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北京北方华创微电子装备有限公司专利技术
北京北方华创微电子装备有限公司共有3788项专利
一种半导体工艺设备中动画数据处理的方法、装置及设备制造方法及图纸
本发明实施例提供了一种半导体工艺设备中动画数据处理的方法、装置及设备,所述方法包括:获取所述半导体设备对应的配置文件;根据所述配置文件,显示所述半导体设备中各个部件的分布视图;响应于对目标部件的移动操作,在所述分布视图中显示所述目标部件...
一种半导体工艺设备的物料调度方法和半导体工艺设备技术
本发明实施例提供了一种半导体工艺设备的物料调度方法和半导体工艺设备,半导体工艺设备包括多个模块,其中包括真空大气转换模块、工艺模块,该方法包括:根据物料的加工路径、各模块执行的任务、执行任务产生的动作顺序,生成当前物料对应的任务列表;设...
进气装置及半导体工艺设备制造方法及图纸
本申请公开了一种进气装置及半导体工艺设备,涉及半导体装备领域。一种进气装置包括:第一腔体、第二腔体、第一连接管和多个第二连接管;第一腔体与第二腔体层叠设置,且第一腔体朝向第二腔体的一侧开设第一进气孔和多个第一匀气孔,第一腔体的背离第二腔...
一种反流冷凝水分离装置及半导体工艺设备制造方法及图纸
本发明公开了一种反流冷凝水分离装置及半导体工艺设备,涉及半导体工艺设备技术领域,反流冷凝水分离装置用于半导体工艺设备的气体排放系统,气体排放系统包括排气管线,排气管线上设置有控压阀组,反流冷凝水分离装置包括:装置本体,装置本体的内部设置...
半导体工艺设备制造技术
本发明公开了一种半导体工艺设备,包括反应腔室、准备腔室、晶圆承载装置和驱动机构,其中:承载主体用于承载晶圆,承载主体活动地设于准备腔室中,驱动机构设于准备腔室,驱动机构与承载主体连接,以驱动承载主体在反应腔室和准备腔室之间移动,加热组件...
阀控制装置和方法、半导体加工设备制造方法及图纸
本发明提供一种阀控制装置和方法、半导体加工设备,该装置用于控制半导体工艺设备中的先导阀驱动开关阀开启或关闭,阀控制装置包括第一检测模块和控制模块,其中,第一检测模块用于检测每一采集周期中开关阀的开启动作和关闭动作,并将其转换为电信号发送...
晶圆承载盘和半导体工艺设备制造技术
本发明提供一种晶圆承载盘,包括晶圆托盘、升降组件、承载环和多个手指,晶圆托盘用于承载晶圆,承载环环绕晶圆托盘设置,多个手指设置在承载环上,手指具有支撑部和固定设置在支撑部上的限位部,升降组件用于驱动承载环带动多个手指抬升或者驱动承载环带...
晶圆承载装置及半导体工艺设备制造方法及图纸
本发明提供一种晶圆承载装置及半导体工艺设备,晶圆承载装置的托盘上开设有多个边缘承载孔;升降驱动机构与基座组件传动连接;基座包括用于承载托盘的承载面,承载面上开设有多个边缘装配通孔;传动组件设置于基座的内部,多个边缘承载部件设置于承载面的...
半导体工艺设备制造技术
本发明提供一种半导体工艺设备,包括工艺腔室、上射频源、射频线圈结构和线圈接地装置,其中,工艺腔室包括工艺腔体和介质腔体,介质腔体位于工艺腔体的上方,且介质腔体与工艺腔体密封连接;介质腔体的内径由上而下递增;射频线圈结构包括立体螺旋线圈,...
半导体工艺腔室、晶圆释放方法和半导体工艺设备技术
本发明提供一种半导体工艺腔室,包括腔体、静电卡盘和供电组件,静电卡盘设置在腔体中,且静电卡盘的内部具有至少一个吸附电极,供电组件用于向静电卡盘中的吸附电极加载吸附电压,以使吸附电极吸附静电卡盘上承载的晶圆,供电组件还用于在工艺结束后释放...
半导体工艺腔室制造技术
本发明提供一种半导体工艺腔室,包括腔体、基座、介质窗和线圈组件,介质窗盖设在腔体的顶部,基座设置于腔体内,基座具有用于承载晶圆的承载面,线圈组件设置在介质窗的上方,用于向腔体内馈入射频形成等离子体,介质窗的下表面具有环绕介质窗中心的曲面...
汽化系统以及半导体工艺设备技术方案
本发明提供一种汽化系统以及半导体工艺设备;其中,汽化系统包括:射流混合器、混合加热器、工艺液源和多条管路;其中,工艺液源用于存储并输出工艺液体;射流混合器的两个进口分别与外部气源和工艺液源连通;射流混合器的第一进口通过进气管路与气源连通...
半导体工艺设备制造技术
本发明提供一种半导体工艺设备,包括工艺腔室和设置在工艺腔室中的静电卡盘,静电卡盘的承载面上设置有多个凸点,用于支撑晶圆;该设备还包括电荷消除装置和接地的取片部件;其中,电荷消除装置包括弹性导电部件,弹性导电部件在被放置于多个凸点上且在静...
调节装置及半导体热处理设备制造方法及图纸
本申请公开了一种调节装置及半导体热处理设备,涉及半导体装备领域。一种调节装置,用于调节半导体热处理设备的进气管的倾斜角度,所述调节装置包括:固定支架和调节件;所述进气管通过柔性件安装于进气管固定件,且所述进气管以所述柔性件为支撑结构相对...
一种半导体工艺设备中模块的上线方法和半导体工艺设备技术
本发明实施例提供了一种半导体工艺设备中模块的上线方法和半导体工艺设备,所述方法包括:响应于上位机的调试指令,确定目标调试模块,并从多个预设的调试模式中确定所述目标调试模块的目标调试模式;其中,所述调试模式包括运行模式、休眠模式和维护模式...
一种气路图显示方法和半导体工艺设备技术
本发明实施例提供了一种气路图显示方法和半导体工艺设备,所述方法包括:获取气路图配置文件,根据气路图配置文件生成并显示气路图,气路图配置文件中包括半导体工艺设备气路系统中各条管路的标识、各个控制器的标识、各条管路与各个控制器的连接关系以及...
晶圆校准装置及腔室、半导体工艺设备及校准方法制造方法及图纸
本发明公开一种晶圆校准装置、晶圆校准腔室、半导体工艺设备及校准方法,晶圆校准装置包括承载机构和导向对心机构;承载机构具有第一承载面,第一承载面用于承载晶圆;导向对心机构包括升降组件和导向承载部,升降组件与导向承载部相连接,用于驱动导向承...
半导体工艺设备及脉冲信号控制方法技术
本发明提供一种半导体工艺设备及脉冲信号控制方法,该半导体工艺设备包括工艺腔室、上电极和下电极、方波电源和两个射频电源,其中,上电极和下电极沿竖直方向相对设置于工艺腔室中,下电极用于承载晶圆;两个射频电源的频率不同,用于输出射频连续信号或...
半导体工艺方法技术
本发明提供一种半导体工艺方法,包括以下步骤:第一掩膜层形成步骤,在半导体外延片的顶面上沉积第一掩膜层,半导体外延片的顶层为半导体外延片的有源层;第二掩膜层形成步骤,在第一掩膜层的表面制作图案化的光刻胶层;刻蚀步骤,刻蚀第一掩膜层和有源层...
晶圆的分割方法技术
本发明公开一种晶圆的分割方法,晶圆包括多个芯片,任意相邻的两个芯片之间均具有预先定义的切割道,分割方法包括:预分割步骤,介质件加工步骤,待挤压组件加工步骤和分割步骤。本申请实施例公开的晶圆的分割方法可以以解决目前采用等离子体切割工艺切割...
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