【技术实现步骤摘要】
本申请属于半导体工艺，尤其涉及一种半导体工艺设备及其电极组件。
技术介绍
1、目前单舟pecvd(plasma enhanced chemical vapor deposition，等离子体增强化学的气相沉积法)设备均采用反应室尾部射频引入，双舟pecvd设备采用反应室尾部+反应室炉口射频双引入方式。在反应室尾部引入时，业内均采用后电极引入方式，但后电极在反应室内部件为易损易耗件，须频繁拆卸维护，拆卸后需重新调整后电极与石墨舟对接。现有后电极的安装方式使得后电极对接时进行角度调整只能依靠调节非标密封调节o圈与固定螺钉之间的预紧力来实现，这种调整方式不仅操作不便，耗费时间较长，且调整时使用到的非标密封调节o圈在长时间使用过程中容易变形失效，导致漏气，使得后电极维护周期进一步变短。
技术实现思路
1、本申请实施例提供一种半导体工艺设备及其电极组件，旨在改善现有后电极安装方式导致后电极对接时的角度调整方式不仅操作不便，耗费时间较长，且调整时使用到的非标密封调节o圈在长时间使用过程中容易变形失效，导致漏气，使得后电极维护周期进一步变短的问题。
2、第一方面，本申请实施例提供一种电极组件，用于半导体工艺设备，安设在所述半导体工艺设备的反应腔室一端，以实现与所述反应腔室内的石墨舟的对接，所述电极组件包括软连接调节装置和两电极模组，所述软连接调节装置包括分别安设在所述反应腔室的外侧表面的两软连接调节组件，所述软连接调节组件包括固定法兰、调节法兰、波纹管和活动连接件；
3、
4、所述调节法兰通过所述波纹管与所述固定法兰进行软连接，所述调节法兰背离所述波纹管的一侧固设有一所述电极模组；
5、所述电极模组包括电极，所述电极依次穿过所述调节法兰、所述波纹管和所述固定法兰后，伸入所述反应腔室内；
6、所述活动连接件连接在所述固定法兰与所述调节法兰之间，用于通过调整所述调节法兰相对所述固定法兰的角度，来改变所述电极的馈入端相对所述石墨舟的电极孔的位置。
7、可选的，在一些实施例中，所述活动连接件包括多个导向螺纹杆，所述导向螺纹杆连接在所述固定法兰与所述调节法兰之间，所述导向螺纹杆的一端贯穿所述固定法兰后，与所述固定法兰和所述反应腔室的外侧表面之间的相接处进行球面接触；所述导向螺纹杆的另一端贯穿所述调节法兰，且与所述调节法兰进行螺纹连接。
8、可选的，在一些实施例中，所述导向螺纹杆上还套设有刚性弹簧，且所述刚性弹簧的一端抵接所述固定法兰，所述压缩弹簧的另一端抵接所述调节法兰。
9、可选的，在一些实施例中，所述导向螺纹杆的一端贯穿所述固定法兰后固设有一个球形座，所述固定法兰面向所述反应腔室所在的一侧表面凹设有与所述球形座的一侧相适配的第一半球槽体，所述反应腔室的外侧表面凹设有与所述球形座的另一侧相适配的第二半球槽体，以实现所述球面接触。
10、可选的，在一些实施例中，所述活动连接件还包括防松螺母，所述防松螺母与所述导向螺纹杆伸出所述调节法兰的一端螺纹连接。
11、可选的，在一些实施例中，所述反应腔室的外侧表面还开设有用于让所述电极伸入所述反应腔室内的电极穿孔，所述固定法兰与所述反应腔室的外侧表面之间还夹设有第一密封圈，且所述第一密封圈环绕相应的所述电极穿孔设置。
12、可选的，在一些实施例中，所述电极模组还包括电极底座、陶瓷座、射频连接件以及底座法兰，所述底座法兰依次将所述电极底座及所述陶瓷座固设在所述调节法兰背离所述波纹管的一侧，所述电极的一端经所述陶瓷座依次穿过所述调节法兰、所述电极底座以及所述底座法兰后连接所述射频连接件。
13、可选的，在一些实施例中，所述电极底座与所述调节法兰之间还夹设有第二密封圈，且所述第二密封圈环绕所述陶瓷座设置。
14、可选的，在一些实施例中，所述电极位于所述固定法兰及所述波纹管内的部分还套设有绝缘陶瓷套。
15、第二方面，本申请实施例提供一种半导体工艺设备，包括反应腔室和石墨舟，所述石墨舟内置于所述反应腔室中，所述反应腔室的一端安设有上述的电极组件，每一个所述软连接调节组件上的所述电极均与所述石墨舟上相应的电极孔对接。
16、可选的，在一些实施例中，所述反应腔室包括管体和端盖，所述管体的一端设有管口，用于传输所述石墨舟，所述管体的另一端与所述端盖连接，所述电极组件设置于所述端盖上，所述端盖邻近每一个所述软连接调节组件处均至少安设有一个观察窗。
17、在本申请中，其电极组件将电极模组固设在调节法兰的外侧，再一方面通过波纹管使得该调节法兰与固设在反应腔室的外侧表面上的固定法兰进行软连接，另一方面通过在该调节法兰与该固定法兰之间设置活动连接件，使得该调节法兰可相对该固定法兰进行角度调整，进而改变该电极模组的电极的馈入端相对石墨舟的电极孔的位置，以有效实现电极的角度调整，且整个调整过程方便快捷，无需耗费太多的时间。同时，由于调整时无需使用到非标密封调节o圈，因而不存在非标密封调节o圈在长时间使用过程中容易变形失效，导致漏气，使得电极维护周期进一步变短的问题。
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1.一种电极组件，用于半导体工艺设备，安设在所述半导体工艺设备的反应腔室的一端，以实现与所述反应腔室内的石墨舟对接，其特征在于，所述电极组件包括软连接调节装置和两电极模组，所述软连接调节装置包括分别安设在所述反应腔室的外侧表面的两个软连接调节组件，所述软连接调节组件包括固定法兰、调节法兰、波纹管和活动连接件；
2.根据权利要求1所述的电极组件，其特征在于，所述活动连接件包括多个导向螺纹杆，所述导向螺纹杆连接在所述固定法兰与所述调节法兰之间，所述导向螺纹杆的一端贯穿所述固定法兰后，与所述固定法兰和所述反应腔室的外侧表面之间的相接处进行球面接触；所述导向螺纹杆的另一端贯穿所述调节法兰，且与所述调节法兰进行螺纹连接。
3.根据权利要求2所述的电极组件，其特征在于，所述导向螺纹杆上还套设有刚性弹簧，且所述刚性弹簧的一端抵接所述固定法兰，所述压缩弹簧的另一端抵接所述调节法兰。
4.根据权利要求2所述的电极组件，其特征在于，所述导向螺纹杆的一端设有球形座，所述球形座位于所述固定法兰和所述反应腔室的外侧表面之间；
5.根据权利要求2所述的电极组件
6.根据权利要求1所述的电极组件，其特征在于，所述反应腔室的外侧表面还开设有用于让所述电极伸入所述反应腔室内的电极穿孔，所述固定法兰与所述反应腔室的外侧表面之间还夹设有第一密封圈，且所述第一密封圈环绕相应的所述电极穿孔设置。
7.根据权利要求1所述的电极组件，其特征在于，所述电极模组还包括电极底座、陶瓷座、射频连接件以及底座法兰，所述底座法兰依次将所述电极底座及所述陶瓷座固设在所述调节法兰背离所述波纹管的一侧，所述电极的一端经所述陶瓷座依次穿过所述调节法兰、所述电极底座以及所述底座法兰后连接所述射频连接件。
8.根据权利要求7所述的电极组件，其特征在于，所述电极底座与所述调节法兰之间还夹设有第二密封圈，且所述第二密封圈环绕所述陶瓷座设置。
9.根据权利要求7所述的电极组件，其特征在于，所述电极位于所述固定法兰及所述波纹管内的部分还套设有绝缘陶瓷套。
10.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括反应腔室和石墨舟，所述石墨舟内置于所述反应腔室中，所述反应腔室的一端安设有如权利要求1-9任一项所述的电极组件，每一个所述软连接调节组件上的所述电极均与所述石墨舟上相应的电极孔对接。
11.根据权利要求10所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述反应腔室包括管体和端盖，所述管体的一端设有管口，用于传输所述石墨舟，所述管体的另一端与所述端盖连接，所述电极组件设置于所述端盖上，所述端盖邻近每一个所述软连接调节组件处均至少安设有一个观察窗。
...【技术特征摘要】
1.一种电极组件，用于半导体工艺设备，安设在所述半导体工艺设备的反应腔室的一端，以实现与所述反应腔室内的石墨舟对接，其特征在于，所述电极组件包括软连接调节装置和两电极模组，所述软连接调节装置包括分别安设在所述反应腔室的外侧表面的两个软连接调节组件，所述软连接调节组件包括固定法兰、调节法兰、波纹管和活动连接件；
2.根据权利要求1所述的电极组件，其特征在于，所述活动连接件包括多个导向螺纹杆，所述导向螺纹杆连接在所述固定法兰与所述调节法兰之间，所述导向螺纹杆的一端贯穿所述固定法兰后，与所述固定法兰和所述反应腔室的外侧表面之间的相接处进行球面接触；所述导向螺纹杆的另一端贯穿所述调节法兰，且与所述调节法兰进行螺纹连接。
3.根据权利要求2所述的电极组件，其特征在于，所述导向螺纹杆上还套设有刚性弹簧，且所述刚性弹簧的一端抵接所述固定法兰，所述压缩弹簧的另一端抵接所述调节法兰。
4.根据权利要求2所述的电极组件，其特征在于，所述导向螺纹杆的一端设有球形座，所述球形座位于所述固定法兰和所述反应腔室的外侧表面之间；
5.根据权利要求2所述的电极组件，其特征在于，所述活动连接件还包括防松螺母，所述防松螺母与所述导向螺纹杆伸出所述调节法兰的一端螺纹连接。
6.根据权利要求1所述的电极组件，其特征在于，所述反应腔室的外侧表面还开设有用于让所述电极伸入...
【专利技术属性】
技术研发人员：侯鹏飞，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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