【技术实现步骤摘要】
本申请属于半导体制造，具体涉及一种工艺腔室及半导体工艺设备。
技术介绍
1、随着集成电路技术的发展，半导体工艺设备的要求越来越高。在半导体刻蚀工艺中，半导体工艺设备的刻蚀速率受气流场、温度场、地磁场、线圈磁场、电场等因素的影响。
2、相关技术中公开一种半导体工艺设备，半导体工艺设备包括接地的腔体、设置于腔体内的内衬以及下电极装置，内衬环绕下电极装置设置，且内衬与腔体的内壁相连，以使腔体对内衬进行支撑。然而，内衬与腔体之间的阻抗固定不变，即容性电流路径唯一，使得等离子体能量和密度的比例恒定，等离子体成分调节困难。
技术实现思路
1、本申请实施例的目的是提供一种工艺腔室及半导体工艺设备，能够解决相关技术中等离子体成分调节困难的问题。
2、第一方面，本申请实施例提供一种工艺腔室，包括接地的腔室本体、设置于所述腔室本体上方的介质窗，和设置于所述腔室本体内的内衬、下电极装置、电容调节装置以及密封装置，其中：
3、所述内衬环绕所述下电极装置设置，且所述内衬朝向所述下电极装置的一侧形成反应腔，所述内衬通过所述密封装置与所述腔室本体绝缘密封连接，以使所述内衬的外侧壁与所述腔室本体的内侧壁之间形成电容调节腔；
4、所述电容调节装置的至少一部分设于所述电容调节腔内，且所述电容调节装置与所述介质窗在高度方向上具有预设距离，所述电容调节装置用于调节所述内衬相对于所述腔室本体的电容值。
5、第二方面，本申请实施例还提供一种半导体工艺设备，包括上述的
6、在本申请实施例中，电容调节装置可以调节内衬相对于腔室本体的电容值，调节内衬与腔室本体之间的容抗，进而改变容性功率和感性功率的比例，而容性功率的大小决定了等离子体密度的高低，感性功率的大小决定了等离子体能量的高低，故改变容性功率和感性功率的比例，能够改变等离子体密度和能量的比例，改变等离子体的成分，最终达到调节晶圆刻蚀速率的目的。
7、而且，利用密封装置既能实现内衬与腔室本体的绝缘连接，又能将电容调节腔进行密封，从而使电容调节腔与反应腔间隔开，即电容调节装置不会处于反应腔的真空环境中，那么，反应腔内的晶圆被加工的过程中，电容调节装置位于电容调节腔内的部分的表面不会附着副产物，电容调节装置也不会影响晶圆的真空环境，有利于提升晶圆的良率。因此，本申请的方案能够在不造成工艺腔室颗粒污染的情况下，解决等离子体成分调节困难的问题。
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1.一种工艺腔室，其特征在于，包括接地的腔室本体(100)、设置于所述腔室本体(100)上方的介质窗(400)，和设置于所述腔室本体(100)内的内衬(200)、下电极装置(300)、电容调节装置(500)以及密封装置(600)，其中：
2.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，在所述工艺腔室的高度方向上，所述介质窗(400)与所述下电极装置(300)相对设置，所述介质窗(400)与所述下电极装置(300)之间形成等离子体区域(711)，所述预设距离小于或等于25mm，以使所述电容调节装置(500)与所述等离子体区域(711)沿所述内衬(200)的径向分布。
3.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述电容调节装置(500)包括可调节电容(510)，所述可调节电容(510)设置于所述电容调节腔(720)内，所述可调节电容(510)的一端与所述内衬(200)通过第一金属连接件(540)相连，所述可调节电容(510)的另一端与所述腔室本体(100)通过第二金属连接件(550)相连。
4.根据权利要求3所述的工艺腔室，其特征在于，所述可调节
5.根据权利要求3所述的工艺腔室，其特征在于，所述电容调节装置(500)还包括短路保护器(530)，所述短路保护器(530)与所述可调节电容(510)并联设置，且所述短路保护器(530)分别与所述第一金属连接件(540)和所述第二金属连接件(550)相连。
6.根据权利要求3所述的工艺腔室，其特征在于，所述电容调节装置(500)还包括旋转驱动源(520)，所述可调节电容(510)包括定子以及相对于所述定子可转动的转子，所述旋转驱动源(520)与所述转子相连，以调节所述可调节电容(510)的电容值。
7.根据权利要求6所述的工艺腔室，其特征在于，所述旋转驱动源(520)设置于所述腔室本体(100)之外，且所述旋转驱动源(520)与所述腔室本体(100)相连，所述电容调节装置(500)还包括传动轴(560)，所述腔室本体(100)开设有贯通孔，所述传动轴(560)的一端贯穿所述贯通孔，在所述贯通孔的轴线方向上，所述旋转驱动源(520)与所述可调节电容(510)相对，且所述旋转驱动源(520)通过所述传动轴(560)与所述转子相连。
8.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述密封装置(600)包括第一绝缘板(610)和第二绝缘板(620)，所述第一绝缘板(610)和所述第二绝缘板(620)设置于所述腔室本体(100)且分别位于所述电容调节腔(720)的下端和上端，所述第一绝缘板(610)分别与所述腔室本体(100)和所述内衬(200)密封配合，所述第二绝缘板(620)分别与所述腔室本体(100)和所述内衬(200)密封配合，
9.根据权利要求8所述的工艺腔室，其特征在于，所述腔室本体(100)的内壁面设有第一凹槽(110)，所述第一绝缘板(610)的部分伸入所述第一凹槽(110)内，且所述第一绝缘板(610)与所述第一凹槽(110)的槽壁面密封配合，所述第一绝缘板(610)位于所述第一凹槽(110)之外的部分与所述内衬(200)密封配合；
10.根据权利要求8所述的工艺腔室，其特征在于，所述密封装置(600)还包括第一密封件(630)，所述第一密封件(630)设置于所述第一绝缘板(610)和所述内衬(200)之间；
11.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，在所述内衬(200)的周向上，所述电容调节装置(500)间隔设置为至少两个。
12.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括权利要求1-11任一项所述的工艺腔室。
...【技术特征摘要】
1.一种工艺腔室，其特征在于，包括接地的腔室本体(100)、设置于所述腔室本体(100)上方的介质窗(400)，和设置于所述腔室本体(100)内的内衬(200)、下电极装置(300)、电容调节装置(500)以及密封装置(600)，其中：
2.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，在所述工艺腔室的高度方向上，所述介质窗(400)与所述下电极装置(300)相对设置，所述介质窗(400)与所述下电极装置(300)之间形成等离子体区域(711)，所述预设距离小于或等于25mm，以使所述电容调节装置(500)与所述等离子体区域(711)沿所述内衬(200)的径向分布。
3.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述电容调节装置(500)包括可调节电容(510)，所述可调节电容(510)设置于所述电容调节腔(720)内，所述可调节电容(510)的一端与所述内衬(200)通过第一金属连接件(540)相连，所述可调节电容(510)的另一端与所述腔室本体(100)通过第二金属连接件(550)相连。
4.根据权利要求3所述的工艺腔室，其特征在于，所述可调节电容(510)的最小电容值大于所述内衬(200)与所述腔室本体(100)之间的隔离电容。
5.根据权利要求3所述的工艺腔室，其特征在于，所述电容调节装置(500)还包括短路保护器(530)，所述短路保护器(530)与所述可调节电容(510)并联设置，且所述短路保护器(530)分别与所述第一金属连接件(540)和所述第二金属连接件(550)相连。
6.根据权利要求3所述的工艺腔室，其特征在于，所述电容调节装置(500)还包括旋转驱动源(520)，所述可调节电容(510)包括定子以及相对于所述定子可转动的转子，所述旋转驱动源(520)与所述转子相连，以调节所述可调节电容(510)的电容值。
...【专利技术属性】
技术研发人员：刘春明，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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