基板处理装置和基板处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术构思提供了一种基板处理装置和基板处理方法。该基板处理装置包括工艺腔室，在该工艺腔室中具有处理空间；支承单元，其用于在所述工艺腔室中支承基板；气体供应单元，其用于将工艺气体供应到所述工艺腔室内部；以及等离子体产生单元，其用于从所述工艺气体产生等离子体，其中，所述等离子体产生单元包括：顶部电极，其设置在所述基板上方；底部电极，其设置在所述基板下方；边缘电极，其设置在围绕所述基板的边缘处；三个高频电源，其将高频功率施用至所述底部电极；以及边缘阻抗控制电路，其连接至所述边缘电极。其连接至所述边缘电极。其连接至所述边缘电极。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置和基板处理方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年12月29日提交韩国知识产权局的、申请号为10
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2020
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0186249的韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用结合在本申请中。


[0003]本文中描述的本专利技术构思的实施方式涉及一种基板处理装置和基板处理方法。

技术介绍

[0004]半导体制造工艺可以包括使用等离子体处理基板的工艺。例如，在半导体制造工艺期间，刻蚀工艺可以使用等离子体去除基板上的薄膜。等离子体是指通过非常高的温度、强电场或高频电磁场产生的，并由离子、电子或自由基等形成的离子气体状态。在半导体制造工艺中，使用等离子体执行刻蚀工艺。通过使包含在等离子体中的离子粒子与基板碰撞来执行刻蚀工艺。
[0005]例如，容性耦合等离子体(Capacitively Coupled Plasma，CCP)型等离子体源可以用于等离子产生。当将在CCP型等离子体源中执行高深宽比(high aspect ratio，HAR本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置，所述基板处理装置包括：工艺腔室，在所述工艺腔室中具有处理空间；支承单元，所述支承单元用于在所述工艺腔室中支承基板；气体供应单元，所述气体供应单元用于将工艺气体供应到所述工艺腔室内部；以及等离子体产生单元，所述等离子体产生单元用于从所述工艺气体产生等离子体，其中，所述等离子体产生单元包括：顶部电极，所述顶部电极设置在所述基板上方；底部电极，所述底部电极设置在所述基板下方；边缘电极，所述边缘电极设置在围绕所述基板的边缘处；三个高频电源，所述高频电源将高频功率施用至所述底部电极；以及边缘阻抗控制电路，所述边缘阻抗控制电路连接至所述边缘电极。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述三个高频电源包括：第一频率电源；第二频率电源；和第三频率电源；并且其中，所述第一频率电源具有100kHz至400kHz之间的范围。3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述第二频率电源具有2MHz至10MHz之间的范围。4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，所述第三频率电源具有60MHz或更高的范围。5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中，所述边缘阻抗控制电路具有一个或多个陷波滤波器、以及可变电容器，所述可变电容器并联连接至所述一个或多个陷波滤波器。6.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中，所述边缘阻抗控制电路具有一个或多个陷波滤波器、以及高通滤波器，所述高通滤波器并联连接至所述一个或多个陷波滤波器。7.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中，所述一个或多个陷波滤波器阻断所述第一频率电源和所述第二频率电源的范围内的频率，并且所述可变电容器控制所述第三频率电源的阻抗。8.根据权利要求6所述的基板处理装置，其中，所述一个或多个陷波滤波器阻断所述第一频率电源和所述第二频率电源的范围内的频率，并且所述高通滤波器控制所述第三频率电源的阻抗并分流所述第三频率电源的谐波。9.一种基板处理装置，所述基板处理装置包括：工艺腔室，在所述工艺腔室中具有处理空间；支承单元，所述支承单元用于在所述工艺腔室中支承基板；气体供应单元，所述气体供应单元用于将工艺气体供应到所述工艺腔室内部；以及等离子体产生单元，所述等离子体产生单元用于从所述工艺气体产生等离子体，其中，所述等离子体产生单元包括：顶部电极，所述顶部电极设置在所述基板上方；底部电极，所述底部电极设置在所述基板下方；以及三个高频功率电源...

【专利技术属性】
技术研发人员：桑特，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：