用于处理基板的装置和方法制造方法及图纸

本发明专利技术构思提供了一种基板处理装置和基板处理方法，该方法用于处理具有粘附到基板上的杂质的基板的表面，该杂质包括锗。该基板处理方法包括，在将待处理的基板带入到反应空间中至少一个绝缘构件暴露于该反应空间之后：同时或依序将钝化气体和工艺气体供应至所述反应空间的第一步骤，以及在停止供应钝化气体但供应等离子体源的情况下在反应空间中产生等离子体的第二步骤。离子体的第二步骤。离子体的第二步骤。

【技术实现步骤摘要】
用于处理基板的装置和方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年12月30日提交韩国专利局的、申请号为10
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2020
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0188108的韩国专利申请的优先权和权益，其全部内容通过引用结合在本申请中。


[0003]本文描述的本专利技术构思的实施方式涉及一种基板处理装置和基板处理方法。

技术介绍

[0004]随着半导体设备变得高度集成，也减小了有源区的尺寸。因此，也减小了形成在有源区中的MOS晶体管的沟道长度。当MOS晶体管的沟道长度减小时，由于短沟道效应，晶体管的操作性能下降。因此，已经进行了各种研究以在减小形成在基板上的设备的尺寸的情况下，使设备性能最大化。
[0005]其中，代表性的实例是具有翅(fin)结构的翅状FET设备。这样的翅状FET设备可以通过刻蚀诸如晶圆的基板(包括硅(Si))而形成。在此情况下，刻蚀工艺期间产生的基板表面的粗糙度可能会造成晶体管性能的劣化。因此，通常，通过将基团(radical)施用到基板表面的退火处理来改进基板表面的损伤和本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置，所述基板处理装置包括：工艺腔室，所述工艺腔室具有反应空间，一个或多个绝缘构件暴露于所述反应空间；基板支承构件，所述基板支承构件在所述反应空间中支承基板；气体供应构件，所述气体供应构件选择性地将钝化气体和工艺气体供应至所述反应空间；等离子体源，所述等离子体源将气体激发成等离子体；以及控制器，其中，所述控制器控制所述气体供应构件和所述等离子体源，并且在将待处理的基板带入所述反应空间中并通过所述基板支承构件支承后，所述控制器控制所述气体供应构件和所述等离子体源执行：同时或依序将所述钝化气体和所述工艺气体供应至所述反应空间的第一步骤，以及在停止供应所述钝化气体但供应所述工艺气体的情况下在所述反应空间中产生等离子体的第二步骤。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，包括锗的杂质粘附至所述待处理的基板，并且所述基板包括Si基板。3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述绝缘构件包括石英、Al2O3、AlN、Y2O3或它们的组合。4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述钝化气体包括氮系气体。5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述工艺气体包括氢气。6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，从所述钝化气体激发的所述等离子体包括氮基团。7.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，从所述工艺气体激发的所述等离子体包括氢基团。8.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，在所述工艺腔室形成有至少一个排放孔，并且所述至少一个排放孔连接至排放所述反应空间的排放管线，并且所述控制器控制连接至所述排放管线的减压构件，使得所述反应空间的压力达到50mTorr至1Torr，并将所述钝化气体控制为以10sccm至1000sccm供应10秒至60秒。9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其中，所述控制器控制所述气体供应构件，使得所述工艺气体以10sccm至1000sccm来供应，并供应所述钝化气体。10.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述控制器控制所述基板支承构件，使得在所述第二步骤期间将所述基板的温度调节至第一温度，并随后将所述基板的温度调节至与所述第一温度不同的第二温度。11.一种用于处理基板的表面的基板处理方法，所述基板具有粘附到所述基板上的杂质，所述杂质包括锗，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔镇雨，吴承俊，南镇祐，李章熙，朴永鹤，徐安娜，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：