【技术实现步骤摘要】
本公开属于半导体领域，具体涉及一种半导体结构和半导体结构的制造方法。
技术介绍
1、硅通孔技术(through silicon via，tsv)技术是一项高密度封装技术，tsv技术通过导电物质填充通孔，从而实现垂直方向的电气互连。tsv技术有利于减小信号延迟，降低寄生电容，实现芯片间的低功耗，高速通讯，并实现器件集成的小型化。
2、在芯片的三维集成封装技术中，当芯片与芯片间通过tsv互联通讯时，tsv会与通过接触层与靠近芯片表面的焊盘电连接。然而接触层的设计还存在不足之处，从而会影响半导体结构的性能。
技术实现思路
1、本公开实施例提供一种半导体结构和半导体结构的制造方法，至少有利于提高半导体结构的性能。
2、根据本公开一些实施例，本公开实施例一方面提供一种半导体结构，其中，半导体结构包括：基底，所述基底内具有导电通孔和接触层，所述导电通孔与所述接触层电连接，且二者均沿第一方向延伸，二者在所述第一方向排布；所述接触层至少包括非闭合弯曲部，所述非闭合弯曲部在垂直于所述第一方向上的剖面呈弯曲线条状；隔离层，位于所述基底内并覆盖所述接触层的侧壁。
3、根据本公开一些实施例，本公开实施例另一方面还提供一种半导体结构的制造方法，其中，半导体结构的制造方法包括：提供基底；
4、在所述基底内形成接触层和导电通孔，所述导电通孔与所述接触层电连接，且二者均沿第一方向延伸，二者在所述第一方向排布；
5、所述接触层至少包括非闭合弯曲部，所述非闭
6、本公开实施例提供的技术方案至少具有以下优点：相比于点状阵列式的接触层，本公开实施例中的接触层至少包括非闭合弯曲部，非闭合弯曲部使得隔离层所受的拉应力更小，且非闭合弯曲部的截面面积更大，既有效保证了半导体结构的安全可靠性，由显著提升了芯片的通讯性能。
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1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述非闭合弯曲部包括多个相连的波段，且多个相连的所述波段在垂直于所述第一方向上的剖面呈波浪线状。
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述接触层还包括：闭合弯曲部，所述闭合弯曲部与所述非闭合弯曲部相连，并位于所述非闭合弯曲部的相对两端，所述闭合弯曲部在垂直于所述第一方向上的剖面呈环形。
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述非闭合弯折部具有波峰和波谷，所述闭合弯曲部的相对两侧分别与所述波峰和所述波谷对齐。
5.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述非闭合弯曲部的线宽等于所述闭合弯曲部的线宽。
6.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，同一所述非闭合弯曲部的多个所述波段的弯曲弧度相同。
7.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述非闭合弯折部内相邻波峰的间距大于或等于1um。
8.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述非闭合弯曲部为多个，且多个所述非闭合
9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，多个所述非闭合弯曲部平行排列。
10.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，多个所述非闭合弯曲部等间距排列。
11.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，多个所述非闭合弯曲部的排列方向为第二方向，所述非闭合弯曲部整体的延伸方向为第三方向，所述第二方向垂直于所述第三方向，且二者均垂直于所述第一方向；
12.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述非闭合弯曲部的线宽小于或等于0.25um。
13.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述接触层还包括多个连接部，一所述连接部连接在两个相邻的所述非闭合弯曲部之间，且多个所述连接部与多个所述非闭合弯曲部在垂直于所述第一方向上的剖面构成S形。
14.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：分别位于所述接触层相对两侧的第一焊盘和第二焊盘，所述第一焊盘与所述导电通孔和所述接触层连接，所述第二焊盘与所述接触层连接。
15.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述非闭合弯曲部包括多个相连的波段，且多个相连的所述波段在垂直于所述第一方向上的剖面呈波浪线状。
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述接触层还包括：闭合弯曲部，所述闭合弯曲部与所述非闭合弯曲部相连，并位于所述非闭合弯曲部的相对两端，所述闭合弯曲部在垂直于所述第一方向上的剖面呈环形。
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述非闭合弯折部具有波峰和波谷，所述闭合弯曲部的相对两侧分别与所述波峰和所述波谷对齐。
5.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述非闭合弯曲部的线宽等于所述闭合弯曲部的线宽。
6.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，同一所述非闭合弯曲部的多个所述波段的弯曲弧度相同。
7.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述非闭合弯折部内相邻波峰的间距大于或等于1um。
8.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述非闭合弯曲部为多个，且多个所述非闭合弯曲...
【专利技术属性】
技术研发人员：邬林，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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