本发明专利技术构思提供了一种基板处理设备。所述基板处理设备包括：腔室，在所述腔室中具有处理空间；基板支撑单元，所述基板支撑单元在所述处理空间中支撑基板；气体供应单元，所述气体供应单元将气体供应到所述处理空间中；以及等离子体产生单元，所述等离子体产生单元将所述处理空间内的所述气体激发成等离子体状态，其中所述等离子体产生单元包括：RF电源，所述RF电源供应RF信号；以及第一天线和第二天线，所述第一天线和第二天线被供以所述RF信号以从供应到所述处理空间内的所述气体产生所述等离子体，并且其中所述第一天线设置在所述第二天线的内侧，并且其中所述第二天线中包括的线圈的总高度高于所述第一天线中包括的线圈的总高度。的总高度。的总高度。
【技术实现步骤摘要】
基板处理设备
[0001]本文描述的本专利技术构思的实施例涉及基板处理设备，更具体地涉及用于使用等离子体来蚀刻处理基板的基板处理设备。
技术介绍
[0002]制造半导体、显示器、太阳能电池等的过程包括使用等离子体来处理基板的过程。例如，在半导体制造过程期间用于灰化的蚀刻设备或灰化设备可以包括用于产生等离子体的腔室，并且可以使用等离子体对基板进行蚀刻或灰化处理。
[0003]根据RF电源的应用方法，等离子体设备可以被分类为电容耦合等离子体(CCP)设备和电感耦合等离子体(ICP)设备。电容耦合等离子体设备使用通过将RF电源施加到相对电极而在电极之间垂直形成的RF电场来产生等离子体。电感耦合等离子体设备使用由天线感应的感应电场来将源材料转换成等离子体。
[0004]电感耦合等离子体设备可以通过连接到RF电源的匹配器和分流器将电流分配到等离子体天线，并且控制内线圈和外线圈之间的耦合。此外，通过这一点，可以控制内线圈和外线圈之间的电流比，并且通过这一点，可以控制等离子体蚀刻的径向均匀性。然而，在常规电感耦合等离子体设备中，仍然存在其中腔室的边缘区域与腔室的中心区域之间的蚀刻速率不同的问题。
技术实现思路
[0005]本专利技术构思的实施例提供了一种天线结构，该天线结构能够增加腔室的边缘区域中的等离子体密度。
[0006]本专利技术构思将要解决的问题不限于上述问题。本专利技术构思所涉及的本领域技术人员通过以下描述将清楚地理解未提及的其他技术问题。
[0007]本专利技术构思提供了一种基板处理设备。所述基板处理设备包括：腔室，在所述腔室中具有处理空间；基板支撑单元，所述基板支撑单元在所述处理空间中支撑基板；气体供应单元，所述气体供应单元将气体供应到所述处理空间中；以及等离子体产生单元，所述等离子体产生单元将所述处理空间内的所述气体激发成等离子体状态，其中所述等离子体产生单元包括：RF电源，所述RF电源供应RF信号；以及第一天线和第二天线，所述第一天线和第二天线被供以所述RF信号以从供应到所述处理空间内的所述气体产生所述等离子体，并且其中所述第一天线设置在所述第二天线的内侧，并且其中所述第二天线中包括的线圈的总高度高于所述第一天线中包括的线圈的总高度。
[0008]在一个实施例中，所述第二天线中包括的所述线圈设置有堆叠为单层的多个线圈。
[0009]在一个实施例中，所述第二天线设置有堆叠为多层的多个线圈。
[0010]在一个实施例中，所述第二天线中包括的所述线圈设置在从上方观看时彼此重叠的位置。
[0011]在一个实施例中，所述第一天线和所述第二天线并联连接。
[0012]在一个实施例中，所述第二天线中包括的线圈的数量是四个。
[0013]在一个实施例中，所述第一天线中包括的线圈的数量是四个或更少。
[0014]本专利技术构思提供了一种基板处理设备。所述基板处理设备包括：腔室，在所述腔室中具有处理空间；基板支撑单元，所述基板支撑单元在所述处理空间处支撑基板；气体供应单元，所述气体供应单元将气体供应到所述处理空间中；以及等离子体产生单元，所述等离子体产生单元将所述处理空间内的所述气体激发成等离子体状态，其中所述等离子体产生单元包括：RF电源，所述RF电源供应RF信号；以及第一天线和第二天线，所述第一天线和第二天线被供以所述RF信号以从供应到所述处理空间内的所述气体产生所述等离子体，并且其中所述第一天线设置在所述第二天线的内侧，所述第二天线包括多个线圈，并且所述第二天线中包括的所述多个线圈布置成使得所述第二天线的接触面积最小化。
[0015]在一个实施例中，所述第二天线设置有堆叠为单层的多个线圈。
[0016]在一个实施例中，所述第二天线设置有堆叠成层的多个线圈。
[0017]在一个实施例中，所述第二天线中包括的所述线圈设置在从上方观看时彼此重叠的位置。
[0018]在一个实施例中，所述第二天线中包括的所述线圈的总高度高于所述第一天线中包括的所述线圈的总高度。
[0019]在一个实施例中，所述第二天线中包括的线圈的数量是4个。
[0020]在一个实施例中，所述第一天线中包括的线圈的数量是4个或更少。
[0021]本专利技术构思提供了一种基板处理设备。所述基板处理设备包括：腔室，在所述腔室中具有处理空间；基板支撑单元，所述基板支撑单元在所述处理空间处支撑基板；气体供应单元，所述气体供应单元将气体供应到所述处理空间中；以及等离子体产生单元，所述等离子体产生单元将所述处理空间内的所述气体激发成等离子体状态，其中所述等离子体产生单元包括：RF电源，所述RF电源供应RF信号；以及第一天线和第二天线，所述第一天线和第二天线被供以所述RF信号以从供应到所述处理空间内的所述气体产生所述等离子体，并且其中所述第一天线设置在所述第二天线的内侧，并且所述第二天线包括多个线圈，并且所述第二天线中包括的所述多个线圈设置成彼此堆叠。
[0022]在一个实施例中，所述第二天线中包括的所述线圈设置在从上方观看时彼此重叠的位置。
[0023]在一个实施例中，所述第二天线的所述线圈的总高度设置为高于所述第一天线的所述线圈的总高度。
[0024]在一个实施例中，所述第二天线中包括的线圈的数量是4个。
[0025]在一个实施例中，所述第一天线中包括的线圈的数量是4个或更少。
[0026]在一个实施例中，所述第一天线和所述第二天线并联连接。
[0027]在本专利技术构思中，可以增加腔室的边缘区域中的等离子体密度。
[0028]本专利技术构思的效果不限于上述效果。根据本说明书和附图，本专利技术所属领域的技术人员将清楚地理解未提及的效果。
附图说明
[0029]根据以下参考附图的描述，上述和其他目的和特征将变得显而易见，其中，除非另有说明，否则相同附图标记在各个附图中是指相同部分，并且其中：
[0030]图1(A)至图1(C)是示出根据本专利技术构思的实施例的基板处理设备的视图。
[0031]图2是更具体地示出根据专利技术构思的实施例的天线的形状的透视图。
[0032]图3是根据本专利技术构思的实施例的天线的形状的侧视图。
[0033]图4(A)是示出常规天线的形状的视图，并且4(B)是示出根据本专利技术构思的实施例的天线的形状的视图。
[0034]图5(A)至图5(B)是以电路形式示出根据本专利技术构思的基板处理设备的视图。
[0035]图6(A)至图6(B)是示出常规基板处理设备和根据本专利技术构思的基板处理设备中的磁场分布的视图。
具体实施方式
[0036]本专利技术构思可以不同地修改且可以具有各种形式，并且将在附图中示出并详细地描述本专利技术构思的具体实施例。然而，根据本专利技术构思的实施例不意图限制具体公开的形式，并且应理解，本专利技术构思包括本专利技术构思的精神和技术范围中所包括的所有变形、等效物的替换。在本专利技术构思的描述中，当可能使本专利技术构思的本质不清楚时，可以省略对相关已知技术的详细描述本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基板处理设备，包括：腔室，在所述腔室中具有处理空间；基板支撑单元，所述基板支撑单元在所述处理空间中支撑基板；气体供应单元，所述气体供应单元将气体供应到所述处理空间中；以及等离子体产生单元，所述等离子体产生单元将所述处理空间内的所述气体激发成等离子体状态，其中所述等离子体产生单元包括：RF电源，所述RF电源供应RF信号；以及第一天线和第二天线，所述第一天线和第二天线被供以所述RF信号以从供应到所述处理空间内的所述气体产生所述等离子体，并且其中所述第一天线设置在所述第二天线的内侧，并且所述第二天线中包括的线圈的总高度高于所述第一天线中包括的线圈的总高度。2.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中所述第二天线设置有单个堆叠结构中的多个线圈。3.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中所述第二天线设置有多个线圈，所述多个线圈分别具有相同直径，并且从上方观看时彼此重叠。4.根据权利要求2所述的基板处理设备，其中所述第一天线中包括的所述线圈以双堆叠结构设置。5.根据权利要求4所述的基板处理设备，其中所述第一天线和所述第二天线并联连接。6.根据权利要求5所述的基板处理设备，其中所述第二天线中包括的线圈的数量是四个。7.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中所述第一天线中包括的线圈的数量是四个或更少。8.一种基板处理设备，包括：腔室，在所述腔室中具有处理空间；基板支撑单元，所述基板支撑单元在所述处理空间处支撑基板；气体供应单元，所述气体供应单元将气体供应到所述处理空间中；以及等离子体产生单元，所述等离子体产生单元将所述处理空间内的所述气体激发成等离子体状态，其中所述等离子体产生单元包括：RF电源，所述RF电源供应RF信号；以及第一天线和第二天线，所述第一天线和第二天线被供以所述RF信号以从供应到所述处理空间内的所述气体产生所述等离子体，并且其中所述第一天线设置在所述第二天线的内侧，所述第二天线包括多个线圈，并且所述第二天线中包括的所述多个线圈布置...
【专利技术属性】
技术研发人员：O，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：
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