置空间S1将废气、副产物排出。
[0036]基座400设于容置空间S1中，内衬200的中部开设有避让区，基座400的顶部位于避让区中，以用于承载、固定待加工晶片。基座400的顶部通常设有静电卡盘。
[0037]接地装置300为反应腔室的接地功能构件，其用于在内衬200的下侧进行接地，再
结合内衬200的上侧接地布局，就实现了内衬200在其上下两侧接地，具体可参见图2。如此情况下，由于内衬200的上下两侧均接地，其上下两侧的电势趋于相等，也就不会存在电势差，从而可达到提升内衬200上电压的分布均匀性的效果。
[0038]在相关技术中，内衬200的接地方案为单点或单侧接地，这样会导致接地区域与非接地区域之间存在较大的电势差，若内衬200的下侧也是采用单点或单侧接地的方案，虽然能够改善内衬200上下侧存在电势差的问题，但又会造成内衬200同侧的不同接地区域间的电势差问题，由此难以有效提升内衬200的接地性能。
[0039]在本申请实施例中，接地装置300为环形导电结构件，且沿其轴向可伸缩设置，在接地装置300的轴向上，接地装置300的第一端与内衬200的底面电连接，接地装置300的第二端与基座400电连接，基座400接地。
[0040]在此种结构布局下，接地装置300可沿基本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种反应腔室，应用于半导体工艺设备，其特征在于，所述反应腔室包括腔体、内衬、基座和接地装置，其中：所述内衬、所述基座和所述接地装置均设于所述腔体中；所述接地装置为环形导电结构件，且沿其轴向可伸缩设置，在所述接地装置的轴向上，所述接地装置的第一端与所述内衬的底面电连接，所述接地装置的第二端与所述基座电连接，所述基座接地。2.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述接地装置包括同轴设置且均导电的第一法兰、环形弹性件和第二法兰，所述环形弹性件设于所述第一法兰与所述第二法兰之间；所述第一法兰的顶面与所述内衬的底面电连接，所述环形弹性件的两端分别连接所述第一法兰的底面和所述第二法兰的顶面，所述基座包括设于其周向侧面的环形承台，所述第二法兰的底面与所述环形承台的顶面电连接。3.根据权利要求2所述的反应腔室，其特征在于，所述环形弹性件的数量为多个，所述环形弹性件沿所述接地装置的径向依次布设。4.根据权利要求2所述的反应腔室，其特征在于，所述环形弹性件为波纹管。5.根据权利要求2所述的反应腔室，其特征在于，所述环...

【专利技术属性】
技术研发人员：王伟，庄岩，周清军，彭宇霖，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：