半导体工艺设备及其电极组件制造技术

本申请公开一种半导体工艺设备及其电极组件，属于半导体工艺技术。该电极组件包括软连接调节装置和两电极模组，软连接调节装置包括分别安设在反应腔室的外侧表面的两软连接调节组件，软连接调节组件包括固定法兰、调节法兰、波纹管和活动连接件；固定法兰安设在反应腔室的外侧表面上；调节法兰通过波纹管与固定法兰进行软连接，调节法兰背离波纹管的一侧固设有一电极模组；电极模组包括伸入反应腔室内的电机，活动连接件连接在固定法兰与调节法兰之间，用于通过调整调节法兰相对固定法兰的角度，来改变电极的馈入端相对石墨舟的电极孔的位置。本技术方案，其可有效实现电极的角度调整，且整个调整过程方便快捷，无需耗费太多的时间。

【技术实现步骤摘要】

本申请属于半导体工艺，尤其涉及一种半导体工艺设备及其电极组件。

技术介绍

1、目前单舟pecvd(plasma enhanced chemical vapor deposition，等离子体增强化学的气相沉积法)设备均采用反应室尾部射频引入，双舟pecvd设备采用反应室尾部+反应室炉口射频双引入方式。在反应室尾部引入时，业内均采用后电极引入方式，但后电极在反应室内部件为易损易耗件，须频繁拆卸维护，拆卸后需重新调整后电极与石墨舟对接。现有后电极的安装方式使得后电极对接时进行角度调整只能依靠调节非标密封调节o圈与固定螺钉之间的预紧力来实现，这种调整方式不仅操作不便，耗费时间较长，且调整时使用到的非标密封调节o圈在长时间使用过程中容易变形失效，导致漏气，使得后电极维护周期进一步变短。

技术实现思路

1、本申请实施例提供一种半导体工艺设备及其电极组件，旨在改善现有后电极安装方式导致后电极对接时的角度调整方式不仅操作不便，耗费时间较长，且调整时使用到的非标密封调节o圈在长时间使用过程中容易变形失效，导致漏气，使得后电极本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种电极组件，用于半导体工艺设备，安设在所述半导体工艺设备的反应腔室的一端，以实现与所述反应腔室内的石墨舟对接，其特征在于，所述电极组件包括软连接调节装置和两电极模组，所述软连接调节装置包括分别安设在所述反应腔室的外侧表面的两个软连接调节组件，所述软连接调节组件包括固定法兰、调节法兰、波纹管和活动连接件；

2.根据权利要求1所述的电极组件，其特征在于，所述活动连接件包括多个导向螺纹杆，所述导向螺纹杆连接在所述固定法兰与所述调节法兰之间，所述导向螺纹杆的一端贯穿所述固定法兰后，与所述固定法兰和所述反应腔室的外侧表面之间的相接处进行球面接触；所述导向螺纹杆的另一端贯穿所述调节...

【技术特征摘要】

1.一种电极组件，用于半导体工艺设备，安设在所述半导体工艺设备的反应腔室的一端，以实现与所述反应腔室内的石墨舟对接，其特征在于，所述电极组件包括软连接调节装置和两电极模组，所述软连接调节装置包括分别安设在所述反应腔室的外侧表面的两个软连接调节组件，所述软连接调节组件包括固定法兰、调节法兰、波纹管和活动连接件；

2.根据权利要求1所述的电极组件，其特征在于，所述活动连接件包括多个导向螺纹杆，所述导向螺纹杆连接在所述固定法兰与所述调节法兰之间，所述导向螺纹杆的一端贯穿所述固定法兰后，与所述固定法兰和所述反应腔室的外侧表面之间的相接处进行球面接触；所述导向螺纹杆的另一端贯穿所述调节法兰，且与所述调节法兰进行螺纹连接。

3.根据权利要求2所述的电极组件，其特征在于，所述导向螺纹杆上还套设有刚性弹簧，且所述刚性弹簧的一端抵接所述固定法兰，所述压缩弹簧的另一端抵接所述调节法兰。

4.根据权利要求2所述的电极组件，其特征在于，所述导向螺纹杆的一端设有球形座，所述球形座位于所述固定法兰和所述反应腔室的外侧表面之间；

5.根据权利要求2所述的电极组件，其特征在于，所述活动连接件还包括防松螺母，所述防松螺母与所述导向螺纹杆伸出所述调节法兰的一端螺纹连接。

6.根据权利要求1所述的电极组件，其特征在于，所述反应腔室的外侧表面还开设有用于让所述电极伸入...

【专利技术属性】
技术研发人员：侯鹏飞，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：